【課題】歪みを有する薄膜半導体結晶層と前記薄膜半導体結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜半導体結晶層の歪みを測定する方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明による方法を実施する薄膜半導体結晶層の歪みを測定する装置は、可視光と紫外光を励起光として共通光軸で発生できる励起光源（１〜５）を備えている。顕微鏡室７には試料１１を支持するステージ１２が設けられている。投射光学系８，９，１０は、ステージ１２に支持された試料１１に前記励起光を投射する。分光器１８に設けられた分光手段は試料１１からの各ラマン散乱光をそれぞれ分光する。演算手段は、前記分光手段の出力から前記薄膜半導体結晶層の歪みを演算する。 （もっと読む）

【課題】歪みを有する薄膜半導体結晶層と前記薄膜半導体結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜半導体結晶層の歪みを測定する方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明による方法を実施する薄膜半導体結晶層の歪みを測定する装置は、可視光と紫外光を励起光として共通光軸で発生できる励起光源（１〜５）を備えている。顕微鏡室７には試料１１を支持するステージ１２が設けられている。投射光学系８，９，１０は、ステージ１２に支持された試料１１に前記励起光を投射する。分光器１８に設けられた分光手段は試料１１からの各ラマン散乱光をそれぞれ分光する。演算手段は、前記分光手段の出力から前記薄膜半導体結晶層の歪みを演算する。 （もっと読む）

【課題】歪みを有する薄膜結晶層と前記薄膜結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜結晶層の歪みを測定する歪み測定装置を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜結晶層の歪みを測定する装置は、可視光と紫外光を励起光として共通光軸で発生できる励起光源（１〜５）を備えている。顕微鏡室７には試料１１を支持するステージ１２が設けられている。投射光学系８，９，１０は、ステージ１２に支持された試料１１に前記励起光を投射する。分光器１８に設けられた分光手段は試料１１からの各ラマン散乱光をそれぞれ分光する。演算手段は、前記分光手段の出力から前記歪みと支持層の状態を演算する。 （もっと読む）

【課題】スペクトル分解能を損なわずに遠隔波長域にある複数のスペクトルを同時に測定する分光装置を提供する。
【解決手段】本発明による装置は、ツェルニー・ターナー形分光装置で、少なくとも入射スリットを形成するスリット板１，コリメータ鏡２，グレーティング３，複数のカメラ鏡４，５，入射スリット共役面に配置される検出器８がこの順で配置されており、離間した波長域に同時に現れる第１および第２のスペクトルを同時に測定するための分光装置である。第１スペクトル用の第１カメラ鏡４と検出器８との間に設けられた第１の光路調整手段６と、第２スペクトル用の第２カメラ鏡５と検出器８との間に設けられ、前記第２のスペクトルを検出器８上に結像した前記第１のスペクトルに近接して結像させる第２の光路調整手段７を備えている。 （もっと読む）