説明

SCIVAX株式会社により出願された特許

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【課題】 大面積のパターンでも熱膨張の影響を受けにくい型を提供すること。
【解決手段】 樹脂、特に好ましくはインプリント技術により成型可能な樹脂からなり被成形物200に転写するための成型パターン1aを有する成型層1と、樹脂の熱膨張係数より低い材料、例えば金属からなる基層2とを有し、被成形物200の被成形面に対し可撓性を有するフィルム状に形成されるインプリント用型。基層2と成形層1の間に基層2及び成形層1の両方と結合する材料からなる中間層を有していても良い。 (もっと読む)


【課題】 簡単な構造で容易に位置調節を行うことができるインプリント装置及びこれに用いるアライメント機構又は着脱機構を提供すること。
【解決手段】 移動体2とベース部材1との間をシールし閉じた空間を形成するためのシール部材3と、移動体2又はベース部材1に設けられ、シール部材3を収納するための収納溝4と、シール部材3を収納溝4内で移動させるためのシール部材移動手段5と、移動体2、ベース部材1及びシール部材3の間に形成された空間の流体を排出する流体排出手段6と、を具備する着脱手段。また、当該着脱手段と共に、移動体2をベース部材1に対して浮揚させるために、移動体2とベース部材1の間に流体を供給する浮揚流体供給手段8と、移動体2の位置を変えるための変位手段9とを備えるアライメント機構。当該アライメント機構を用いたインプリント装置。 (もっと読む)


【課題】 装置を大型化する際の自由度を上げると共に、ガス漏れが生じにくい切替バルブ、これを用いた熱交換器およびガス処理装置を提供すること
【解決手段】 複数の共通流路2の共通口2Aに対し、第一ガスを流す第一流路と第二ガスを流す第二流路とを切り替えて接続するための切替バルブ1であって、円筒部15の内部に、第一流路と共通口とを接続するための第一ガス室11と、第二流路と共通口2Aとを接続するための第二ガス室12とを有すると共に、第一ガス室11を共通口2Aに接続するための第一接続口11Aと第二ガス室12を共通口2Aに接続するための第二接続口12Aとが円筒部15の曲面13に形成された筐体と、筐体を円筒部15の中心を軸として回転させるための回転手段と、少なくとも共通口2A側に設けられ、筐体が回転する際に円筒部15の曲面13と摺動しながら第一ガスと第二ガスが互いに混合するのを防止するシール部材30と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】 細胞と細胞接着面との接着性を向上し、培養効率を改善した細胞培養構造体、細胞培養容器及びこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】 所定の単位構造を規則的に複数配列した細胞接着面として機能する凹凸構造に放射線を照射して細胞培養構造体を形成する。放射線としてはガンマ線を用いることができる。照射するガンマ線の線量は、5kGy以上15kGy以下に調節するのが好ましい。また、凹凸構造は、単位構造間の幅が3μm以下である方が良く、また、単位構造の最小内径が3μm以下である方が良い。また、凹凸構造としては、環状オレフィン系熱可塑性樹脂等を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】 基板と金型の搬入と搬出とを自動的に実行することができ、効率的に基板の表面にパターンを形成することが可能なパターン形成装置を提供する。
【解決手段】 パターン形成装置は、搬入搬出部1と、パターン形成部3と、これらの搬入搬出部1とパターン形成部3との間に配置された搬送部2と、第2搬送部5とを備える。パターン形成部3は、基板と金型とを位置決めして重ね合わせる位置決めユニット31と、位置決めユニット31において位置決め後の基板に対し位置決め後の金型を押し付けるパターン形成ユニット33と、パターン形成ユニット33においてパターンが形成された基板からパターン形成に使用された金型を剥離する剥離ユニット32とを有する。 (もっと読む)


【課題】 大面積の培養面上で培養している細胞の剥離を抑制する細胞剥離抑制器具及びこれを用いた培養容器、細胞剥離抑制方法を提供すること
【解決手段】 細胞を培養するための培養容器1であって、細胞接着面として機能する培養面を有する培養容器本体2と、培養容器本体2に着脱可能であって、当該培養容器本体2内の溶液の動きを抑制するように培養面20を仕切る細胞剥離抑制器具3と、を具備するように形成する。この場合、細胞剥離抑制器具3は、培養面20を仕切る1以上の穴を有するように形成すれば良く、好ましくは、穴の面積を2.25cm以下にするのが良い。 (もっと読む)


【課題】 二次元培養において増殖速度の異なる2種以上の細胞が存在する場合に、増殖速度の遅い細胞が駆逐されることなく、2種以上の細胞が共存して増殖することができる、スフェロイドの作製方法を提供すること。
【解決手段】 細胞接着面として機能する所定の凹凸構造を有する細胞培養基材上で2種以上の細胞を培養することにより、二次元培養用基材上では増殖速度が異なる2種以上の細胞が共存するスフェロイドを形成することが可能となる。この際、凹凸構造面は、所定の平面形状からなるセルを規則的に複数配列した凹凸構造である方が好ましい。 (もっと読む)


【課題】 型と被成型物の間に圧力を均一に加えることができると共に、高速に昇降温することができるインプリント装置及びインプリント方法を提供すること
【解決手段】 型100のパターンをフィルム状の被成型物200に転写するためのインプリント装置1であって、型100を保持するためのステージ11と、被成型物200と共に加圧室12を構成する加圧室用筐体13と、加圧室用筐体13と被成型物200との間を密閉する密閉手段14と、加圧室用筐体13と被成型物200との間を開閉する開閉手段15と、加圧室12内の気圧を調節する加圧手段16と、被成型物200を加熱するための加熱手段17と、型100と被成型物200の間の気体を除去する脱気手段18と、を具備するインプリント装置1。 (もっと読む)


【課題】熱インプリント性、耐エッチング性の良好なエッチングマスク、エッチングマスク付き基材、および微細加工品およびその製造方法の提供。
【解決手段】特定の環状オレフィンの開環重合体もしくはその水素化物を少なくとも1種類含有する熱可塑性樹脂からなるエッチングマスク。 (もっと読む)


【課題】GaN系半導体を用いた発光装置において、光取出効率を増大させる。
【解決手段】サファイア基板10の表面にナノインプリントプロセス及びRIEでナノ寸法の凹凸構造を形成し、その上にGaN層14、n型GaN層16、活性層18、p型GaN層20を形成する。凹凸構造により活性層18からの光の反射を抑制する。サファイア基板10とGaN層14との界面にSiOあるいは金属を蒸着してもよい。p型GaN層20の外表面にナノ寸法の凹凸構造を形成してもよい。 (もっと読む)


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