【課題】焼却飛灰等の無機材料中の鉛等の重金属の不溶化を可能とし、無機材料を無害化することができる方法を提供すること。
【解決手段】重金属を含有する無機材料に鉄を添加し、混合物とし、該混合物をメカノケミカル処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スレーブ操作子の回転作業を制御することができるマスター操作子、及び、前記マスター操作子を有するマスター機及び遠隔操作システムを提供すること。
【解決手段】 軸部１２と軸受け部１３と回転検出装置とを設け、前記回転検出装置は、前記軸部または前記軸受け部が回転した場合に前記回転の回転角を検出して、前記通信ネットワークを介して回転角情報を前記スレーブ機に送信するマスター操作子１とする。 （もっと読む）

【課題】 農作物の作付け前に土壌を診断し、寄生性線虫による土壌病害を未然に防ぎ、農家が安心して農作物を作れる土壌作りのための土壌診断方法を提供する。
【解決手段】 土壌から線虫を分離し、当該線虫のＤＮＡをＰＣＲ法により増幅させ、電気泳動させることによって、前記土壌中における寄生性線虫の存否を確認することにより土壌病害を診断する。もしくは土壌から線虫を分離し、当該線虫のＤＮＡを定量ＰＣＲ法により増幅させ、電気泳動させることによって、前記土壌中における全線虫数に対する寄生性線虫の割合を確認することにより土壌病害を診断する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な代数計算でフィードフォワードゲインを決定することができる位置制御装置を提供する。
【解決手段】 位置偏差分に比例演算を施して速度指令を出力する位置制御手段２１と、速度偏差分に比例、積分演算を施して出力する速度制御手段２２を含み、トルク指令を生成して制御対象を駆動する速度フィードバック制御系２２〜２７と、速度フィードバック制御系の遅れを補償する速度指令補償分を出力して速度制御手段に加えるフィードフォワード制御手段３０とを備えるとき、フィードフォワード制御手段は、位置指令を微分して出力する微分手段３１と、微分手段の出力を入力して低域の成分のみを出力する低域フィルタ手段３２と、速度フィードバック制御系の伝達関数の逆数を低域フィルタ手段の出力に乗算して出力するフィードフォワード補償手段３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】
表面の孔密度が制御可能な、孔径がナノサイズの多孔性金属薄膜を提供する。
【解決方法】
密閉容器中でめっき液と二酸化炭素液体の混合液中、二酸化炭素の超臨界状態で電解めっきを行い、基材上に多孔性金属薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
シリコンウェーハやＦＰＤ用ガラス基板等のパネルの形状の大面積・薄肉化に伴い、自重によるパネルの変形の影響を受け、正確なパネルの形状の測定が困難になってきているが、縦型形状測定装置を使用し、正確なパネルの形状を測定する方法を提供する。
【解決方法】
縦型形状測定装置を使用し、大面積・薄肉パネル形状を測定する場合の、その測定に影響を与える誤差要因を分析し、縦型形状測定装置固有の系統誤差を抽出した。その抽出した系統誤差値を補正値として形状を測定すれば、パネルの正確な形状測定が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 現行の窒素施肥量を減らすことなく、また現状の作物生産体系を変えることなしに、土壌からの亜酸化窒素発生量を抑制するための抑制方法を提供する。
【解決手段】 土壌からの亜酸化窒素発生を抑制する方法であって、少なくとも、炭素（Ｃ）４００〜６００ｇ／ｋｇ、カリウム（Ｋ）５〜１５ｇ／ｋｇ、マグネシウム（Ｍｇ）５〜１０ｇ／ｋｇ、硫酸イオン（ＳＯ₄^2-）０．５〜２ｇ／ｋｇを含む炭化物、例えば生ゴミを乾留して得られた生ゴミ炭を、土壌１ｍ²当たり１０ｋｇ以下添加する。
この生ゴミ炭は、生ゴミを直接またはごみ固形燃料（ＲＤＦ）化した後に乾留して得られたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】電気化学反応における活性化エネルギーを低下させ得る導電体、これを用いたエネルギーデバイス及び燃料電池セルを提供すること。
【解決手段】イミダゾリウム系カチオンと多価アニオンを含む電解質材料を孔内に保持する無機多孔体が、電極材料に挟持された導電体である。電解質材料がイオン液体である。５〜１５ｋＪ／ｍｏｌの範囲の活性化エネルギーを有する。イミダゾリウム系カチオンがエチルイミダゾリウムカチオンである。多価アニオンが、ＳＯ_４^２−、ＰＯ_４^３−及びＨＰＯ_４^２−などである。
上記導電体を適用して成るエネルギーデバイスである。
上記導電体を適用して成る燃料電池セルである。 （もっと読む）

【課題】 高速測定が可能な観測装置、観測方法等を提供する。
【解決手段】 本発明の第１の側面は、液晶変調素子によって、右回り円偏光及び左回り円偏光が選択的に作り出されるように前記液晶変調素子が制御され、偏光子を通過する光によって試料を観測することを特徴とする観測装置にある。また、本発明の他の側面は、偏光子及び液晶変調素子を順に通過するように光の光路が設定された状態で、前記偏光子を通過する光によって試料を観測する際に、前記液晶変調素子によって、右回り円偏光及び左回り円偏光が選択的に作り出されるように前記液晶変調素子を制御する工程と、前記液晶変調素子によって作り出される右回り円偏光状態及び左回り円偏光状態に対応した、前記試料の光学データをそれぞれ生成する工程とを有することを特徴とする観測方法にある。 （もっと読む）

【課題】 簡便にＡｌＮ半導体を製造することができると共に、ＡｌＮの成長速度をより広い範囲で制御することが可能であり、尚且つ、不純物の混入のおそれを可及的に排除して、結晶性に優れたＡｌＮ半導体が得られるＡｌＮ半導体の製造方法、及びＡｌＮ半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ₃ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させるＡｌＮ半導体の製造方法であり、また、無水塩化アルミニウムを加熱し昇華又は気化させて塩化アルミニウムガスを排出させる気化器と、この塩化アルミニウムガスとＮＨ₃ガスとを反応させる反応管とからなるＡｌＮ半導体製造装置である。 （もっと読む）