説明

ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングにより出願された特許

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単結晶シリコン基板を加工する方法において、シリコン基板は水平方向の搬送経路に沿って平坦にして搬送され、表面を微細加工するエッチング溶液はノズルなどの手段によって上から供給される。エッチング溶液は、シリコン基板の上面に連続的に数回にわたって上から供給され、基板の上面に残り、シリコン基板と反応する。
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平坦な基板の基板表面を基板下面においてプロセス媒質によって処理する方法において、プロセス媒質は、基板表面に対する除去又はエッチング効果を有する。基板は、水平に配置された方式により、下方からプロセス媒質によって湿潤される。上向きの基板上面は、基板上面に対して作用するプロセス媒質に対する保護として、水又は対応する保護液体により、大きなエリアにわたって又はエリアの全体にわたって、湿潤又はカバーされる。
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本発明は、プリント回路基板のための保持デバイスであって、フレーム状様式で設計されると共に、該保持デバイスを搬送すべく外側長手側部上に配置された搬送キャリッジを有するという保持デバイスに関する。上記各搬送キャリッジ間には、基板のための上記保持デバイスの保持フレームが配置される。上記保持フレームは高さ調節可能とされるべく各搬送キャリッジ上に取付けられることにより、該フレームに挟持された基板は処理の間において降下ないし上昇され得る。 (もっと読む)


シリコン太陽電池用のフロント接点としてフロント側のエミッタ電極をシリコンウェハ上に生成するための方法において、上記シリコンウェハのフロント側に凹部を生成する。次いで、フロント側のnドープシリコン層と反射防止層を生成する。次いで、導電性の金属粒子およびエッチングのガラスフリットを含有するペーストを凹部内に加え、上記ペーストが、瞬間的な加熱の結果として、反射防止層を通してnドープシリコン層までエッチングし、nドープシリコン層と電気的に接触する。その後、凹部内の熱処理されたペースト上に導電性のフロント接点金属をフロント接点としてガルバニック的に付着させる。
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キャリア上の基板をクリーニングする装置及び方法において、複数の基板が、互いに平行で、互いから僅かに離れるように、キャリアの下側に固定され、キャリアが、その内部において、互いに平行に延びる複数の縦方向の通路を有する。ウェーハのソーイングの結果として、通路は、開口を介して基板間の隙間に結合する。相対移動の結果として、細長いチューブから出るクリーニング液が縦方向の通路の一つに供給され、キャリアの移動によって相対移動が行われる。
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キャリア上の基板をクリーニングする装置であって、キャリアは、その内部において、互いに平行に延び、開口によってキャリアの下側で外に接続する複数の縦方向の通路を有し、装置は、互いに平行に延び、パイプホルダに配置されて液体供給源に対して液体を導くように接続された複数の細長いパイプを有している。センタリングプレートが、パイプの周囲に設けられ、パイプホルダから離れたパイプの端部領域にある取付け位置と、取付け位置及びパイプホルダ間の作用位置との間でパイプの長手方向にパイプに対して移動可能である。センタリングプレートがキャリアに支持され、パイプが縦方向の通路に対して正確に配列される。
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基板を処理する方法及び装置において、レジスト層は基板からプロセス溶液をスプレーすることによって剥離される。基板には、先ず、主剥離モジュールにおいてプロセス溶液がスプレーされ、その後、副剥離モジュールにおいてスプレーされ、プロセス溶液は主剥離モジュールと副剥離モジュールの下の容器に集められる。少なくとも一つの容器は個々のモジュールに設けられる。プロセス溶液が主剥離モジュール内の二つの容器に集められ、先ず、壁によって第1の容器と分離した第2の容器へ直接に送られる。壁はプロセス溶液の液面より低い領域で液体が通過可能に形成されている。泡のないプロセス溶液は第1の容器から回収され、プロセス溶液は循環して再び基板を濡らすプロセスに戻る。
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シリコンブロックのためのキャリアであって、シリコンブロックがキャリアに堅く接続され且つ切断、洗浄、又はこれらと均等のことによる作業のためにキャリアと共に動かされる、キャリアは、プラスチックから成り、好適にはガラス繊維強化プラスチックから成る。キャリアは、その内部において、多数の連続した長手方向のチャネルを有する。これら長手方向のチャネルは切断され、このため、その後、洗浄流体が、切断されたウェハ間の中間空間内に導入されて、切断の残骸を洗い流す。
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太陽電池を製造するためにウェハをコーティングするための方法において、ニッケル、銅又は銀などの金属が金属を含有するコーティング溶液内で連続的な工程によってウェハに沈着する。ウェハがコーティング溶液に挿入され、ウェハの第一の領域が既にコーティング溶液内で延びるが第二の領域が未だにコーティング溶液内で延びていない時点で、過電流が、さらなる過電流又は電流フローなしに、ウェハの残りのエリアの、ウェハがコーティング溶液に完全に挿入されて続いて起こるさらなる自動的なコーティングのための、コーティング溶液内に達するウェハの第一の領域における金属のガルバニック沈着を始めるために、第二の領域に印加される。
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太陽電池の生産におけるシリコンウエハを処理する方法において、織地化(texturization)の目的のために、処理液がシリコンウエハの表面に適用される。処理液が、添加剤として0.5質量%〜3質量%の範囲の量でエチルヘキサノール又はシクロヘキサノールを含む。 (もっと読む)


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