【課題】 多量の水素を貯蔵し、かつ貯蔵された水素を容易に取り出すことのできる水素貯蔵方法、および水素貯蔵物質を提供する。
【解決手段】 第一の水素貯蔵方法を、窒化物および錯体水素化物から選ばれる二種以上の化合物を混合して原料混合物を調製する原料混合物調製工程と、該原料混合物に水素を反応させ、該化合物の構成元素の一種以上と水素とからなる水素化物を生成させて水素を貯蔵する水素貯蔵工程と、を含よう構成する。また、第二の水素貯蔵方法を、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素から選ばれる元素と、アルミニウムまたはホウ素と、を含む原料化合物に水素を反応させ、該原料化合物の構成元素の一種以上と水素とからなる二種以上の水素化物を生成させて水素を貯蔵するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】 プローブの動作寿命を長くする。
【解決手段】 プローブ（１００）は、媒体（２０）に対向する表面を有する基板（１１０）と、基板中に形成され、且つ媒体における微小領域の状態の検出及び変化の少なくとも一方を行うための点電極（１２０）とを備え、点電極のうち媒体に対向する側の端部である先端部は、点電極が形成される領域部分周辺において基板の表面が形成する面内に配置される。 （もっと読む）

【課題】 急冷が不可欠であり、特異な物性を有する金属ガラスのポーラス化方法を確立することを課題とする。
【解決手段】 金属ガラス素材(1)と、融点が前記金属ガラス素材(1)の融点より更に高融点のスペーサー物質(2)にて形成されたスペーサー粉粒状物とを金属ガラス素材(1)の融点以上、スペーサー粉粒状物(2)の融点以下の温度で加熱して金属ガラス素材(1)を溶融してスペーサー粉粒状物(2)が溶融金属ガラス(1a)内に分散した状態となるようにし、続いてこの溶融金属ガラス(1a)を急冷して前記スペーサー粉粒状物(2)間にて溶融金属ガラス(1a)を凝固させ、然る後、スペーサー粉粒状物(2)を溶媒にて除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ねじれ振動に対して抵抗力及び共振周波数の高いステージ部材を提供することである。
【解決手段】 四角柱状の空隙部を備え、当該空隙部を構成する璧をねじれ変形の方向に対して垂直となるように配置したハニカム構造体を有するステージ部材及び当該ステージ部材を含む露光装置が得られる。ステージ部材のハニカム構造体はセラミックスによって構成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 従来の単一線路を用いた信号伝送線路では、線路の形状に依存する特性が良好でなく、特に縦方向のビアが介在する場合、周波数に依存して高周波特性が劣化する問題点があった。
【解決手段】 複数のパターニングされた金属層と、誘電体層とを積層し、その層間をビアにより接続して構成する多層基板の信号伝送ペア配線において、金属層のパターニングされた複数の配線と相互を接続するビアの直径およびビアの間隔を制御し、特性インピーダンスが一定の値となるように配置することを特徴とした信号伝送ペア配線を用いることにより、数十GHzの高周波領域まで特性誤差の無い伝送特性の良好な信号伝送配線の提供が可能となる。 （もっと読む）

強磁性体の磁化反転に必要な外部磁場をなくし、消費電力の省力化を図ることができる電流注入磁壁移動素子を提供する。
電流注入磁壁移動素子であって、反平行の磁化方向を持つ二つの磁性体（第１の磁性体１と第２の磁性体２）と、それらに挟まれた第３の磁性体３の微小接合を有し、この微小接合界面を横切るパルス電流（電流密度が、１０⁴−１０⁷Ａ／ｃｍ²）を流すことにより、このパルス電流と磁壁との相互作用により電流方向もしくは逆方向に磁壁を移動させ、素子の磁化方向を制御する。 （もっと読む）

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）