【課題】純金属ターゲットで反応性スパッタリング方法を用いて作製されたフッ化物及びフッ素をドープした酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】純金属のターゲット材料２を用い、反応性スパッタリング方法により作製された、高屈折率のフッ素ドープ酸化金属薄膜及び低屈折率のフッ化金属薄膜を備える深紫外光メッキ膜４であって、フッ素ドープ酸化金属薄膜は、ターゲット材料２からはじき飛ばされた金属原子が酸素ガスと結合することにより、金属酸化物が形成され、その金属酸化物が、フッ素を含むガスからはじき飛ばされたフッ素（Ｆ）イオンとフッ素（Ｆ）励起態原子と反応して堆積して形成されものである。また、フッ化金属薄膜は、フッ素を含むガスを励起してはじき飛ばされたフッ素（Ｆ）イオンとフッ素（Ｆ）励起態原子がターゲット材料に衝突し、金属原子がはじき飛ばされ、その金属原子と反応して堆積して形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】純すずターゲット材料がマグネトロンスパッタ法を利用したフッ素ドープ酸化すず薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】高純度すずをマグネトロンスパッタリングのターゲット材料として、マグネトロンスパッタの生産プロセスにおいて、反応ガス四フッ化炭素（ＣＦ_４）と酸素（Ｏ_２）を導入する。四フッ化炭素（ＣＦ_４）は、作業ガスによって励起されるプラズマがフッ化物（Ｆ）イオンとフッ化物（Ｆ）励起状態原子を分離し、すずターゲット材料と合わせて、基板上にフッ素ドープ酸化すず薄膜を形成することにより、生産コストを軽減でき、フッ素ドープ酸化すず薄膜の品質を向上できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、わざわざ光学センサの取付け、太陽軌道の公式の計算、機械構造の定期的な校正をしなくても、太陽の位置を常に追尾可能な太陽追尾方法に関する。
【解決手段】この太陽追尾方法は、（Ａ）太陽電池装置の姿勢が変わった場合、最大電力追尾制御装置における電力素子の切替を常に合わせて、短絡電流測定装置で短絡電流の測定と記録をし、直接に短絡電流測定装置で短絡電流の測定と記録をし、又は最大電力追尾制御装置の電力測定装置で出力電力の測定と記録をするステップと、（Ｂ）記録された短絡電流又は出力電力の極大値を算出するステップと、（Ｃ）モータ駆動装置の駆動で、太陽電池装置をこの短絡電流又は出力電力の極大値に対応する姿勢に調整するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】動的干渉計を使用した薄膜形成監視方法の提供。
【解決手段】動的干渉計（dynamic interferometer）を用いた薄膜成長リアルタイム監視方法が開示される。光学監視により成長薄膜スタックの反射係数の時間的位相変化を抽出する。該動的干渉計（dynamic interferometer）は、振動と乱気流の影響を排除し、直接的に成長薄膜スタックの変動位相を検出する方法に使用される。反射率或いは透過率測定と組み合わせて、監視光の垂直入射下でのリアルタイム反射係数が光学アドミタンスと同様に見つけられ、これにより薄膜成長の誤り補償強化に供される。 （もっと読む）

【課題】光学マルチ波長インターフェロメトリーを使用した薄膜素子測定方法の提供。
【解決手段】光学マルチ波長インターフェロメトリー使用の薄膜素子測定方法が開示される。本発明は異なる波長での薄膜の反射係数を使用して薄膜の厚さと光学定数を測定する。試験表面と参考表面の間の反射位相差由来の位相差は異なる波長での測定を行うことで参考光束と試験光束の間の空間経路差に由来する位相差と区別され、なぜならそれらは測定波長変化に伴い異なった変化を示すためである。反射位相がそれから得られる。薄膜の測定反射率と結合され、薄膜の反射係数が得られる。各点の反射係数が収集され、該薄膜の厚さと２次元の光学定数分布が計算される。表面輪郭が、参考光束と私見光束の間の空間経路差を通して知られる。これらは動的干渉計で測定されて振動影響が回避される。 （もっと読む）

