説明

学校法人常翔学園により出願された特許

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【課題】 鉛を含まない優れた圧電性を示し、特に生体適合性を有する新規な正方晶MgSiO結晶及びその製造方法並びに鉛を含まない生体適合性を有する圧電素子を提供する。
【解決手段】 結晶質下地(シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの)上に、Mg及びSiを酸素の雰囲気中でPVD法(ヘリコン波反応性スパッタリング法など)を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶MgSiO結晶の薄膜を形成する。バッファー層としては格子定数が特定の範囲にあるものが正方晶MgSiO結晶をうる為に必要である。中でも金属又は金属酸化物の薄膜(イリジウム薄膜又は酸化イリジウム薄膜など)を形成したものが好ましい。この正方晶MgSiO結晶の薄膜は、圧電素子として電子デバイスの圧電アクチュエータ、特に医療機器用圧電アクチュエータとして使用できる。 (もっと読む)


【課題】 自動車のアウタパネルやインナパネルへの適用が可能な、プレス成形性を向上させた高MgのAl-Mg 系合金板を提供することを目的とする。
【解決手段】 連続鋳造後に冷間圧延および焼鈍された板厚0.5 〜3mm のAl-Mg 系アルミニウム合金板であって、Mg:8% を超え14% 以下、Fe:1.0% 以下、Si:0.5% 以下を含み、残部の97% 以上がAlからなるとともに、連続鋳造条件や焼鈍条件を制御することにより、Al-Mg 系化合物の平均粒径が10μm 以下であるとともに、このAl-Mg 系化合物の平均面積率を5%以下に少なくし、かつ、板表面の平均結晶粒径が50μm 以下であることとし、成形性を向上させる。 (もっと読む)


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