【課題】 より簡単な方法（プロセス）で且つより低い製造コストで製造できる、貫通導電体を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＳｉＯ₂膜（第１絶縁膜）２３は、シリコン基板１１の貫通孔１４の内側面とシリコン基板１１の裏面を覆うと共に、表面電極１５の裏面に達する透孔３１を貫通孔１４の内部に持つ。配線膜２４は、ＳｉＯ₂膜２３上に所定パターンで形成されると共に、貫通孔１４の内部で透孔３１を介して表面電極１５の裏面に接触せしめられている。外部電極２５は、配線膜２４上に形成されていて、貫通孔１４の内部で配線膜２４の内側に残存する空隙を充填する充填部２５ａを持ち、配線膜２４の貫通孔１４の内部にある部分と充填部２５ａとが、貫通導電体として機能する。 （もっと読む）

【課題】 簡単且つ低コストの構成で固体撮像素子の撮像面（受光面）へのα線の入射を効果的に抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】
撮像面Ｓを有する固体撮像素子１０と、撮像面Ｓの全面を覆うガラスカバー４０と、撮像面Ｓとガラスカバー４０の間に形成された、ガラスカバー４０を固体撮像素子１０に接着する透明な接着剤膜３０とを備える。撮像面Ｓの全面が接着剤膜３０によって覆われていて、撮像面Ｓとガラスカバー４０の間にはキャビティは存在しない。撮像面Ｓを基準とする接着剤膜３０の厚さは、３０μｍ〜１００μｍの範囲に設定されている。撮像面Ｓ上にマイクロレンズアレイ１８が形成されている場合は、接着剤膜３０の屈折率を１．４以下とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 集積回路が内部に形成された半導体基板の一部に対して、当該半導体基板より小さいサイズの半導体基板用に設計された製造設備を用いてパッケージング等の後処理を行うことを可能とするウェハー構造体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】
キャリアウェハー１０と、キャリアウェハー１０の一面に接合されたそれより小さいウェハー片２１と、キャリアウェハー１０上でウェハー片２１の周囲の空間を埋め込む充填材層３０を有する。ウェハー片２１は、キャリアウェハー１０より大きい半導体基板の一部であり、その全体がキャリアウェハー１０の周縁より内側に位置する。充填材層３０の平面形状はキャリアウェハー１０の外形と略同一であり、充填材層３０の厚さはウェハー片２１の厚さと略同一である。キャリア基板ウェハー１０と充填材層３０はウェハー片２１と同等の熱膨張係数を持つ。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体基板を積層した半導体装置において、電極ピッチが微細な場合であっても、電極間の絶縁性を確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
表面に第１の電子回路１５が形成された第１の半導体基板２の裏面に前記第１の電子回路のＩ／Ｏパッド列３が露出するように溝５を設け、前記露出されたＩ／Ｏパッド３毎に電気的に接続された状態で金属柱８を形成し、前記溝５と前記金属柱８を取り囲むように絶縁膜９を形成し、表面に第２の電子回路が形成された第２の半導体基板１１の前記第２の電子回路のＩ／Ｏパッド部１２にはんだ部材１４を形成し、前記金属柱８と前記はんだ部材１４を利用して前記第１の電子回路のＩ／Ｏパッド３と前記第２の電子回路のＩ／Ｏパッド１２とを相互に接続するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫通孔を形成する際の、貫通孔の底部での絶縁層のノッチの発生を抑制し、絶縁層のノッチによる電気的絶縁性の低下や貫通孔の配線層の接続不良を低減することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置１は、第一の面と第二の面を有する半導体基板２と、半導体基板２に設けられ、第一の面と前記第二の面とをつなぎ、半導体基板２の第一の面に対して、ほぼ垂直な側面を有する貫通孔５と、第一の面に設けられ、貫通孔５を覆うと共に貫通孔５の開口径よりも小さい開口径を有する第一の絶縁層３と、第一の絶縁層３上に設けられ、貫通孔５を覆う第一の配線層４と、貫通孔５の内壁部から半導体基板２の第二の面を覆うように設けられた第二の絶縁層６と、第一の絶縁層６の開口部を介し第一の配線層４と内接すると共に貫通孔５および半導体基板２の第二の面の第二の絶縁層６上に亘って設けられた第二の配線層７を備える。 （もっと読む）

【課題】 キャビティ内の結露の発生やリフロー等での実装時におけるパッケージクラックの発生をなくし、かつ圧着をなくしてガラス基板や半導体基板でのクラックの発生をなくすと共に、接合部の信頼性の高い基板の接合方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】 この基板の接合方法は、２枚の基板の間においてこれらの基板を接合する予定部位の箇所に接合部材層を設ける設置ステップと、２枚の基板の少なくとも一方の外側から基板を透過する光線を照射し、光線で接合部材層を加熱する加熱ステップと、加熱した接合部材層で２枚の基板を接合する接合ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を薄化でき、各工程に要する時間を短縮でき、製造コストを低減でき、貫通孔の底部でのノッチの発生を抑制できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置１０は、薄化されかつ所定の位置に開口１４が形成された半導体基板１１と、開口１４の内周側面と半導体基板の裏面に形成された第１絶縁膜１５と、開口に一致する位置に貫通孔２０を有すると共に露出した表面に第２絶縁膜２１が備えられ、かつ第１絶縁膜を介在して半導体基板の裏面に接合される基板１９と、開口および貫通孔を貫通しかつ基板１９の裏面に引き延ばされた貫通配線２２を備える。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサや制御ＩＣから発生する熱による鏡筒内の温度上昇を低減し、イメージセンサや制御ＩＣの誤動作やレンズの歪みが生じにくいカメラモジュールの放熱装置を提供する。
【解決手段】カメラモジュールの放熱装置は、配線１１が形成された基板１２と、基板１２の配線形成面に固定される鏡筒１３と、鏡筒１３の内部に配置されるイメージセンサ１７と、鏡筒１３の側面に設けられかつ配線に接続される熱伝導部材１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱等の影響によっても配線が断線することのないインターポーザとその製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】インターポーザ１を、半導体ウェハWの両表面にそれぞれ刻設された溝５、６の内部に絶縁膜８を介して表面側溝配線２および裏面側溝配線３とを形成し、表面側溝配線２と裏面側溝配線３とを貫通電極４で導通させる。 （もっと読む）

【課題】固片化しても切断面に剥離の生じる虞がない半導体チップとその製造方法、ならびにその半導体チップを搭載した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２の裏面に形成された絶縁膜６と、半導体基板２の厚さ方向の端面に、少なくとも絶縁膜６とこの絶縁膜６と半導体基板２との接合部のそれぞれの端面が露出しないように保護材により覆っている保護層９を形成する。 （もっと読む）