説明

独立行政法人科学技術振興機構により出願された特許

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【課題】無磁場下でも磁気記録を行え得る光磁気記録媒体及び光磁気記録方法を提供する。
【解決手段】40K未満の温度領域において、光照射によって記録層3の光照射箇所4に磁化が発生し、その周囲(常磁性状態)との磁化が異なる光照射箇所4(強磁性状態部分)を記録マークとすることで、記録層3に情報を記録できる。かくして、本発明では、外部磁場を用いることなく、記録層3への記録光hνの照射によって当該記録層3の光照射箇所4に磁化を発生させることができ、無磁場下でも磁気記録を行え得る光磁気記録媒体及び光磁気記録方法を提供できる。 (もっと読む)


【課題】操作が煩雑でありかつ高価な機器を用いることなく、細胞や薬物のパターニングを、迅速かつ簡便に行う。
【解決手段】二層構造の酸化チタンによって被覆された基板を用いて、基板上に保持された物質の該基板からの放出を光応答性に制御する。上記二層構造の酸化チタンによって被覆された基板は、アナターゼ型酸化チタンを主構成成分とする第一層、および、第一層から成長させた、ルチル型酸化チタンを主構成成分とする複数の針状結晶構造物からなる第二層が固体基材上に形成されている。 (もっと読む)


【課題】微小空間において微量の液体を輸送する撥水性構造体を提供する。
【解決手段】撥水性構造体(2)は、微細な凸部(104)が形成された撥水領域を表面に備える撥水性構造体であって、撥水領域の面積に対する凸部(104)の頂面領域の面積の割合が液体の輸送方向に向かって高くなる。 (もっと読む)


【課題】センサユニットと信号処理ユニットとを着脱可能に接合することができ、容量結合によりセンサユニットから信号処理ユニットへ信号を伝送する、非接触信号伝送システムを提供することを目的とする。
【解決手段】
第1の電極と、前記第1の電極に電気的に接続された少なくとも1つのセンサ素子とを含むセンサユニットと、前記第1の電極と容量結合された第2の電極と、増幅器とを含む信号処理ユニットと、を備え、前記センサユニットと前記信号処理ユニットとは、着脱可能である、非接触信号伝送システムを提供する。
さらに、前記少なくとも1のセンサ素子が複数のセンサ素子である場合に、1または複数種類のセンサからなることを特徴とする非接触信号伝送システムを提供する。 (もっと読む)


【課題】従来のシリコンの水素化物やハロゲン化物を原料ガスとして用いたデポジションに比べ、高速な半導体膜デポジションが可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。
【解決手段】荷電粒子源1と、集束レンズ電極2と、ブランキング電極3と、走査電極4と、試料9を載置するための試料台10と、荷電粒子ビーム照射により試料9から発生する二次荷電粒子7を検出する二次荷電粒子検出器8と、シクロペンタシランを原料ガスとして収容するリザーバ14と、原料ガスを試料9に供給するガス銃11と、を備える荷電粒子ビーム装置を用いる。 (もっと読む)


【課題】圧力だけでなく温度をも検出できる静電容量型圧力センサを得る。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサ100は、第1の電極部4が形成されている基板1と、基板1の表面に絶縁体層2を介して形成されている第2の電極部7と、金属間接合によって形成されたボンディング層8を介して第2の電極部7に一部が接続され、圧力に応じて変形するダイアフラム部10と、絶縁体層2の表面に形成されている少なくとも白金を含む材料からなる温度センサ部22と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ(1)は、溝(100a)と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部(101)と厚さ1μm未満のシート状の可撓電極(104)とが形成されたシリコンからなる基板(100)と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極(103)と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層(102)と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 (もっと読む)


【課題】光ピンセットを用いた試料の操作中に、光トラップに影響を与えることなく試料の3次元像を取得できる3次元共焦点観察用装置を提供する。
【解決手段】 共焦点顕微鏡と光ピンセット技術を組み合わせた3次元共焦点観察用装置において、固定の対物レンズと蛍光撮像用カメラとの間に、一方のレンズが光軸方向に移動可能とされている焦点面変位用レンズペアを配置し、かつ、蛍光撮像用カメラにより得られた蛍光共焦点像の歪みを補正する手段を設ける。 (もっと読む)


【課題】三連四重極質量分析法(TQ-MS)を用いた物質の構造解析方法。
【解決手段】目的物質について、CIDエネルギーの値を変化させてTQ−MS測定を行い、各CIDエネルギーの値において、プレカーサーイオン量の総イオン量に対する百分率と、特定のm/zのプロダクトイオン量の総イオン量に対する百分率とを求め、プレカーサーイオン量の総イオン量に対する百分率の各値を与えるCIDエネルギーの各値における、前記特定のm/zのプロダクトイオン量の総イオン量に対する百分率の各値を抽出し、前記特定のm/zのプロダクトイオン量の総イオン量に対する百分率の各値について、全ての組合せの和を求め、プレカーサーイオン量の総イオン量に対する百分率の値をxとし、かつ前記求めた各組合せの和の値をyとする関数のうち直線近似できるものを選択し、選択した各関数を与えるプロダクトイオンのm/z値から目的物質の構造を解析する。 (もっと読む)


【課題】新規な構造の磁気多層膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたCo、FeおよびBを含む磁性合金からなる強磁性体層501,505と、強磁性体層上に(001)結晶面が優先配向した多結晶MgO503と、を有することを特徴とする磁気多層膜。前記磁性合金は、FeCoB、FeCoBSiおよび又はFeCoBPのいずれかである。また、その製造方法は、基板を準備する工程と、基板上にCo、FeおよびBを含むアモルファス磁性合金からなる層を形成する工程と、アモルファス磁性合金からなる層上にアモルファスMgO層を形成する工程と、アニール処理を行う工程を有する磁気多層膜の製造方法。 (もっと読む)


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