【課題】ＣＭＩＳのソース・ドレイン領域端部における転位の発生および拡散抵抗の上昇を防止する。
【解決手段】ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。これにより転位の発生を抑制しつつ、かつ、Ｐウエル層４とＮウエル層５それぞれに適した転移抑制元素を打ち分けることで拡散抵抗の上昇を抑制し、歩留まりを向上させ、素子の信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】高電位側スイッチ素子の十分な駆動電圧を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチＰＭＯＳは、低電位側の出力ＭＯＳがオンのときにオンとなり、ブートストラップ容量（以下、容量という）を電源電圧に充電し、この出力ＭＯＳがオフのときにオフとなり、オンとなる高電圧側出力ＭＯＳを通した入力電圧と容量に蓄積された電圧が加算されて昇圧電圧が形成される。スイッチＰＭＯＳのソース領域およびドレイン領域は、逆の導電型を有するウェル領域内に形成される。容量で形成された昇圧電圧が電源電圧より高くなった時に、一方のソース領域またはドレイン領域とウェル領域によって形成される寄生ダイオードに対し逆方向電圧が印加されるように、スイッチＰＭＯＳの一方のソース領域またはドレイン領域およびウェル領域が容量の昇圧電圧側に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップにおける電源領域の最適な分割仕様を遺伝的アルゴリズムを利用して探索する電源領域分割仕様探索プログラムを提供する。
【解決手段】現世代の複数の分割候補毎に評価関数により評価値を算出するステップＳ１０１と、評価値が低い分割候補を淘汰するステップＳ１０２とを実行し、淘汰されなかった各分割候補については、各モジュールの移動確率を算出するステップＳ１０３と、他のグループに移動させる候補となるモジュールを決定するステップＳ１０４と、他のグループに属する各モジュールと移動候補のモジュールとの間の相関性に基づいて相関度を算出し、他のグループに対する移動先確率を算出するステップＳ１０５と、移動先となるグループを決定して移動するステップＳ１０６とを実行し、淘汰された各分割候補については、新たな分割候補を生成するステップＳ１０７を実行することによって、次世代の複数の分割候補を生成する。 （もっと読む）

【課題】負荷変動によってＶＳＷＲ(電圧定在波比)の値が極端に大きくなった場合でも、出力電力結合器の電子部品の溶断の危険性を軽減すること。
【解決手段】ＲＦ電力増幅装置ＨＰＡ＿ＭＤは、第１と第２のＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２、ウィルキンソン・パワー・コンバイナによって構成された出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣを具備する。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣの第１と第２の入力端子にＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２のＲＦ増幅出力信号が供給されて、出力端子ＯｕｔからＲＦ増幅出力信号が生成される。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣで、第１入力端子と出力端子の間のインピーダンスと、第２入力端子と出力端子の間のインピーダンスとは略等しく設定され、第１入力端子と第２入力端子の間の抵抗Ｒ61は、例えば渦電流を生成するインダクタ等のリアクタンス素子Ｌ63によって置換されている。 （もっと読む）

【課題】複数のメモリアクセスリクエスタからのリクエストでも、バスの使用効率を高めるためのグループ化が可能なメモリコントローラおよびデータ処理装置を提供する。
【解決手段】リクエストキュー２２は、複数のメモリアクセスリクエスタから受信したリクエストを格納する。併合部３１は、リクエストキュー２２内のリクエストのうち、ＤＤＲ２−ＳＤＲＡＭにおける１回の読出しサイクルまたは書込みサイクルでアクセス可能なリクエストを併合する。メモリインタフェース部２７は、リクエストに従って、ＤＤＲ２−ＳＤＲＡＭに対してアクセスを行ない、併合された複数のリクエストに対するＤＤＲ２−ＳＤＲＡＭのアクセスを一括して行なう。 （もっと読む）

【課題】先端プロセスでは、ＭＯＳのゲートトンネルリーク電流が増大し、低リーク電流での待機が必要となる半導体装置では問題となる。
【解決手段】第１と第２のＰ型ＭＯＳと、第１と第２のＮ型ＭＯＳと夫々が有する複数のＣＭＯＳ構成スタティック型メモリセルと、電源線とソース線との電位差である前記複数のスタティック型メモリセルの電源電圧を制御する制御回路であって、第３のＮ型ＭＯＳを有する電源電圧制御回路とを具備する。第１のＮ型ＭＯＳのドレイン領域のうち、コンタクトを取る領域は砥素を含み、エクステンション領域は燐を含み、第２のＮ型ＭＯＳのドレイン領域のうち、コンタクトを取る領域は砥素を含み、エクステンション領域は燐を含み、前記第３のＮ型ＭＯＳのドレイン領域は、コンタクトを取る領域及びエクステンション領域に砥素を含む。 （もっと読む）

【課題】解析対象ネットに対して前段に位置する前段ネットからのＥＢＡＣ反応を防止した解析ヒット率の高いＥＢＡＣ解析方法及びそれに好適な装置を提供する
【解決手段】解析対象である解析対象ネット１０００に対して出力用のプリアンプ３に接続された第１のプローブ針１を接触する。また、前段ネット１１００または前段ネット１１００の電源配線１０１０に設置された第２のプローブ針２を接触する。プローブ針の接触後、電子ビームを照射し解析対象ネット１０００に対する。解析対象ネット１０００に蓄積された電荷はプリアンプ３を介して外部に出力される一方で、前段ネット１１００に蓄積された電荷は第２のプローブ針２を介して出力され前段ネットから排除される。これにより、ＥＢＡＣ解析時には前段ネット１１００の誤表示を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】窒素やフッ素のドーズ量を増やしたとしても、トランジスタのしきい値電圧のばらつき増大を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、Ｎ型（Ｐ型）トランジスタが形成されるトランジスタ形成領域２２０，２３０を有する、半導体基板１を用意する。そして、トランジスタ形成領域２２０，２３０の半導体基板１上に、ゲート絶縁膜３（または６）を形成する。そして、ゲート絶縁膜３（または６）越しに、トランジスタ形成領域２２０，２３０の半導体基板１に対して、窒素またはフッ素を注入する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路にＤＡコンバータが内蔵され、且つ、上記ＤＡコンバータとデジタル回路とでパッドが共有される場合のアナログ電源電圧の動作範囲を改善する。
【解決手段】複数の抵抗が結合されて成るラダー抵抗回路を含むＲ−２Ｒ型ＤＡコンバータ（１０６）と、デジタル信号の入出力を可能とするデジタル回路（６０１）と、上記ＤＡコンバータの出力ポートと上記デジタル回路の入出力ポートとの間で共有されるパッド（６０２）とを設ける。そして、上記Ｒ−２Ｒ型ＤＡコンバータが非アクティブ状態とされるとき、上記ラダー抵抗回路を上記Ｒ−２Ｒ型ＤＡコンバータから切り放すためのスイッチ制御回路（２０）を設け、上記ＤＡコンバータのアナログ信号出力ポートを導電ライン（３２０）によって上記パッドに直結することで、アナログ電源電圧の動作範囲を拡大する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤ用インレットにおいて入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極のみの接合強度を測定する。
【解決手段】ＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおいて、チップ搭載領域４ｃの第３パターン４ｆが第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離されていることにより、超音波を印加してバンプ電極２を金属パターン４に接続する際に、第３パターン４ｆは梁となるようなパターンによって支持されていないため、超音波の振動に合わせて動く。これにより、チップ支持用のバンプ電極２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力やＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べて弱くすることができ、バンプ電極２の接続強度検査において、入力用のバンプ電極２ａ及びＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合強度を測定することができる。 （もっと読む）