説明

株式会社日立ハイテクサイエンスにより出願された特許

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【課題】 材料や複合電子部品などに含まれる有害物質の検査において、X線マッピング分析された画像から、正常か異常かを視覚的に判断することを可能とする、X線分析装置及びX線分析のマッピング方法を提供する。
【解決手段】 X線分析装置にて、予め正常であることが確認されている試料のX線マッピング像を参照マッピング像として取得しておく。検査する試料のマッピング分析を行い参照マッピング像と画素毎に差分を求め差分マッピング像を表示する。指定元素を基準より多く含まれる場所が、高輝度で表示されるため、異常個所を簡単に見つけることができる。 (もっと読む)


【課題】複雑な調整機構を用いることなく安定したビームの照射を図ること。
【解決手段】針状のチップ1と、チップ1にガスを供給するイオン源用ガスノズル2とイオン源用ガス供給源3からなるガス供給部と、チップ1との間で電圧を印加し、チップ1の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極4と、イオンを試料13に向けて加速させるカソード電極5からなるイオン銃部19を備え、イオン銃部19とレンズ系の間に配置された第二のアパーチャ10と、試料13にイオンビーム11を集束させる集束レンズ電極6と対物レンズ電極8からなるレンズ系を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】試料内部の結晶方位情報を容易に取得可能にすることを図る。
【解決手段】試料11に電子ビーム1aを照射するための電子ビーム鏡筒1と、試料11を支持する試料台3と、試料11から放出される後方散乱電子を検出するための散乱電子検出器6と、試料11に集束イオンビーム2bを照射するための集束イオンビーム鏡筒2とを有する電子顕微鏡を提供する。 (もっと読む)


【課題】表面に大きな凹凸部を有する試料であっても集束イオンビームで縦筋の少ない断面を形成すること。
【解決手段】試料に第一の断面を形成する工程と、第一の断面と交差する第二の断面を集束イオンビームで形成する工程とを含む試料加工方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 カーボンナノチューブに代表されるナノチューブを微細な構造物に設ける際に、該構造物の機能性能を損なうことなく設けることが可能な、ナノメータスケールの構造物を作製する方法の提供。
【解決手段】 ナノチューブを所定の位置で所定の方向に配置し、ナノメータスケールの構造物を作製する方法において、集束エネルギービームを試料に照射して、所定箇所をエッチングし基板を平坦化する第1の工程と、集束エネルギービームの照射による有機ガスの分解によって、該平坦化した位置に柱状構造物を形成する第2の工程と、該柱状構造物に触媒を付着させる第3の工程と、気相成長法により、該柱状構造物の成長方向に沿ってナノチューブを成長させる第4の工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】微小領域の誘電率測定において、探針先端と試料とを接触することを検出することで、探針先端形状の変化を回避可能とするSNDMの誘電率の測定方法及びSNDMを提供する。
【解決手段】探針1又は測定する試料2をZ方向に二種類の周波数で所定の振幅による励振を作用させつつ静電容量の測定を行い、その励振振幅で差分することで、静電容量の微分値(微分容量)と二階微分値(二階微分容量)を測定できる。この二階微分容量の距離依存性を計測することで、探針と試料とが接触することを検出できる。また、探針と試料とが接触した瞬間の静電容量を計測することができる。また、映像電荷法に基づく比誘電率と前記静電容量との理論カーブを採用して、誘電率既知の試料による校正カーブを取得ることで、誘電率未知の試料の任意の微小領域の誘電率を求めることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、探針と試料表面に空隙を設けた場合、微小な空隙の変化で非線形誘電率信号が大きく変化することが理論解析により予測されることに基き、この現象を利用して超高感度な垂直方向距離センシングに用いる非線形誘電率顕微鏡を開発し、提供することにある。
【解決手段】本発明の走査型非線形誘電率顕微鏡による超高感度距離計測方式は、背面に電極を配置した誘電体表面に、微小空隙を介して対峙する導電性の探針を配設し、前記誘電体に対して表面に垂直方向に低周波の交番電界を印加しつつ前記探針直下の容量の容量変化を検出するものであって、探針と誘電体物質の間に探針先端半径aで規格化した空隙H=(h/a)が生じた場合の信号強度がΔC/Vn−2=ε(n)Snl(ε(2),H)/an−3で表せることに基き、誘電体物質に対して針先半径の小さい探針を組み合わせるよう構成した。 (もっと読む)


【課題】カンチレバーを利用した微小領域のSNDMによる誘電率の定量測定時に、カンチレバーのレバー部等が受ける浮遊容量の影響により探針のみによる静電容量の測定が困難であった。
【解決手段】探針又は測定する試料をZ方向に所定の振幅による励振を作用させつつ静電容量の測定を行い、その励振振幅で差分することで、探針及びカンチレバーのレバー部等と、各々の試料表面間距離との関係における静電容量の微分値(微分容量)を測定できる。この方法により得られた探針及びカンチレバーのレバー部等についての微分容量の差分から、探針のみによる微分容量を分離取得でき、高さ方向の任意の2点間の微分容量の差分から微分容量変化を取得できる。また、映像電荷法に基づく比誘電率と前記微分容量変化の理論カーブを採用して、誘電率既知の試料による校正カーブを取得ることで、誘電率未知の試料の任意の微小領域の誘電率を求めることができる。 (もっと読む)


【課題】SEM装置を有しない集束イオンビーム装置により断面加工観察を効率よく連続実施が可能な断面加工観察装置の提供。
【解決手段】集束イオンビームによるエッチング加工で試料に断面を形成し、集束イオンビームによる断面観察で断面観察像を取得し、断面を含む領域をエッチング加工して新たな断面を形成し、新たな断面の断面観察像を取得する断面加工観察方法において、試料上のマークと断面を含む領域に集束イオンビームを照射し表面観察像を取得し、表面観察像でマークの位置を認識し、マークの位置を基準にして新たな断面を形成するための集束イオンビームの照射領域を設定して試料断面のエッチング加工を行うことを特徴とする断面加工観察方法を用いる。 (もっと読む)


【課題】熱分析装置において、測定試料の観察窓を設けた場合は、該観察窓部からの熱の出入りによる影響により、測定精度に対して影響を受ける。
【解決手段】観察窓11aを透明部材による積層構造とし、更に該積層間に間隙層を設けて熱の出入りをしにくくする。また、この間隙層に断熱性の高い気体や固体を採用し、該観察窓11aの断熱性を更に向上させる。熱分析装置における測定試料の加熱等による変化を目視で観察しつつ、より精度の高い熱的な変化あるいは物理的な変化を得る。 (もっと読む)


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