説明

独立行政法人科学技術振興機構により出願された特許

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【課題】柔物体本来の柔らかさや安全性を損なうことなく簡単に実装することができ、且つ、柔物体に対し加えられた荷重、変形を測定可能なセンサモジュールを提供する。
【解決手段】柔物体の内部に充填されている充填物の中に、センサモジュールを挿入する。このセンサモジュールは、センサモジュールの周囲の充填物で反射される光を検知するように、互いに異なる向きに配置されている複数のフォトリフレクタを有している。そして、複数のフォトリフレクタの出力に基づいて、柔物体に対し加えられた荷重又は変形による充填物の密度の変化を測定する。例えば、クッション60の四隅に4個のセンサモジュール62を挿入する。情報処理装置63は、センサモジュール62から取得した測定結果(ユーザがクッションを押した箇所)に応じて、TV61に対し制御命令を送出する。 (もっと読む)


【課題】光信号を直接不揮発的に記憶する光不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】第1導電型を有する第1半導体層12と、前記第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2半導体層16と、前記第1半導体層と前記第2半導体層とに挟まれ、逆バイアスが印加されることにより受光し、順バイアスが印加されることにより発光する活性層14と、前記活性層の受光する光の強さによって磁化方向が変化する強磁性体層20と、を具備する光不揮発性メモリ。 (もっと読む)


【課題】高速現象を精度よく測定できる、ポンププローブ測定装置を提供する。
【解決手段】ポンププローブ測定装置1は、ポンプ光3aとなる第1の超短光パルス列とプローブ光となる第2及び第3の超短光パルス列3b,3cとを発生させる超短光パルスレーザー発生部2と、第2及び第3の超短光パルス列3b,3cが入射される光シャッタ部6と、ポンプ光3a及びプローブ光3b,3cを試料7に照射する照射光学系8と、試料7からのプローブ信号を検出するセンサー11と、センサー11に接続される位相敏感検出手段12と、を含む検出部20とを備え、光シャッタ制御部10によってポンプ光3aに対するプローブ光3b,3cの遅延時間が周期的に変調されて交互にプローブ光3b,3cとして試料7に照射され、プローブ信号を遅延時間の周期的変調信号に同期して位相敏感検出手段12で検出する。 (もっと読む)


【課題】既存の電極材料と比較してより高い比容量を示し、繰り返し充放電によっても電池性能の劣化することのない蓄電デバイスを製造することのできる電極材料(特にリチウムイオン二次電池の負極材料)を、安価に製造するための方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、4族メタロセンと
アルキルリチウム、アルキルアルミニウム、アルキルマグネシウムおよびアルキルマグネシウムハライドから選ばれるアルキル化剤と
を接触させて得られる触媒ならびに導電性炭素粒子の存在下でSiHを重合して得たポリヒドロシラン/導電性炭素組成物を、不活性雰囲気下で加熱する工程を経ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】非晶質酸化物薄膜の膜質を向上する。
【解決手段】有機成分とInとを含有する第1酸化物前駆体膜4に対して有機成分の熱分解温度未満で有機成分の結合状態を選択的に変化させ、フーリエ変換型赤外分光で測定したときに得られる赤外線吸収スペクトルにおいて、赤外線の波数1380cm−1以上1520cm−1以下の範囲を赤外線の波数1380cm−1以上1450cm−1以下の範囲と赤外線の波数1450cm−1超1520cm−1以下の範囲とに分割したときに、赤外線の波数1380cm−1以上1450cm-1以下の範囲に位置するピークが、赤外線の波数1350cm−1以上1750cm−1以下の範囲における赤外線吸収スペクトルの中で最大値を示す第2酸化物前駆体膜6を得る前処理工程と、第2酸化物前駆体膜中に残存する有機成分を除去して、第2酸化物前駆体膜6を非晶質酸化物薄膜8へ変化させる後処理工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ソース及びドレインにハーフメタルを用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】一方のスピンに対し金属的スピンバンド構造を、他方のスピンに対し半導体的スピンバンド構造をとるハーフメタルからなり、スピン偏極した伝導キャリアを注入する強磁性ソースと、注入されたスピン偏極した伝導キャリアを受けるハーフメタルからなる強磁性ドレインと、強磁性ソースと強磁性ドレインとの間に設けられた半導体層と、強磁性ソースと半導体層との間及び強磁性ドレインと半導体層との間に設けられた金属層と、半導体層に対して形成されるゲート電極と、ソース及びドレインに対して形成された非磁性コンタクトと、を有し、金属層は、半導体層との界面において、ショットキー接合を形成し、非磁性コンタクトのフェルミエネルギーは、それぞれ強磁性ソース及び強磁性ドレインの半導体的スピンバンドのバンドギャップ中を横切るトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性(Al,In,Ga、B)NまたはIII族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。
【解決手段】具体的には、結晶は、(Al,In,Ga,B)NまたはIII族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅10μmであり、半極性方位を有し、 該結晶はx線回折により測定される半値全幅(FWHM)が0.55°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、脳における有機アニオン性物質の取り込み排出の制御をする蛋白質として有用な脳型有機アニオントランスポーターOAT3、それをコードする塩基配列を有する核酸、及び、それに対する抗体を提供する。
【解決手段】 本発明は、脳型有機アニオントランスポーターOAT3、それをコードする塩基配列、及び、それに対する抗体に関する。本発明の脳型有機アニオントランスポーターOAT3のアミノ酸配列及び塩基配列は、明細書中の配列表に示されている。 (もっと読む)


【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体100は、第1の基板1と、第1の基板1の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層2と、多孔層2において第1の基板1が形成されている側の面と反対側の面に形成された第2の基板3とを備え、多孔層2における各孔2aの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔2aを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層2の厚さは、1μmよりも大きくなっている。 (もっと読む)


【課題】柔軟に屈曲あるいは変形可能でありつつ、曲げあるいは引っ張りによる断線が発生しにくく、断線が発生したとしても応力が解除されることにより導電性を復元させることが可能な配線構造体、センサ、及び前記当該配線構造体の製造方法の提供を目的とした。
【解決手段】センサ10が備えている配線構造体20は、ベース層22、導電層24、及びカバー層26を積層させたものである。ベース層22及びカバー層26は、柔軟性を有する樹脂素材によって形成されている。また、ベース層22の表面には、断面形状が波形の凹凸部28が形成されており、この凹凸部28の上に導電層24が積層されている。 (もっと読む)


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