【課題】操作が煩雑でありかつ高価な機器を用いることなく、細胞や薬物のパターニングを、迅速かつ簡便に行う。
【解決手段】二層構造の酸化チタンによって被覆された基板を用いて、基板上に保持された物質の該基板からの放出を光応答性に制御する。上記二層構造の酸化チタンによって被覆された基板は、アナターゼ型酸化チタンを主構成成分とする第一層、および、第一層から成長させた、ルチル型酸化チタンを主構成成分とする複数の針状結晶構造物からなる第二層が固体基材上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】静電容量型トランスデューサーの製造コストを抑制しつつ感度を高める。
【解決手段】基板層（１０１）と、基板層に積層された絶縁層（１０２）と、絶縁層に積層されたシリコン層（１０３）とを含むダイを備え、支持部１１ａと、支持部に少なくとも一辺が結合し基板層の主面と垂直である厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極１１ｂと、基板層の主面と平行な方向において可撓電極と対向し基板層の主面と垂直な側面を有する固定電極１０ａ、１０ｂとがシリコン層によって形成され、支持部と固定電極とが絶縁層によって前記基板層に結合され、可撓電極と基板層との間には絶縁層に対応する空隙（Ｇ）が形成されている、ナノシートトランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】微小空間において微量の液体を輸送する撥水性構造体を提供する。
【解決手段】撥水性構造体（２）は、微細な凸部（１０４）が形成された撥水領域を表面に備える撥水性構造体であって、撥水領域の面積に対する凸部（１０４）の頂面領域の面積の割合が液体の輸送方向に向かって高くなる。 （もっと読む）

【課題】センサユニットと信号処理ユニットとを着脱可能に接合することができ、容量結合によりセンサユニットから信号処理ユニットへ信号を伝送する、非接触信号伝送システムを提供することを目的とする。
【解決手段】
第１の電極と、前記第１の電極に電気的に接続された少なくとも１つのセンサ素子とを含むセンサユニットと、前記第１の電極と容量結合された第２の電極と、増幅器とを含む信号処理ユニットと、を備え、前記センサユニットと前記信号処理ユニットとは、着脱可能である、非接触信号伝送システムを提供する。
さらに、前記少なくとも１のセンサ素子が複数のセンサ素子である場合に、１または複数種類のセンサからなることを特徴とする非接触信号伝送システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】従来のシリコンの水素化物やハロゲン化物を原料ガスとして用いたデポジションに比べ、高速な半導体膜デポジションが可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。
【解決手段】荷電粒子源１と、集束レンズ電極２と、ブランキング電極３と、走査電極４と、試料９を載置するための試料台１０と、荷電粒子ビーム照射により試料９から発生する二次荷電粒子７を検出する二次荷電粒子検出器８と、シクロペンタシランを原料ガスとして収容するリザーバ１４と、原料ガスを試料９に供給するガス銃１１と、を備える荷電粒子ビーム装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】圧力だけでなく温度をも検出できる静電容量型圧力センサを得る。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサ１００は、第１の電極部４が形成されている基板１と、基板１の表面に絶縁体層２を介して形成されている第２の電極部７と、金属間接合によって形成されたボンディング層８を介して第２の電極部７に一部が接続され、圧力に応じて変形するダイアフラム部１０と、絶縁体層２の表面に形成されている少なくとも白金を含む材料からなる温度センサ部２２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ（１）は、溝（１００ａ）と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部（１０１）と厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極（１０４）とが形成されたシリコンからなる基板（１００）と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極（１０３）と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層（１０２）と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】光ピンセットを用いた試料の操作中に、光トラップに影響を与えることなく試料の３次元像を取得できる３次元共焦点観察用装置を提供する。
【解決手段】 共焦点顕微鏡と光ピンセット技術を組み合わせた３次元共焦点観察用装置において、固定の対物レンズと蛍光撮像用カメラとの間に、一方のレンズが光軸方向に移動可能とされている焦点面変位用レンズペアを配置し、かつ、蛍光撮像用カメラにより得られた蛍光共焦点像の歪みを補正する手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】三連四重極質量分析法（TQ-MS）を用いた物質の構造解析方法。
【解決手段】目的物質について、ＣＩＤエネルギーの値を変化させてＴＱ−ＭＳ測定を行い、各ＣＩＤエネルギーの値において、プレカーサーイオン量の総イオン量に対する百分率と、特定のｍ／ｚのプロダクトイオン量の総イオン量に対する百分率とを求め、プレカーサーイオン量の総イオン量に対する百分率の各値を与えるＣＩＤエネルギーの各値における、前記特定のｍ／ｚのプロダクトイオン量の総イオン量に対する百分率の各値を抽出し、前記特定のｍ／ｚのプロダクトイオン量の総イオン量に対する百分率の各値について、全ての組合せの和を求め、プレカーサーイオン量の総イオン量に対する百分率の値をｘとし、かつ前記求めた各組合せの和の値をｙとする関数のうち直線近似できるものを選択し、選択した各関数を与えるプロダクトイオンのｍ／ｚ値から目的物質の構造を解析する。 （もっと読む）

【課題】新規な構造の磁気多層膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＣｏ、ＦｅおよびＢを含む磁性合金からなる強磁性体層５０１，５０５と、強磁性体層上に（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯ５０３と、を有することを特徴とする磁気多層膜。前記磁性合金は、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＢＳｉおよび又はＦｅＣｏＢＰのいずれかである。また、その製造方法は、基板を準備する工程と、基板上にＣｏ、ＦｅおよびＢを含むアモルファス磁性合金からなる層を形成する工程と、アモルファス磁性合金からなる層上にアモルファスＭｇＯ層を形成する工程と、アニール処理を行う工程を有する磁気多層膜の製造方法。 （もっと読む）