【課題】静止状態の電子スピンに対し電子スピン共鳴を生じさせること、または、任意の面方向の半導体層を用いること。
【解決手段】半導体からなり、電子が走行可能な一次元細線１８と、前記一次元細線に、前記一次元細線の延伸方向に交差する方向に直流磁場を印加する磁場生成部３８と、前記一次元細線に、前記一次元細線の延伸方向および前記直流磁場の方向と交差する方向に交流電界を印加することにより、ｇ因子の前記一次元細線の延伸方向または／および前記交流電界の印加方向の成分を前記交流電界の周波数で変調させる電極２６と、を具備する電子スピン共鳴生成装置および電子スピン共鳴生成方法。 （もっと読む）

【課題】柔物体本来の柔らかさや安全性を損なうことなく簡単に実装することができ、且つ、柔物体に対し加えられた荷重、変形を測定可能なセンサモジュールを提供する。
【解決手段】柔物体の内部に充填されている充填物の中に、センサモジュールを挿入する。このセンサモジュールは、センサモジュールの周囲の充填物で反射される光を検知するように、互いに異なる向きに配置されている複数のフォトリフレクタを有している。そして、複数のフォトリフレクタの出力に基づいて、柔物体に対し加えられた荷重又は変形による充填物の密度の変化を測定する。例えば、クッション６０の四隅に４個のセンサモジュール６２を挿入する。情報処理装置６３は、センサモジュール６２から取得した測定結果（ユーザがクッションを押した箇所）に応じて、ＴＶ６１に対し制御命令を送出する。 （もっと読む）

【課題】高速現象を精度よく測定できる、ポンププローブ測定装置を提供する。
【解決手段】ポンププローブ測定装置１は、ポンプ光３ａとなる第１の超短光パルス列とプローブ光となる第２及び第３の超短光パルス列３ｂ，３ｃとを発生させる超短光パルスレーザー発生部２と、第２及び第３の超短光パルス列３ｂ，３ｃが入射される光シャッタ部６と、ポンプ光３ａ及びプローブ光３ｂ，３ｃを試料７に照射する照射光学系８と、試料７からのプローブ信号を検出するセンサー１１と、センサー１１に接続される位相敏感検出手段１２と、を含む検出部２０とを備え、光シャッタ制御部１０によってポンプ光３ａに対するプローブ光３ｂ，３ｃの遅延時間が周期的に変調されて交互にプローブ光３ｂ，３ｃとして試料７に照射され、プローブ信号を遅延時間の周期的変調信号に同期して位相敏感検出手段１２で検出する。 （もっと読む）

【課題】既存の電極材料と比較してより高い比容量を示し、繰り返し充放電によっても電池性能の劣化することのない蓄電デバイスを製造することのできる電極材料（特にリチウムイオン二次電池の負極材料）を、安価に製造するための方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、４族メタロセンと
アルキルリチウム、アルキルアルミニウム、アルキルマグネシウムおよびアルキルマグネシウムハライドから選ばれるアルキル化剤と
を接触させて得られる触媒ならびに導電性炭素粒子の存在下でＳｉＨ_４を重合して得たポリヒドロシラン／導電性炭素組成物を、不活性雰囲気下で加熱する工程を経ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物薄膜の膜質を向上する。
【解決手段】有機成分とＩｎとを含有する第１酸化物前駆体膜４に対して有機成分の熱分解温度未満で有機成分の結合状態を選択的に変化させ、フーリエ変換型赤外分光で測定したときに得られる赤外線吸収スペクトルにおいて、赤外線の波数１３８０ｃｍ^−１以上１５２０ｃｍ^−１以下の範囲を赤外線の波数１３８０ｃｍ^−１以上１４５０ｃｍ^−１以下の範囲と赤外線の波数１４５０ｃｍ^−１超１５２０ｃｍ^−１以下の範囲とに分割したときに、赤外線の波数１３８０ｃｍ^−１以上１４５０ｃｍ^-１以下の範囲に位置するピークが、赤外線の波数１３５０ｃｍ^−１以上１７５０ｃｍ^−１以下の範囲における赤外線吸収スペクトルの中で最大値を示す第２酸化物前駆体膜６を得る前処理工程と、第２酸化物前駆体膜中に残存する有機成分を除去して、第２酸化物前駆体膜６を非晶質酸化物薄膜８へ変化させる後処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ソース及びドレインにハーフメタルを用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】一方のスピンに対し金属的スピンバンド構造を、他方のスピンに対し半導体的スピンバンド構造をとるハーフメタルからなり、スピン偏極した伝導キャリアを注入する強磁性ソースと、注入されたスピン偏極した伝導キャリアを受けるハーフメタルからなる強磁性ドレインと、強磁性ソースと強磁性ドレインとの間に設けられた半導体層と、強磁性ソースと半導体層との間及び強磁性ドレインと半導体層との間に設けられた金属層と、半導体層に対して形成されるゲート電極と、ソース及びドレインに対して形成された非磁性コンタクトと、を有し、金属層は、半導体層との界面において、ショットキー接合を形成し、非磁性コンタクトのフェルミエネルギーは、それぞれ強磁性ソース及び強磁性ドレインの半導体的スピンバンドのバンドギャップ中を横切るトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。
【解決手段】具体的には、結晶は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅１０μｍであり、半極性方位を有し、 該結晶はｘ線回折により測定される半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．５５°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、脳における有機アニオン性物質の取り込み排出の制御をする蛋白質として有用な脳型有機アニオントランスポーターＯＡＴ３、それをコードする塩基配列を有する核酸、及び、それに対する抗体を提供する。
【解決手段】 本発明は、脳型有機アニオントランスポーターＯＡＴ３、それをコードする塩基配列、及び、それに対する抗体に関する。本発明の脳型有機アニオントランスポーターＯＡＴ３のアミノ酸配列及び塩基配列は、明細書中の配列表に示されている。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】柔軟に屈曲あるいは変形可能でありつつ、曲げあるいは引っ張りによる断線が発生しにくく、断線が発生したとしても応力が解除されることにより導電性を復元させることが可能な配線構造体、センサ、及び前記当該配線構造体の製造方法の提供を目的とした。
【解決手段】センサ１０が備えている配線構造体２０は、ベース層２２、導電層２４、及びカバー層２６を積層させたものである。ベース層２２及びカバー層２６は、柔軟性を有する樹脂素材によって形成されている。また、ベース層２２の表面には、断面形状が波形の凹凸部２８が形成されており、この凹凸部２８の上に導電層２４が積層されている。 （もっと読む）