【課題】 Ｘ線マッピングされた画像から特定元素に関して所定濃度以上の部位等を容易にかつ直接的に認識でき、特定することが可能なＸ線分析装置等を提供すること。
【解決手段】 試料Ｓ上に放射線を照射するＸ線管球２と、特性Ｘ線及び散乱Ｘ線を検出しそのエネルギー情報を含む信号を出力するＸ線検出器３と、信号を分析する分析器５と、予め設定されたマッピング領域Ｍ内で試料Ｓに対して照射ポイントを相対的に移動可能な試料ステージ１と、特定の元素に対応したＸ線強度を判別し、該Ｘ線強度に応じて色又は明度を変えた強度コントラストを決定して照射ポイントに対応した位置に画像表示するＸ線マッピング処理部６と、を備え、該Ｘ線マッピング処理部６が、予め組成元素及びその濃度が既知の標準物質７について判別したＸ線強度を基準にして、照射ポイントにおけるＸ線強度の強度コントラストを決定する。 （もっと読む）

【課題】原子間力顕微鏡を用いたポリマーの解析処理を行うとき、精度の高い解析結果を得る。
【解決手段】ポリマーの解析処理を行うとき、原子間力顕微鏡の非接触モードを用いてポリマーの位相データを取得する。位相データから得られる位相画像の中で、注目する基準部位を設定し、位相画像の各部分の位相データから注目する基準部位の位相データを差し引くことにより相対的位相データを算出する。この相対的位相データを用いて、ポリマーの解析、例えばポリマーのガラス転移温度や融点の温度や結晶化温度を求める。 （もっと読む）

【課題】1200kFCI以上の記録密度の磁気記録媒体を観察可能な分解能を有する走査型磁気力顕微鏡用探針及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブ用強磁性合金成膜方法の提供。
【解決手段】Co-Fe系合金、Co-Ni系合金の何れか１種からなる強磁性合金層により表面の少なくとも一部を被覆されたカーボンナノチューブを少なくとも含み、該強磁性合金層の算術平均表面粗さ（Ra 10μm）が、1.15nm以下に規制された走査型磁気力顕微鏡用探針、並びに該強磁性体合金層の成長速度を1.0〜2.5nm/minの範囲に制御することにより、該平均表面粗さを達成した走査型磁気力顕微鏡用探針の製造方法、並びにカーボンナノチューブに対する強磁性合金成膜方法。 （もっと読む）

【課題】ステージを傾けることなく薄片試料を試料ホルダに固定でき、スループットを高めてより短時間で効率良くＴＥＭ試料を作製すること。
【解決手段】ステージ上に載置された試料Ｓから薄片試料２を取り出した後、該薄片試料を試料ホルダ３に固定してＴＥＭ試料１を作製する方法であって、集束イオンビームによるエッチング加工により試料を穴掘りし、平面視矩形状に形成された薄片本体２ａと該薄片本体の側面の一部から側方に向けて突出した突出部２ｂとで一体的に形成された薄片試料を作製する工程と、薄片試料を試料ホルダの近傍まで移動させる工程と、突出部が試料ホルダの表面に接触するように薄片試料を試料ホルダに接触させる工程と、原料ガスを突出部の周辺に供給しながら該突出部の近傍に向けて集束イオンビームを照射して、デポジション膜Ｄにより突出部と試料ホルダとを固定する工程と、を備えているＴＥＭ試料作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ドリフトがあっても高さ制御性の良い原子間力顕微鏡を用いた加工方法を提供する。
【解決手段】 時間が短く極端に大きくない範囲での熱ドリフト量は、線形で近似できる。そこで、主に熱ドリフトの寄与を補正する。時間差をおいた２回の高さ測定から高さ方向のドリフト速度を算出し、加工開始時にドリフトによる高さずれを予測したガラス基板の高さに設定して高さを固定したままＡＦＭ探針で機械的な加工で黒欠陥を除去する。もしくは時間差をおいて高さ測定を行って高さ方向のドリフト速度を算出し、ドリフト速度が５ｎｍ／ｍｉｎ以下に収束した後、ガラス基板の高さに設定・固定したままＡＦＭ探針で機械的な加工を行い黒欠陥を除去する。 （もっと読む）

【課題】 原子間力顕微鏡を用いた微細加工装置において、探針を有するカンチレバーに横振動を与えつつも、高精度な加工を可能とする微細加工方法の提供を目的とする。
【解決手段】 横振動加工の適用の際、その設定振幅と実振幅とに生じる差異を補正するために、それらの関係における対応係数を予め求めておき、指定した加工領域１と実際に加工される領域３が一致するようにする。横振動周波数の増減による実振幅との関係についても、同様に対応係数を予め求めておき、指定した振動周波数による指定した加工領域１と実際に加工される領域３が一致するようにする。 （もっと読む）

【課題】自ら積極的に撓んで変形できること。
【解決手段】基端側が本体部１０ｃに支持されたレバー部１０ｃと、該カンチレバーに形成され、電圧の印加によって発熱し、該発熱による熱膨張によってレバー部１０ｃを変形させる抵抗体１１と、を備えているカンチレバー２を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、デバイスの分析したいところを局所的に切出して針状突起にする試料予備加工の技術を提示すると共に、後述する事情の中で小さな蒸発電界の元素層を含む多層構造の試料であっても順次の安定したイオン蒸発を可能とし、原子レベルのＳＡＰ分析を可能とする技術を提供することにある。
【解決手段】本発明のアトムプローブ装置用試料の予備加工は、ＦＩＢ装置を用いて試料所望観察部位をブロック状に切り出すステップと、該ブロック状の切り出し試料を試料基板上に移送して固定するステップと、該試料基板上に固定されたブロック状の試料をＦＩＢエッチング加工によって針先形状に加工するステップとからなる。また、針先形状に加工された試料は多層構造の層方向が針の長手方向に平行となるように形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線分析装置において、既知なＸ線をモニターする必要が無く、高エネルギー分解能を得ること。
【解決手段】 Ｘ線を受けてそのエネルギーを温度変化として検出し電流信号として出力するＴＥＳ１を有するセンサ回路部２と、該センサ回路部２に定電圧を印加してバイアス電流を流すバイアス電流源３と、ＴＥＳ１に流れる電流を検出する電流検出機構４と、該電流検出機構４に接続され検出された電流に基づいて波高値を測定する波高分析器５と、電流検出機構４に接続されバイアス電流によってＴＥＳ１に流れるベースライン電流を検出するベースラインモニター機構６と、該ベースラインモニター機構６で検出したベースライン電流が既定値からずれて変動している場合にその変動幅に応じてベースライン電流を修正するためにバイアス電流を調整するバイアス電流調整機構７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】断面および観察対象断面が所定位置に配置された複数の断面像を取得することが可能な、画像取得方法を提供する。
【解決手段】断面像撮影工程（Ｓ５２）の前に、観察対象断面以外の領域をＥＢ走査してリファレンスマーク画像を撮影するマーク画像撮影工程（Ｓ４２）と、撮影されたリファレンスマーク画像をリファレンスマーク基準画像と比較して、所定時点に対する現在のＳＥＭドリフト量を算出するドリフト量算出工程（Ｓ４４）と、所定時点に対する現在の観察対象断面のオフセット量を算出するオフセット量算出工程（Ｓ４６）とを有し、断面像撮影工程（Ｓ５２）では、所定時点におけるＥＢ走査領域をＳＥＭドリフト量およびオフセット量に基づいて補正し、断面像を撮影する構成とした。 （もっと読む）