インプリント・リソグラフィ・テンプレートは、特に、本体であって、それに関連する第１の厚さを有する本体と、パターニング層であって、それに関連する第２の厚さを有し、複数のフィーチャを含み、これら複数のフィーチャがそれらに関連する第３の厚さを有するパターニング層とを含み、前記第２の厚さが、Ｃ₁×ｄ＜ｔ＜ａ／Ｃ₂によって定義され、ここで、ｄは前記第１の厚さであり、ｔは前記第２の厚さであり、ａは前記第３の厚さであり、Ｃ₁は２０よりも大きい値を有し、Ｃ₂は３５０よりも大きい値を有する。
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本発明は、コーティング工程において、流体を基板の表面と接触させるステップと、接着プライマー層が基板の表面に接着するように、流体中の成分と基板の表面との間で共有結合を形成する化学反応を開始させるステップとを含むインプリント・リソグラフィー法のための接着プライマー層を塗布する方法を提供する。ポリマー層は、その接着プライマー層で被覆した基板の表面に接着させることができる。この方法により、パターニングした磁気媒体を含めた両面インプリント用途のための接着プライマーコーティングが可能となる。
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基板上に材料のパターンを形成する向上したプロセスが、材料のパターンの像に対応するようにパターニングされたレジスト材料上に材料を異方的に堆積する。材料を等方的にエッチングして、レジスト・パターンの側壁上の材料の厚さを除去する一方、レジスト・パターンの最上面上の材料および基板の表面の部分を残す。溶解によってレジスト・パターンを除去し、それによって、レジスト・パターンの最上面上の材料をリフトオフする一方、基板表面上の材料を材料のパターンとして残す。あるいは、第１の材料の層をレジスト・パターン上に堆積し、第２の材料の層を堆積しかつ平坦にする。第２の材料の層をエッチングして、第１の材料を露出させる一方、レジスト・パターンのフィーチャの中に第２の材料を残す。第１の材料およびレジストを除去して第１の材料のパターンを残す。
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ナノインプリント・リソグラフィ・テンプレートは、とりわけ、第１及び第２の両側を有し、第１の面が第１の側上に配置され、第２の側がその中に配置されたくぼみを有する本体であって、第１及び第２の領域を有し、第２の領域が第１の領域及び第１の領域と重なるくぼみを囲み、第１の領域と重なる第１の面の部分が第２の側から第１の距離だけ間隔を置いて配置され、第２の領域と重なる第１の面の部分が第２の側から第２の距離だけ間隔を置いて配置され、第２の距離が第１の距離よりも大きい本体と、第１の領域の部分と重なる本体の第１の側上に配置されたモールドとを備える。
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本発明は、基板を保持するためのチャック・システムであって、前記システムは、第１及び第２の対向するサイドを有し、前記第１のサイドは横列と縦列に配置された流体チャンバのアレイを含むチャック本体を含み、前記流体チャンバは、第１及び第２の分離された支持区域を区画する第１及び第２の分離された凹溝を有し、前記第１支持区域は、前記第２支持区域と前記第１及び第２凹溝とを取り囲み、且つ前記第２支持区域は前記第２凹溝を取り囲み、前記基板は前記第１及び第２支持区域に載せられ、前記第１凹溝及びこれと重なる前記基板の一部分が第１チャンバを形成し、且つ前記第２凹溝及びこれと重なる前記基板の一部分が第２チャンバを形成し、前記第１チャンバの各縦列及び前記第２チャンバの各横列は流体の別々のソースと流体連通して前記流体チャンバ内の流体の流れを制御するチャック・システムに関する。
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本発明は、ナノインプリント・モールドを保持するテンププレートのチャネル又は孔を使用して部分真空を生成することによって、ナノインプリント・リソグラフィ・テンプレートの近傍に所望の環境を生成維持するための方法及びシステムを対象とする。
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複数のフィールドを備える基板をパターニングする方法であって、とりわけ、基板の複数のフィールドの第１の部分集合上に第１の容積の流体を分配することを含み、第１の容積の流体は、第１蒸発時間にさらされ、基板の複数のフィールドの第２の部分集合上に、第１の部分集合と異なる第２の容積の流体を分配することを含み、第２の容積の流体は、第１蒸発時間と異なる第２蒸発時間にさらされ、複数のフィールドの第１と第２の部分集合をパターニングすることを含み、複数のフィールドの第１の部分集合は、複数のフィールドの第２の部分集合がパターニングされる前にパターニングされ、複数のフィールドの第２の部分集合に関連する容積は、第１蒸発時間より大きい第２蒸発時間を補償するために、複数のフィールドの第１の部分集合に関連する容積より大きい。
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本発明は、レベル０（インプリント又はフォトリソグラフィ又は電子ビーム等によってパターニングされる）及びレベル１（インプリントによってパターニングされる）に対するパターニングされたフィールドの形状の選択を対象とし、その結果、一緒に碁盤目状にされたときこれらの形状が、周辺凹部によって生じるオープン領域を解消する。
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テンプレートによって第１フィールド及び第２フィールドを備える基板をパターニングする方法において、テンプレートは、モールドと、複数のアライメント形成領域と、複数のテンプレート・アライメント・マークとを有する、方法であって、基板の第１フィールド、ならびに、第１及び第２フィールドの外側にある基板の複数の領域上に材料を分配すること、モールドと基板を分配することであって、それにより、基板の第１フィールド上の材料内にパターンを画定し、一方、同時に、テンプレートの複数のアライメント形成領域に重なった基板の複数の領域内の材料を用いて複数の基板アライメント・マークを画定するために、モールドと基板の第１フィールドとの間の所望の空間関係が得られる、分配すること、基板の第２フィールド上に材料を分配すること、及び、複数のテンプレート・アライメント・マークと複数の基板アライメント・マークとの間の所望の空間関係を得るためにモールドと基板を分配することであって、それにより、基板の第２フィールド上の材料内にパターンを画定するために、モールドと基板の第２フィールドとの間の所望の空間関係が得られる、分配することを含む方法。
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本発明は、ナノインプリント・リソグラフィ・システムにおいて第１と第２の基板をパターニングする方法に向けられ、方法は、なかでも第１の基板チャック上に第１の基板を配置するステップと、第１の基板上にナノインプリント材料を配置するステップと、第１の基板とナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の空間関係を得て、第２の基板チャック上に第２の基板を同時に配置する間に、ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、第１の基板上のナノインプリント材料内にパターンをインプリントするステップと、ナノインプリント・モールド・アセンブリを第１の基板上のナノインプリント材料から分離するステップと、第２の基板上にナノインプリント材料を配置するステップと、第２の基板とナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の空間関係を同時に得る間に、第１の基板を第１の基板チャックから取り外し、かつナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、第２の基板上のナノインプリント材料内にパターンをインプリントするステップと、ナノインプリント・モールド・アセンブリを、第２の基板上のナノインプリント材料から分離するステップとを含み、第１と第２の基板が、実質的に同じ処理条件を受ける。
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