【課題】半導体メモリにおけるコマンドの変更や追加に伴う負担を軽減する。
【解決手段】メモリカード３をコンピュータ２に装着したときに、メモリコントローラ３０はメモリアレイ３２に記憶されているコマンド情報９０をコンピュータ２に向けて送信する。そして、コンピュータ２はメモリカード３から受信したコマンド情報９０をＲＡＭ２１に記憶する。コンピュータ２は、記憶したコマンド情報９０に基づいて必要に応じてコマンドを生成し、生成したコマンドをメモリカード３に送信する。メモリカード３がコンピュータ２からコマンドを受信すると、メモリコントローラ３０はコマンド解析情報９１を参照することにより、受信したコマンドを解析し、実行する。 （もっと読む）

【課題】ハードウェア化を容易に実現可能な動き探索方法を得る。
【解決手段】動き探索方法は、画像内の任意の箇所に探索開始点を設定するステップ（Ａ）と、前のステップで設定された探索開始点が属する行と同一の行に属する複数の点に関して探索を行うことにより、当該複数の点のうち、動き探索の対象であるブロックとの類似度が最も高い点を、次の探索開始点として設定するステップ（Ｂ）と、前のステップで設定された探索開始点が属する列と同一の列に属する複数の点に関して探索を行うことにより、当該複数の点のうち類似度が最も高い点を、次の探索開始点として設定するステップ（Ｃ）と、ステップ（Ｂ）及び（Ｃ）を、所定回数だけ繰り返し実行するステップ（Ｄ）と、ステップ（Ａ）乃至（Ｄ）によって設定された複数の探索開始点のうち、ブロックとの類似度が最も高い点を求めるステップ（Ｅ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】読み出し／書き込みアクセスをメモリに対して高速に行なうための技術を提供することを目的とする。
【解決手段】メモリコントローラ４は、ホストシステム１のソフトウェア制御によることなく、メモリコントローラ４のハードウェア制御により、読み出し／書き込みアクセスをメモリ３に対して行なうことができる。また、メモリコントローラ４は、ホストシステム１およびメモリ３のハンドシェイクを解消することにより、ホストシステム１およびメモリ３に対して、それぞれの特性に適したタイミングで処理を行なわせることができる。そのため、メモリコントローラ４は、読み出し／書き込みアクセスを高速に行なうことができるのである。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリからデータが繰り返し読み出されることにより、データが意図せず書き換えられる可能性を回避または低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】ホストシステム１が今回出力する読み出しアドレスと、ホストシステム１が前回出力した読み出しアドレスが一致する場合には、オペレーション切替要求信号をアドレス比較部３３から入力したアクセスコントローラ部３４は、通常読み出しアクセスからランダム読み出しアクセスにオペレーションを切り替える。すなわち、アクセスコントローラ部３４は、メモリセルアレイ４３に読み出しアクセスすることなく、メモリバッファ部４４に読み出しアクセスする。すると、メモリセルアレイ４３が格納するデータが繰り返し読み出されることにより、意図せず書き換えられる可能性を回避または低減することができる。 （もっと読む）

【課題】良好なキー合成処理を可能とする撮像ユニット、携帯端末装置、および携帯端末システムを提供する。
【解決手段】撮像ユニット１０は、主として、撮像部３０と、変換部４０と、キー信号生成部５０と、を有する。変換部４０は、撮像部３０から出力された撮像画像データの形式をＹＵＶ形式からＲＧＢ形式に変換する。キー信号生成部５０は、撮像部３０側から入力された撮像画像データについて、この撮像画像データを構成する各画素データと基準データとに基づいたキー信号を生成する。また、キー信号生成部５０は、生成されたキー信号と対応するＲＧＢ形式の画素データとを最小構成単位とする前景画像データ出力する。そして、本体ユニット１００の画像合成部１２０は、撮像ユニット１０からの前景画像データと、ＲＡＭ１１２に格納された背景画像データとを、前景画像データに含まれるキー信号に基づいて重ね合わせ、合成画像データを生成する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリからデータが繰り返し読み出されることにより、データが意図せず書き換えられる可能性を回避または低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】意図せず書き換えられやすいデータを多く含む元データに対して、エラー耐性コード変換を施すことにより、意図せず書き換えられやすいデータを多く含まない変換データを生成してメモリ４に書き込む。ホストシステム１が元データを処理するときには、メモリ４は変換データを読み出す操作を行い、コード逆変換部３３は変換データに対してエラー耐性コード変換に係る逆変換を施すことにより、元データと同一データである復元データを生成してホストシステム１に出力する。以上の手段により、データが繰り返し読み出されることにより、データが意図せず書き換えられる可能性を回避または低減することができる。 （もっと読む）

