説明

マトソン テクノロジー カナダ インコーポレイテッドにより出願された特許

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【課題】工作物の熱誘起運動によりウエハが破壊されるおそれがある。したがって、工作物の熱誘起運動を抑制する改善された機器及び方法を提供する。
【解決手段】機器100は、工作物104の動きを熱により誘起するように構成された工作物加熱システム102を備え、さらに、工作物から離間し、減衰力を加えて工作物の動きを減衰させるように構成された減衰部材106を備える。この減衰部材は、減衰部材と工作物の間のガス圧が工作物の動きを妨げるのに十分に短い距離だけ工作物の静止位置から離間し得る。この距離は、好ましくは調節可能である。 (もっと読む)


【課題】ワークピースの熱処理のための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】1つの方法は、ワークピースの第1の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定することと、現在の強度および第1の表面の少なくとも1つの先の熱特性に応答して、第1の表面の現在の温度を識別することと、を含む。ワークピースは半導体ウェハを含み、第1および第2の表面はそれぞれウェハの装置および基板側を含む、ことが望ましい。装置側の現在の温度は、装置側が、例えばウェハの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュによって照射されている間に識別されることが望ましい。装置側温度は、先の装置側温度に応答して識別してもよく、先の装置側温度とは異なる基板側の先の温度およびウェハの温度履歴に応答して識別してもよい。 (もっと読む)


【課題】改善されたフラッシュランプ及び方法を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、電磁放射線を発生させる装置が、エンベロープの内面に沿って液体の流れを発生するように構成された流れ発生器と、エンベロープ内部で電気アークを発生させて電磁放射線を生成するように構成された第1及び第2の電極と、液体の流れの一部分を収容するように構成された、前記電極の1つを越えて外方向に延在する排気チャンバとを備える。別の態様では、流れ発生器は電気的に絶縁される。別の態様では、前記電極は放電パルスを発生させて放射線フラッシュを生成するように構成され、また本装置は液体から粒子汚染を除去するように構成された除去装置を備える。この粒子汚染はフラッシュ中に放出され、連続動作中に電極によって放出されるものとは異なっている。 (もっと読む)


【課題】イオン活性化および格子修復の目的のための半導体ウェハのアニーリングに加えて、他の用途も、半導体ウェハなど加工物を熱処理するための改善方法を提供する。
【解決手段】加工物を中間温度まで予熱すること、加工物の表面を中間温度よりも高い所望の温度まで加熱すること、および加工物の冷却を促進することを含む。冷却の促進は、加工物によって熱放出された放射を吸収することを含むことができる。半導体加熱方法および装置も開示される。装置30は、半導体ウェハの第1の表面42を加熱するための第1の熱源40と、半導体ウェハの第2の表面46を加熱するための第2の熱源44と、第1の熱源40と半導体ウェハ34との間に配置された第1の冷却窓65とを含む。 (もっと読む)


【課題】ワークピースの熱処理のための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】1つの方法は、ワークピースの第1の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定することと、現在の強度および第1の表面の少なくとも1つの先の熱特性に応答して、第1の表面の現在の温度を識別することと、を含む。ワークピースは半導体ウェハを含み、第1および第2の表面はそれぞれウェハの装置および基板側を含む、ことが望ましい。装置側の現在の温度は、装置側が、例えばウェハの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュによって照射されている間に識別されることが望ましい。装置側温度は、先の装置側温度に応答して識別してもよく、先の装置側温度とは異なる基板側の先の温度およびウェハの温度履歴に応答して識別してもよい。 (もっと読む)


非平面上面を有する支持板と、支持システムとを含む、熱処理中の被加工物を支持するための装置。支持システムは、被加工物の熱処理中、被加工物の初期形状の下面が支持板の非平面上面の上に不均一な間隔で支持されるように、被加工物を支持板の上に支持するように構成され、前記不均一な間隔は、被加工物の外周の下の縁部隙間と、被加工物の中心軸のところの中央部隙間とを含む。
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第1の熱処理方法は、工作物の面に入射する放射フラッシュを作る放射装置に関連する少なくとも1つの熱効率パラメータを監視し、熱効率パラメータの監視に応じて、放射装置が放射フラッシュを作るのに用いる制御情報を自動的に更新する段階を含む。第2の方法は、面の加熱パラメータの測定に応じて工作物の面に入射する放射フラッシュの加熱効果を予測し、予測加熱効果に応じて放射フラッシュを事前に調整する段階を含む。第3の方法は、面に入射する放射フラッシュの最初の部分の間の工作物の面の温度を測定し、この温度に応じて放射フラッシュの残りの部分の電力を制御する段階を含む。
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工作物、例えば半導体ウェーハ等を支持する装置と方法である。支持システムは、工作物を支持する一方、熱に誘発される工作物の運動を許容するように構成されている。この運動には熱による弓そりと熱による曲げとが含まれよう。支持システムは、工作物と接触可能な可動接触部を有する支持部材を含み、該接触部は、工作物を支持する一方、熱に誘発される工作物の運動を許容するように可動である。可動接触部は、複数の支持部材それぞれの複数可動接触部を含み、該接触部は工作物と弾性接触可能である。支持部材は、複数の可とう性支持部材を含み、各々が非拘束部と拘束部とを有し、かつ可動接触部は非拘束部を含むことができる。あるいはまた、支持部材は剛性でもよく、支持システムは、複数の加力器、例えば支持部材と結合されたばね等を含むことができる。
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電磁放射線を発生させる装置は、エンベロープの内面に沿って液体の流れを発生するように構成された流れ発生器と、エンベロープ内部で電気アークを発生させて電磁放射線を生成するように構成された第1及び第2の電極と、液体の流れの一部分を収容するように構成された、前記電極の1つを越えて外方向に延在する排気チャンバとを備える。別の態様では、流れ発生器は電気的に絶縁される。別の態様では、前記電極は放電パルスを発生させて放射線フラッシュを生成するように構成され、また本装置は液体から粒子汚染を除去するように構成された除去装置を備える。この粒子汚染はフラッシュ中に放出され、連続動作中に電極によって放出されるものとは異なっている。
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工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び方法。機器は、工作物の動きを熱により誘起するように構成された工作物加熱システムを備え、さらに、工作物から離間し、減衰力を加えて工作物の動きを減衰させるように構成された減衰部材を備える。この減衰部材は、減衰部材と工作物の間のガス圧が工作物の動きを妨げるのに十分に短い距離だけ工作物の静止位置から離間し得る。この距離は、好ましくは調節可能である。
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