【課題】 消費電力の大きい半導体デバイスを積層してなる積層モジュールであっても、それら半導体デバイスの発熱に伴う温度上昇を抑えて安定に動作させる積層モジュールの実装構造を提供する。
【解決手段】
基板１０上に、インターポーザ３０、第１半導体デバイス１１ｂ及び第２半導体デバイス１２ｂを含む積層モジュール４０と、積層モジュール４０の全体を覆うカバー４２とを搭載する。カバー４２と基板１０で形成される内部空間５０を、カバー４２と基板１０の間に配置された堰５１により、インレット４３に連通する上流側空間とアウトレット４４に連通する下流側空間に区分する。インターポーザ３０のチャネル３１により、上流側空間と下流側空間を相互に連通させる。第１半導体デバイス１１ｂ及び第２半導体デバイス１２ｂは、チャネル３１を通過する流体Ｌにより冷却される。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の大きい半導体デバイスを積層した構成を持つ場合であっても、それら半導体デバイスの発熱に伴う温度上昇を抑えて安定に動作させることができる積層モジュールを提供する。
【解決手段】
積層モジュール４０ｂは、インターポーザ３０ａと、インターポーザ３０ａの片側に配置された１個以上の第１半導体デバイス１１ｂと、インターポーザ３０ａの第１半導体デバイス１１ｂとは反対側に配置された１個以上の第２半導体デバイス１２ｂとを備える。インターポーザ３０ａは、流体が流れるチャネル３１を持つ本体と、そのチャネル３１を画定する本体の内壁の所定領域に配置された熱放射層６１ｂ及び熱反射層６１ａの少なくとも一方とを有する。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の大きい半導体デバイスを積層した構成を持つ場合であっても、それら半導体デバイスの発熱に伴う温度上昇を抑えて安定に動作させることができる積層モジュールを提供する。
【解決手段】
積層モジュールは、流体が流れるチャネル７１を持つインターポーザ７０と、インターポーザ７０の片側に配置された１個以上の第１半導体デバイスと、インターポーザ７０の第１半導体デバイスとは反対側に配置された１個以上の第２半導体デバイスとを備える。インターポーザ７０のチャネル７１は、断面積が相対的に小さい第１領域と、断面積が相対的に小大きい第２領域とを有していると共に、前記第１領域から前記第２領域へ移動する途中で流体が断熱膨張を引き起こすように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 二つの熱源の間に配置した際に、それら熱源間での熱伝導をより効果的に抑制することができるインターポーザを提供する。
【解決手段】 インターポーザ２４は、真空に維持されたキャビティ２３を有する本体と、本体の上壁２０ａと下壁２０ｂにそれぞれ形成された絶縁層２２ａ及び２２ｂと、絶縁層２２ａ及び２２ｂの上にそれぞれ形成された熱反射層２１ａ及び２１ｂとを備える。インターポーザ２４は、その上下に搭載された半導体デバイス１１ａと１２ａの間を熱的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の大きい半導体デバイスや電子部品の発熱に伴う温度上昇を抑えて、安定に動作させることができる半導体デバイス・電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】 インターポーザ１０と，インターポーザ１０の表面１０ａに搭載された半導体デバイス１１と、半導体デバイス１１を包含するようにインターポーザ１０の表面１０ａに密着・固定せしめられて、インターポーザ１０と共に内部空間Ｓを形成するカバー１２を備える。カバー１２は、熱を吸収する流体Ｌを外部から内部空間Ｓに導入するインレット１３と、流体Ｌを内部空間Ｓから外部に排出するアウトレット１４とを有する。内部空間Ｓは、インレット１３とアウトレット１４を除いて閉じた空間である。 （もっと読む）

【課題】 三次元積層構造を持つ半導体装置において、積層された半導体回路層間の積層方向の電気的接続を、埋込配線を使用して容易に実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１半導体回路層１ａの半導体基板１１の表面に、絶縁膜１４で内壁面が覆われたトレンチ１３を形成し、トレンチ１３の内部に導電性材料を充填して導電性プラグ１５を形成する。次に、トレンチ１３とは重ならないように所望の半導体素子を基板１１の表面または内部に形成し、その上に層間絶縁膜１９を介して多層配線構造３０を形成してから、多層配線構造３０の表面にプラグ１５に電気的に接続されたバンプ電極３７を形成する。そして、電極３７を用いて基板１１を支持基板４０に固定してから基板１１をその裏面側から選択的に除去し、絶縁膜１４を基板１１の裏面側に露出させる。基板１１の裏面側に露出せしめられた絶縁膜１４を選択的に除去してプラグ１５を露出させ、その端に電極４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに安定した電源電流を供給したり、電源から信号系へ混入する雑音を低くするための、半導体デバイスの電源流入及び電源流出端子の端子数の低減と、前記半導体チップを搭載した実装面積の低減を可能とする半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体チップ２０の両面に電源系と信号系の電気的接続端子を振り分けて配置する。大電流が流れる流路の許容電流値を大きくする構成により、少ない端子数でも安定な電源供給が可能、信号系への雑音混入を低減、ピン数の低減による実装面積の低減、放熱効果の増大などが可能となる。また、この半導体チップ２０を搭載した半導体モジュールにより、大電流が流れる高速動作でも安定した特性を実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを積層化した構造で、低背化が可能な手段を提供する。
【解決手段】半導体デバイス１０の導電体１２に複数の微小な金属塊１３を形成、樹脂よりもヤング率が大きい半導体インターポーザ１５の導電体１７に複数の微小な金属塊１８を形成しフリップチップ接続することで、導電体同士が微少な金属塊で接続されることになり低背化が達成された。また、積層化プロセスが容易になるように、前記金属塊の形状、大きさ、配置などを最適化した。 （もっと読む）

【課題】高密度実装では占有面積の低減と低背化がキーとなっている。半導体デバイスを積層化した構造は高密度実装に適しているが、強度確保のための樹脂インターポーザの厚さ、上下のデバイスを電気接続する導電ボールの大きさ、ワイヤボンディングのための空間確保などにより、低背化が制限されていた。このための半導体デバイスを低背化して実装可能とする技術を提供する。
【解決手段】樹脂よりもヤング率が大きい半導体インターポーザの採用、電気接続を複数の微小な金属塊１３から成る導電路２０で形成、フリップチップ構成の採用などにより、低背化が達成された。また、前記金属塊の形状、大きさ、配置などを最適化することにより、積層化プロセスが容易になった。 （もっと読む）

【課題】高密度実装では占有面積の低減と低背化がキーとなっている。半導体デバイスを積層化した構造は高密度実装に適しているが、強度確保のための樹脂インターポーザの厚さ、上下のデバイスを電気接続する導電ボールの大きさ、ワイヤボンディングのための空間確保などにより、低背化が制限されていた。
【解決手段】樹脂よりもヤング率が大きい半導体インターポーザの採用、電気接続を複数の微小な金属塊から成る導電路で形成、フリップチップ構成の採用などにより、低背化が達成された。また、前記金属塊の形状、大きさ、配置などを最適化することにより、積層化プロセスが容易になった。 （もっと読む）