説明

セムエキップ インコーポレイテッドにより出願された特許

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【課題】高輝度で低エミッタンスのイオン供給源、加速/減速移動システム及び改善したイオン供給源を提供する。
【解決手段】イオン化チャンバー(80,175)の出口開口部(46,176)に近接の直進電子の衝撃イオン化により、例えば、二量体又はデカボランのガス又は蒸気をイオン化することによりイオン注入を行う。イオン供給源は、供給ガスを受け取るためのガス入口を有する囲まれた空間を規定する、長短軸を有するリボン状のビームとしてイオンを前記イオン化チャンバーから出させるための細長溝として形成された出口開口部を有するイオン化チャンバーと、前記イオン化チャンバーの前記供給ガスをイオン化するとともに分子イオンを形成するため電子を発生するための電子供給源と、前記リボン状のビームを加速するための前記細長溝の近くに配置された縮小レンズと、を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高輝度で低エミッタンスのイオン供給源、加速/減速移動システム及び改善したイオン供給源を提供する。
【解決手段】イオン化チャンバー(80,175)の出口開口部(46,176)に近接の直進電子の衝撃イオン化により、例えば、二量体又はデカボランのガス又は蒸気をイオン化することによりイオン注入を行う。イオン供給源は、供給ガスを受け取るためのガス入口を有する囲まれた空間を規定する、長短軸を有するリボン状のビームとしてイオンを前記イオン化チャンバーから出させるための細長溝として形成された出口開口部を有するイオン化チャンバーと、前記イオン化チャンバーの前記供給ガスをイオン化するとともに分子イオンを形成するため電子を発生するための電子供給源と、前記リボン状のビームを加速するための前記細長溝の近くに配置された縮小レンズと、を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


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