【課題】リソースの追加を最小限に抑えつつ、暗号化及び復号化のための複数のキー情報を扱うことを可能とすることにより、セキュリティ性の高い信号処理装置を得る。
【解決手段】暗号化キー２２の元となる元データ２０が、メモリセルアレイ７から読み出されて、バッファ領域５１に格納されている。暗号化キー生成部５２は、バッファ領域５１から読み出した元データ２０を、所定の生成ルール２１に基づいて様々に加工することにより、複数の暗号化キー２２を生成する。暗号化処理部５３は、暗号化キー生成部５２によって生成された複数の暗号化キー２２のうち、コマンドＤ１毎に異なる暗号化キー２２を用いて、各コマンドＤ１を暗号化することにより、暗号化されたコマンドＤ２を生成する。 （もっと読む）

【課題】アクセス速度を低下させることなく、論理アドレスと物理アドレスとの変換に用いられる予備的な記憶領域の必要容量を抑制する。
【解決手段】論理アドレスを昇順に、メモリの欠陥ブロックの物理アドレスをスキップさせながら、物理アドレスの昇順に対応づけるように、論理アドレスと物理アドレスとの相関関係を定める。そして、欠陥ブロックの物理アドレスを、当該物理アドレスの昇順に、第２ブロック５６の物理アドレスの昇順に、連続して個々に格納する。論理アドレスから物理アドレスを求める場合は、論理アドレスに基づいて、複数の第２ブロック５６からターゲットブロックを検索し、ターゲットブロックの物理アドレスを論理アドレスに加算することにより物理アドレスを求める。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリにおいて発生するビットエラーを効果的に修復する。
【解決手段】フラッシュメモリ４から読み出される一時記憶データのエラーをチェックするエラー訂正機能を備える。エラーが発見されると、そのエラー情報は、レジスタ９に一時記憶された後、適切なタイミングで不揮発性メモリ６に記憶される。電源投入時などの適切なタイミングで、不揮発性メモリ６に記憶されたエラー情報に基づき、エラーが発見された一時記憶データを再度読み出してエラー訂正を行ってフラッシュメモリ４に書き戻す。リードディスターブなどの回復可能なビットエラーを修復することができる。通常の読み出し処理が支障なく実行でき、ユーザに不快感を与えなくて済む。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリに対する繰り返し読み出しにより、意図せずしてデータが書き変わる現象に対して、正しいデータを出力可能とする技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリの各ページのデータには、初期段階で、第１ＥＣＣ５１が付加されている。メモリコントローラがデータを読み出すと、第１ＥＣＣ５１を利用してエラー検出が行われる。エラーが検出された場合、第１のエラー訂正アルゴリズムを利用してエラー訂正を行い、訂正したデータをホストシステムに出力する。その後、メモリコントローラは、第１のエラー訂正アルゴリズムよりも訂正能力の高い第２のエラー訂正アルゴリズムを利用し、訂正したデータに対する第２ＥＣＣ５２を生成する。そして、第１ＥＣＣ５１に代えて第２ＥＣＣ５２をメモリに格納する。 （もっと読む）