【課題】ウエハ等の基板に設けられた縦孔内に、脱落、抜け等を生じることなく、完全充填された縦導体充填構造を提供すること。
【解決手段】基板１の厚み方向に設けられた縦孔３内に縦導体５を充填した縦導体充填構造であって、孔開口端が内側に突出する凸縁３１となっており、凸縁３１−３１間で見た孔径Ｄ１が、孔内壁面３−３間で見た内径Ｄ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】低温分散系機能性材料を用いて、微細空間内に空隙、隙間、または空洞のない機能部分を形成する方法を提供する。
【解決手段】熱溶解性を有する機能性微粉末５２を、液状分散媒５１中に分散させた分散系機能性材料５を、微細空間３内に充填する。次に、微細空間３内の液状分散媒５１を蒸発させる。次に、熱処理により機能性微粉末５２を熱溶解させた後、加圧しながら冷却する。 （もっと読む）

【課題】ウエハに設けられた微細孔内に流動性充填材を、より確実に充填し得、しかも、ウエハ上から充填材残渣を取り払い得る充填方法、そのための充填装置及びウエハを提供すること。
【解決手段】ウエハ７に存在する微細孔７３内に流し込まれた流動性充填材９を、加圧手段１，３により加圧する工程において、ウエハ７の受圧面７１に対する流動性充填材９の表面張力と、加圧手段１，３の加圧面３１１に対する流動性充填材９の表面張力とを互いに異ならせる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板、半導体回路素子または絶縁層にクラックが発生することのない高信頼度のＴＳＶを有する半導体基板、電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極を囲む環状の溝に形成された絶縁層３は、シリカ微粒子３１１と、シリカ微粒子３１１−３１１間に生じる隙間に浸透してこれを埋めるナノ結晶またはナノアモルファスのシリカ３２０とからなるナノコンポジット構造である。 （もっと読む）

【課題】導電性、電気化学的安定性、耐酸化性、充填性、緻密性、機械的・物理的強度に優れ、しかも基板に対する接着力・密着力の高い高品質・高信頼度のメタライズ配線を有する電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１１は、所定のパターンを有するメタライズ配線１２を有している。メタライズ配線１２は、メタライズ層１２１と、絶縁層１２２とを含んでいる。メタライズ層１２１は、高融点金属成分と低融点金属成分とを含み、高融点金属成分及び低融点金属成分が互いに拡散接合している。絶縁層１２２は、メタライズ層１２１と同時に形成されたもので、メタライズ層１２１の外面を覆っている。電子部品１４は、メタライズ配線１２のメタライズ層１２１に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗の低い貫通電極構造、または、放熱特性に優れた熱伝導路を有する電子機器用基板及びそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１は、複数の貫通電極２及び柱状ヒートシンク３の少なくとも一方を有する。貫通電極２は、カーボンナノチューブを含有し、基板１に設けられたビア２０を鋳型とする鋳込み成形体でなる。柱状ヒートシンク３は、基板に設けられたビア３０を鋳型とする鋳込み成形体でなり、炭素原子構造体を含有する。 （もっと読む）

【課題】放熱特性に優れた熱伝導路を有する放熱部材及びそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】放熱部材において、柱状ヒートシンク３は、凝固金属体でなり、凝固金属体は、基板１に設けられた孔３０を鋳型として孔３０の内部で凝固され、孔３０を充たし、孔３０の側壁面に密着している。しかも、孔３０の内部で凝固され、孔３０の側壁面に密着した凝固金属体は、巣、空隙、空洞のない緻密な構造を持つようになるから、熱伝導性及び放熱特性に優れた柱状ヒートシンク３となる。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を向上し得る照明装置、ディスプレイ、及び信号灯を提供する。
【解決手段】本発明に係る照明装置は、矩形状の支持基板１と、この支持基板１にマトリックス状に配列された複数の発光デバイス２とを含む。各発光デバイス２は、所定の色相の光を発する発光素子３と、発光素子３を電気的に接続するための２個の貫通電極１２ａ，１２ｂと、放熱のために発光素子３の周囲に配置された複数の柱状ヒートシンク１１とを有する。各発光素子３は、支持基板１の板面に形成された凹部１０内に設けられている。柱状ヒートシンク１１は、支持基板１の厚み方向に貫通し、互いに微小間隔を隔てて、マトリクス状に多数配置され、支持基板１の裏面（他面）に設けられた放熱体に接続されている。これにより、柱状ヒートシンク１１は、基板１から効果的に熱を逃がすことができる。 （もっと読む）

【課題】導電性、電気化学的安定性、耐酸化性、充填性、緻密性、機械的・物理的強度に優れ、しかも基板に対する接着力・密着力の高い高品質・高信頼度のメタライズ配線を有する電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１１は、所定のパターンを有するメタライズ配線１２を有している。メタライズ配線１２は、メタライズ層１２１と、絶縁層１２２とを含んでいる。メタライズ層１２１は、高融点金属成分と低融点金属成分とを含み、高融点金属成分及び低融点金属成分が互いに拡散接合している。絶縁層１２２は、メタライズ層１２１と同時に形成されたもので、メタライズ層１２１の外面を覆っている。電子部品１４は、メタライズ配線１２のメタライズ層１２１に電気的に接続されている。 （もっと読む）