【課題】光導波路構造の全反射信号伝送技術を利用する、簡単な半導体製造工程により製造でき、簡単に取り付けられ、部品の配置精度を有効に制御できる電気−光カプラモジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板と、細長いトレンチ構造と、リフレクタと、薄膜と、光−電気信号変換デバイスと、光導波路構造と、を含む電気−光カプラモジュールである。細長いトレンチ構造は、半導体基板中に形成され、かつリフレクタは、細長いトレンチ構造の一端に形成される。光導波路構造及び薄膜は、細長いトレンチ構造の表面上に形成され、かつ光−電気信号変換デバイスは、細長いトレンチ構造のリフレクタに対応するように半導体基板上に配置される。電気信号を光信号に変換した後、光導波路構造に送信し、リフレクタにより反射された後、光導波路構造に沿って伝送し、又は逆に光導波路構造から送ってきた光信号を受信して電気信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光導波路構造の全反射信号の伝送技術を利用し、より簡単な半導体製造工程により送信端モジュールまたは受信端モジュールを製造することができる。
【解決手段】本発明は、電気信号または光信号に対する変換および伝送に応用する、光導波路構造を有する信号伝送モジュールであって、半導体基板と、第１膜層と、電気信号伝送デバイスと、光電気信号変換デバイスと、第２膜層と、光導波路構造と、を含む信号伝送モジュールである。その中、光電気信号変換デバイスは、電気信号または光信号を対応光信号または対応電気信号に変換する。光導波路構造のリフレクタの位置は、光電気信号変換デバイスに対応する。また、対応光信号は、第１膜層と、半導体基板と、第２膜層とを通り抜け、光導波路構造に入って伝送され、または光信号は逆方向で伝送されて光電気信号変換デバイスにより受信され対応電気信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程と光導波路構造の全反射信号伝送の技術を利用し、簡単かつ容易に異なる平面での電子素子層と光子素子層が完成できる。
【解決手段】光学伝送モジュール３は、半導体基板３０と、半導体基板３０の第一表面３０１に形成される第一膜層３１と、半導体基板３０の第二表面３０２に形成され、第一電気信号Ｅ１を光信号０１に変換した後に送信する電子素子層３３と、第一膜層３１に形成され、第一反射面３６３と、光導波路構造主体３６０と、第二反射面３６４とを含む光導波路構造３６と、を含み、光信号０１は半導体基板３０と第一膜層３１を通り抜け、光導波路構造３６に入り、第一反射面３６３により反射されて光導波路構造主体３６０の中で伝送され、また第二反射面３６４により反射されて第一膜層３１と半導体基板３０とを通り抜け、電子素子層３３によって受信され、さらに光信号０１が第二電気信号Ｅ２に変換される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスの光線を非共用表面に屈折させ、且つ光線が所定の方向へ調整させ、所定の位置へ集光させるものを同時に実現することができるパッケージベース及びその成形方法を提供する。
【解決手段】パッケージベースの成形方法であって、１つの表面を含む半導体基板を提供するステップと、前記半導体基板の表面にエッチング窓口が形成される第一マスク層を形成し、前記エッチング窓口の１つの側壁の方向と半導体基板の結晶格子の方向との間の傾斜角度が０〜４５度或いは４５〜９０度になるようにするステップと、前記第一マスク層と前記エッチング窓口を通して前記半導体基板に対して異方性エッチング（selected anisotropic etching）を実施して前記半導体基板の上に前記エッチング窓口の１つの側壁の方向に沿う傾斜面を形成するステップと、前記傾斜面にマイクロ屈折構造を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べて、より加工しやすく、発色効率が高く、安定性が高く、応答が速く、そしてＲＧＢ三原色を表示可能なポリマー材料が求められる。
【解決手段】化学構造の化学式１で示すエレクトロクロミック機能を備えた複合ポリマー。


式中、ｍは１〜４、ｐは０〜３、ｎは３〜１００００であって、
Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ−Ｈ、−Ｃ_ａＨ_２ａ+１、−ＯＣ_ａＨ_２ａ+１、−ＳＣ_ａＨ_２ａ+１、−Ｎ（Ｃ_ａＨ_２ａ+１）_２または−[Ｏ（Ｃ_ａＨ_２ａ）_２]_ｂであり、ここで、ａ=１〜１５、ｂ=１〜５であり、
Ｘは不飽和基である。 （もっと読む）