説明

モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッドにより出願された特許

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【課題】 第1に、凝固した高分子材料は、基板上の転写層に良好に接着すべきであり、かつ第2に、インプリントテンプレート表面から容易に剥離されるべきである。これらの問題は、通常、剥離性と呼ばれ、かつそれらが満たされるなら、凝固した高分子材料に記録されたレリーフパターンは、インプリントテンプレートを基板からの分離させるときに歪められない。
【解決手段】 本発明は、フッ化界面活性剤と、光開始剤と、アクリレートとメタクリレートとからなる単量体のグループから選択される単量体とを含むインプリント材料を対象とする。 (もっと読む)


【課題】コンタクト・リソグラフィ・プロセスで使用されるインプリンティングの方法を改善する必要がある。
【解決手段】 本発明は、モールド(136)を含むテンプレート(214)内に変形を形成することを含む、固化したインプリンティング材料からモールドを分離する方法を提供する。変形(P2)は、固化したインプリンティング材料とモールドの間の接着力よりも大きな戻り力を生み出すのに十分なものである。例えば変形は、ポンプ・システム(546)によって、モールドと、モールドとは反対側のテンプレートの側面との間に生み出される圧力差から生じ得る。このようにして、歪みが、上に固化したインプリンティング材料が配設された基板に接触するのに十分な大きさの、テンプレート内の起伏になることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に微細形状のリセスを形成する。
【解決手段】表面上に、第1の寸法と形状を備えた第1のフューチャを有するパターン形成層を形成し、該パターン形成層をエッチングして、前記第1の寸法とは異なる第2の寸法を有する第2のフューチャを形成し、該第2のフューチャを順応層で覆うとともに、該順応層の上方を除去して前記第2のフューチャの頂部を露出させた後に、
該第2のフューチャを、前記順応層と相互作用してin-situ硬化マスクを生成する酸素ベースの化学作用を伴うプラズマエッチングにより除去して、前記第1の寸法とは異なる第2の寸法を有する、前記形状の反転形状を作成して、該反転形状を前記表面に転写する。 (もっと読む)


【課題】インプリンティング・プロセス中にインプリント層に閉じ込められるガスを減少させる。
【解決手段】基板に、複数の離散した小滴として、アパーチャ104a、106aを介して流動性のインプリント材料を付着させるステップと、基板に近接してモールド面26aを対向させることによって、前記インプリント材料が存在する処理領域であって、大気78をともなう処理領域77を定めるステップと、前記処理領域の大気にヘリウム・ガスの乱流を導入し、大気をヘリウム・ガスで飽和させるステップと、連続したインプリント層を形成するために、前記複数の小滴に前記モールドを接触させるステップと、前記インプリント材料を固化させるため、該インプリント層を化学的作用放射にさらすステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】インプリントリソグラフィ・テンプレートのフィーチャを埋めるのに必要な時間を短縮する。
【解決手段】液体を基板上に分配する方法であって、とりわけ相隣る液滴間にガスポケットが生じる複数の互いに相隔たる液滴のパターンを基板上に配置する配置ステップで、パターンを複数のガスポケットの容積が最小となるように形成するステップ、を含む方法に関する。 (もっと読む)


ガス閉じ込めシステム及び方法を説明する。詳細には、パージガスを閉じ込め、ナノロソグラフィシステム内の他の要素へのパージガスの流れを制限するバリアを含むシステム及び方法を説明する。このバリアを、作業環境と外部環境の間の所望の圧力変化に対応し、及び/又はこれを制御するように調整することができる。 (もっと読む)


高コントラスト材料の位置合わせマークを有するテンプレートを形成するためのシステム及び方法を説明する。高コントラスト材料は、位置合わせマークの凹部内に位置することができる。 (もっと読む)


ナノ粒子を形成するためのナノインプリントリソグラフィ法は、多層基板上に犠牲材料をパターン形成すること含む。幾つか場合では、多層基板のリムーバブル層に又は層内にパターンを転写し、機能材料を、多層基板のリムーバブル層に配置して凝固させる。その後、機能材料の少なくとも1つの部分を除去して、リムーバブル層の凸部を露出させ、機能材料の柱をリムーバブル層から剥離させて、ナノ粒子を得る。他の場合では、多層基板は機能材料を含み、多層基板のリムーバブル層に又は層内にパターンを転写する。犠牲層を除去し、機能材料の柱をリムーバブル層から剥離させて、ナノ粒子を得る。 (もっと読む)


基板上の重合性材料は、制御組成のガス雰囲気中でエネルギー供給源からの真空紫外(VUV)放射線に曝露することにより除去することができる。このような除去の後、ナノプリント用の追加のエッチング技術もまた記載される。 (もっと読む)


ナノ・インプリント・リソグラフィ加工中に流体をパージするためのナノ・インプリント・リソグラフィ用テンプレートが記載されている。テンプレートは、内側流路および外側流路を備えることができる。内側流路は、ナノ・インプリント・リソグラフィ加工中に、テンプレートと基板との間の領域をプロセス・ガス供給源と流体連通させるように構成されている。外側流路は、流体を排出、および/または、テンプレートのアクティブ・エリアと基板との間に流体を封じ込めるように構成されている。 (もっと読む)


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