本発明の実施形態は、一般的に構成部品に関連する慣らし運転期間の必要性を排除すると共に、その摩耗期の構成部品の耐用年数を延長させるために、プラズマ・エッチング工程と、任意の強化超音波とメガソニックの少なくとも一方の前処理段階とを用いて半導体製造用部品を前処理する方法を提供する。
（もっと読む）

前駆体オブジェクトをユニタリセラミックオブジェクトに変換するためのプロセスは、例えば、少なくとも２つの部片から形成される例えばセラミックの光学走査ミラーを製造する。光学セクションが少なくとも１つの光学表面と少なくとも１つの付着表面とを有し、支持セクションが少なくとも１つの付着表面を有し、また好ましくは取付け区域を有する。光学セクション及び支持セクションは、選択された支持セクションが様々なサイズ、形状、又は方向を有する複数の光学セクションのいずれをも受け入れるように、グラファイトなどの前駆体の材料から個別の部片として形成される。ミラーを形成するために、付着表面を互いに隣接して置き、次いでこれらのセクションを炭化珪素などのセラミック材料に同時に変換し、モノリス走査ミラーを形成する。 （もっと読む）

高密度化ＳｉＣ製品の製造方法が提供される。開発された方法によって、近網形状多孔質シリコンカーバイド製品が製造され、高密度化される。多孔質近網形状シリコンカーバイド製品内の細孔の実質的な数を炭素前駆体、シリコンカーバイド前駆体またはその混合物で充填する。炭素前駆体は液体またはガスであることができる。充填ＳｉＣプレホームは加熱され、炭素またはシリコンカーバイド前駆体を、近網形状多孔質シリコンカーバイド製品の細孔内で多孔質炭素またはＳｉＣプレホームに変換する。浸漬／熱分解のサイクルを炭素および／またはシリコンカーバイドの所望の量を達成するまで繰り返す。炭素またはシリコンカーバイド／炭素前駆体の混合物が用いられる場合は、熱分解近網形状シリコンカーバイド製品は不活性雰囲気中で、シリコンと接触される。シリコンは熱分解近網形状シリコンカーバイド製品を通って拡散し、多孔質ＳｉＣプレホームの細孔内に含まれている炭素と反応して、近網形状シリコンカーバイド製品の細孔内にシリコンカーバイドの新しい相を形成する。製造されたシリコンカーバイドは近網形状高密度シリコンカーバイドである。 （もっと読む）

残存する量の遊離炭素及びグラファイトを除去するために炭化ケイ素物を熱処理するための方法を提供する。この方法は、炭化ケイ素物を供給すること及び所定の時間、所定の温度範囲内で炭化ケイ素物を加熱することを含む。加熱は、酸化試薬の存在下で行われる。結果として、一酸化炭素及び二酸化炭素などの気体の生産物が、残存する遊離炭素及びグラファイトを除去するために遊離炭素及びグラファイトを酸化することによって形成された副生産物を含むものとして遊離される。気体は、炭化ケイ素物の加熱の結果として生産される。粒子は、炭化ケイ素物上に酸化被膜を形成させることなく炭化ケイ素物から除去される。結果として、炭化ケイ素物は、実質的に炭素及びグラファイトの封入体がない状態になる。 （もっと読む）

複数の半導体ウェーハを保持する装置においてサポートとして使用するレールが提供される。レールは垂直列に配置された複数の歯を有し、１つの歯の頂面と次に高い隣接歯の底面間のスペースが半導体ウェーハを受け入れるためのスロットを形成するようにされている。ウェーハを支持する支持構造がスロットの底を形成する実質的に全ての歯の頂面上に配置されており、支持構造は側壁および頂面から間隔のとられた上面を有する。各支持構造上で、側壁と上面の各交点に半径が形成される。支持構造は各歯の長さの少なくともおよそ５０％に対して延びている。
（もっと読む）