【課題】基板を研磨するためのケミカルメカニカルポリッシング組成物濃縮物の複数の希釈液を用いる、窒化ケイ素上に堆積したポリシリコンのオーバーバーデンを有する基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法
【解決手段】基板を研磨するために使用される濃縮物の第１の希釈液は、第１のポリシリコン除去速度及び第１のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整され；基板を研磨するために使用される濃縮物の第２の希釈液は、第２のポリシリコン除去速度及び第２のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ケミカルメカニカル研磨にて重要な役割を果たすコンディショニングの性能を高める研磨パッド材質を提供し研磨中の欠陥率を低減する。
【解決手段】アクリレートポリウレタン研磨層を含むケミカルメカニカル研磨パッドで、研磨層が６５〜５００MPaの引張り弾性率、５０〜２５０％の破断点伸び、２５〜２００MPaの貯蔵弾性率Ｇ′、２５〜７５のショアーＤ硬さ及び１〜１０μm/minの湿式切削速度を示すものであるケミカルメカニカル研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】より良いトポグラフィー性能を達成するためのタングステンバフィング配合物として使用するための、新しいケミカルメカニカルポリッシング組成物及び方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む基板を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物と、研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと；及びケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配することを含み；ここで、基板は研磨され、そして幾らかのタングステンは基板から除去される。 （もっと読む）

【課題】非選択的な低い欠陥性のケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、銅を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法を提供する。
【解決手段】銅を含む基板を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供すること；研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること；及びケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すことを含み；ここで、基板は研磨され、そして幾らかの銅は基板から除去される。 （もっと読む）

【課題】硬化性材料を金型キャビテイ内に添加するためのノズル開口部の位置を中心に維持したままの一次元移動では研磨層における密度欠陥の発生があった。
【解決手段】硬化性材料の装填時間を三段階に分けノズル開口部の位置を段階毎にずらしていくようにした。初期段階には中心位置からドーナツ穴領域内に、転移段階ではドーナツ穴領域からドーナツ領域に移動、残段階ではドーナツ領域内にあるようにする。これにより密度欠陥を最小に抑えたＣＭＰパッド用の研磨層が形成できる。 （もっと読む）

【課題】高い除去速度で選択的に相変化物質の除去ができ、その一方でまた、総欠陥及びＴｅ残査欠陥の減少をもたらす、新規なケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物を開発する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；フタル酸、フタル酸無水物、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の少なくとも一種；キレート化剤；ポリ（アクリル酸−ｃｏ−マレイン酸）；及び酸化剤を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、ここで、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する方法である。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金を含む基板の研磨に有用な、基板上の追加の材料に対して有利な選択性で、かつ低総欠陥及び低Ｔｅ残渣欠陥にて、カルコゲナイド相変化合金の高い除去速度を有する研磨方法を提供する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；及び酸化剤から実質的になるケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する。 （もっと読む）

【課題】配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物。
【解決手段】水、アゾールインヒビター、アルカリ金属有機界面活性剤、ハイドロトロープ、リン含有剤、水溶性セルロース、場合によっては、非糖類水溶性ポリマー、又は、式Ｉ（式中、Ｒは水素等、ｘは１又は２）の水溶性酸化合物、又は、錯化剤、又は、酸化剤、又は、有機溶媒、又は、砥粒を含むケミカルメカニカル研磨組成物が提供される。研磨パッド上にケミカルメカニカル研磨組成物を注入することを含み、ケミカルメカニカル研磨組成物が、リン酸等の添加により２〜６に調節されたｐＨを示す方法が提供される。
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【課題】アゾールインヒビターを含有し、安定的に濃縮可能であり、好ましくはアンモニウムフリーかつ水溶性セルロースフリーであるケミカルメカニカル研磨組成物の提供。
【解決手段】配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物であって、初期成分として、水、アゾールインヒビター、アルカリ金属有機界面活性剤、ハイドロトロープ、リン含有剤、場合によっては、非糖類水溶性ポリマー、場合によっては、式Ｉ（式中、Ｒは、水素及びＣ_1-5アルキル基から選択され、ｘは１又は２である）の水溶性酸化合物、場合によっては、錯化剤、場合によっては、酸化剤、場合によっては、有機溶媒、及び場合によっては、砥粒を含む。
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