【課題】被加工物の表面を、簡易かつ低コストで加工することが可能な表面加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物１の加工表面１a上に、固体の加工補助材２を設け、パルスレーザー光２０を被加工物１を通して加工補助材２の被加工物１側に集光照射することによって、被加工物１の加工表面１aを加工する。この表面加工方法では、加工補助材２のパルスレーザー光２０の波長に対する透過率は、被加工物１のパルスレーザー光２０の波長に対する透過率よりも小さく、パルスレーザー光２０のフルエンスは、被加工物１のパルスレーザー光２０に対するアブレーション閾値より低く且つ加工補助材２のパルスレーザー光２０に対するアブレーション閾値より高くなっている。この場合、加工補助材２がアブレーションされることで被加工物１の加工表面１aが加工されるので、例えば、被加工物１が透明材料等であっても簡易且つ低コストで表面加工をすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】リアルタイムのイオン分析が可能であって高効率かつ安価なイオン分析装置を提供する。
【解決手段】イオン分析装置１は、イオン発生源９から発生したイオンの比電荷および運動エネルギを分析するトムソンパラボラ型のものであって、真空容器１０の内部に配置されており、コリメータ１１、電磁場発生部１２、金属箔１３ａ，１３ｂ、プラスチックシンチレータ１４、光フィルタ１５、光検出部１６、分析部１７、制御部１８および表示部１９を備える。プラスチックシンチレータ１４は、電磁場発生部１２により形成された電磁場により偏向され金属箔１３ａ，１３ｂを通過して到達したイオンを主面に入射して、そのイオン入射位置から光を発生する。 （もっと読む）

【課題】取り扱いが容易であって高精度の加工が可能なレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】中空部２３を有する中空光ファイバ２０は、入射端２１に入射ユニット４０が設けられ、出射端２２に出射集光ユニット５０が設けられている。中空光ファイバ２０の出射側２２に固定された固定部５１に光出射部５２が嵌合された状態において、中空光ファイバ２０，固定部５１および光出射部５２により囲まれる内部空間は、中空光ファイバ２０の出射端２２における中空部２３の開口を除いて閉じている。入射ユニット４０から中空光ファイバ２０を経て出射集光ユニット５０に到るまでの内部空間は、排気手段６０により排気される。レーザ光源１０から出力されたレーザ光は、中空光ファイバ２０の入射端２１に入射し中空部２３を導光し出射端２２から出射されて、光出射部５２が有する集光手段としての窓５３により外部で集光される。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であって作業性のよいレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置は、被加工物１０の被加工部位１１に照射するレーザ光Ｌを出力するレーザ装置２２と、レーザ装置を収容する筐体３０と、筐体を構成する壁部３１に設けられており、レーザ装置から出力されるレーザ光を外部に通す通光部３２と、筐体内に収容されており、レーザ装置から出力されるレーザ光を通光部に導いてレーザ光を被加工部位に照射する導光手段９０と、筐体を搬送する筐体搬送手段６０と、筐体に設けられており、通光部から出力されるレーザ光の照射によって被加工部位から発生する粉塵を吸引する粉塵吸引手段１１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 小さい径を有する穴部をより確実に形成できるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置は、レーザ光Ｌを照射して被加工物３に穴部Ｈを形成するものである。このレーザ加工装置１は、被加工物３に照射するレーザ光Ｌを出力するレーザ発振器５と、レーザ光を集光して被加工物に照射する集光光学系１１と、被加工物に照射され反射されたレーザ光としての反射光を受ける光検出器２７と、光検出器による反射光の検出結果に穴部に起因する干渉成分が含まれるように集光光学系と被加工物との相対位置を調整する制御手段２９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 加工効率のよいレーザ加工装置及びそのレーザ加工装置を利用したレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置１は、被加工物１０に照射するレーザ光を出力する照射手段２０と、被加工物１０における被加工部位１１を加熱する加熱手段４０とを備える。そして、加熱手段４０は、被加工部位１１の溶融温度より小さい範囲内であって被加工部位１１がレーザ光Ｌに対して加工可能な吸収特性Ｓ２を有するように被加工部位１１を加熱する。これにより、被加工部位１１は、加工可能な吸収特性Ｓ２を有した状態でレーザ加工されるので、より効率的に加工することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 電気伝導性の高分子を含む反応生成物を好適に形成することが可能な光重合装置、及び光重合方法を提供する。
【解決手段】 所定波長のパルスレーザ光Ｌを供給するパルスレーザ光源１０と、共役環状化合物を含む被反応物Ｓに対してパルスレーザ光源１０からのパルスレーザ光Ｌを照射するための照射光学系２０と、被反応物Ｓに対するパルスレーザ光Ｌの照射位置Ｐを制御する照射位置制御機構３５とを備えて光重合装置１Ａを構成する。そして、被反応物Ｓの照射位置Ｐにおいて、パルスレーザ光Ｌによって共役環状化合物を光重合反応させるとともに、照射位置Ｐを制御することにより、電気伝導性の共役高分子を含む反応生成物を所定のパターンで形成する。 （もっと読む）

【課題】 良好な特性の放射光を効率良く生成することが可能な放射光生成装置を提供する。
【解決手段】 互いに可干渉性を有する２本の光ビームＬ１、Ｌ２を供給する光ビーム供給部１０と、放射光の生成に用いられる相互作用領域５０を含む放射光生成部２０と、相互作用領域５０に対して荷電粒子群Ｃを供給する荷電粒子供給部３０とによって放射光生成装置１Ａを構成する。そして、放射光生成部２０において、相互作用領域５０内で交差するように２本の光ビームＬ１、Ｌ２を入射させ、それらの光ビームが干渉して形成される電磁場で荷電粒子群Ｃを加速することによって放射光Ｒを生成する。 （もっと読む）

【課題】 装置が小型化されるとともに、放射性同位体を効率良く生成させることが可能な放射性同位体生成装置を提供する。
【解決手段】 レーザ光を出力するレーザ光源１０と、レーザ光を集光照射して発生した重陽子Ｄを放出する重陽子放出ターゲット２０と、同位体生成ターゲット３０と、同位体回収装置４０とを備えて放射性同位体生成装置１Ａを構成する。また、重陽子Ｄを入射してＤ＋^３Ｈｅ→^４Ｈｅ＋Ｐ反応によって高速陽子Ｐを発生させる^３Ｈｅと、^１１Ｂ，^１６Ｏ，^１５Ｎ，及び^１８Ｏの少なくとも１つを含む原料物質とを含む同位体生成ターゲット３０を用い、高速陽子Ｐと原料物質とが反応することによって^１１Ｃ，^１３Ｎ，^１５Ｏ，及び^１８Ｆの少なくとも１つを含む放射性同位体を生成させる構成とする。 （もっと読む）

【課題】 光ファイバを用いてフェムト秒パルス光などのパルス光を好適に伝送することが可能なパルス光伝送装置、及びパルス光伝送調整方法を提供する。
【解決手段】 所定波長のパルス光を出射するパルスレーザ光源１０と、パルス光を伝送するマルチモードファイバ１５と、パルス光源１０から出射されたパルス光を、所定の伝搬モードで伝送される入力条件でマルチモードファイバ１５へと入力する入力光学系２０とを用いてパルス光伝送装置１Ａを構成する。また、マルチモードファイバ１５の入力側及び出力側の少なくとも一方にパルス光制御部３０を設置し、マルチモードファイバ１５でのパルス光伝送についての分散補償条件などの伝送条件を制御する。 （もっと読む）