【課題】ＬＥＤパッケージ基板底面では放熱体との十分な接続面積及び上端部では十分な電気接続部面積を確保すると共に、材料費を低減して低コストにする。
【解決手段】ＬＥＤパッケージ基板を、ＬＥＤチップ装着部及びＬＥＤチップの接続部を上面に形成するだけの十分な面積を有する平板状底部と、該底部端の両側から立ち上がる一対の壁部先端を互いに外方向に折り曲げるように絞り加工した一定板厚の金属プレートの上に、樹脂層からなる絶縁層を挟んで金属層を接合した積層構成とする。金属プレートの平板状底部と、該底部から壁部が立ち上がるコーナー部の曲がり半径をＲ１とし、かつ、壁部と外方向に伸びる上端部との間のコーナー部の曲がり半径をＲ２として、Ｒ１＞Ｒ２の関係とする。壁部先端を互いに外方向に折り曲げた先端側上面に一対の接続電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】セラミック製の胴部スリーブと軸スリーブとの接合が、高温度の雰囲気でも熱膨張差の影響を受けることなく安定した、信頼性の高い加熱炉用ローラーを提供する。
【解決手段】セラミック製の胴部スリーブの両端部にそれぞれ金属製の軸スリーブを、締まり嵌めによって嵌合接合する。軸スリーブは、同一金属を用いて、胴部スリーブに嵌合する中空のスリーブ部と、中空のスリーブ形状の軸受部を連結した構成にする。スリーブ部の端部は、胴部スリーブの端部よりも外方向に延長する。 （もっと読む）

【課題】データ圧縮・伸長機能を有するネットワーク機器がネットワークに含まれていても、そのデータ圧縮の効果を考慮してネットワークを適切に表現し、最適パスを設定可能にすること。
【解決手段】データ圧縮・伸長機能を有するネットワーク機器を含むノード14,15は、自ノードに接続されたリンク21,23の伝送遅延およびデータ圧縮処理による処理遅延の和を当該リンク21,23についての遅延として算出し、該遅延を当該リンク21,23のメトリックとする。ルータを含むノード11〜13は、自ノードに接続されたリンク21〜25の伝送遅延を当該リンクについての遅延として算出し、該遅延を当該リンク21〜25のメトリックとする。ノード11〜15は、各リンク21〜25のメトリックを共有し、該メトリックを元に最適パスを設定する。 （もっと読む）

【課題】近赤外領域における光電変換効率の向上可能な新規なシアニン色素、およびこれを用いた光電変換効率の向上した色素増感太陽電池及び光電変換素子の提供。
【解決手段】式（１）で表わされるシアニン色素及びこれを使用した色素増感太陽電池。


[式中、Ｒ₁及びＲ₂はＣ１〜Ｃ３０のアルキル基又はＣ１〜Ｃ３０のハロゲン置換アルキル基であり、Ｒ₁及びＲ₂の少なくとも一方がＣ７以上のアルキル基又はハロゲン置換アルキル基である。Ａは隣接環の炭素原子とともに５又は６員環を含有する環構造を形成する原子団であり、Ｘ^-はハロゲンアニオン、ＢＦ₄^-又はＣＣｌＯ₄^-であり、ｎは３〜７の整数である。] （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタ集積回路中のリング発振器では、使用期間が長くなるとそれを構成しているＭＯＳトランジスタの特性に劣化が生じ、発振周期が大になって来る。従って、劣化度合を量的に把握する必要があったが、個別の集積回路につき、ＭＯＳトランジスタの劣化度合を算出するようにしたものは従来なかった。
【解決手段】リング発振器２を集積するＭＯＳトランジスタ集積回路１内に、ＮＭＯＳトランジスタの劣化のみ生ずる構成にしたリング発振器４、ＰＭＯＳトランジスタの劣化のみ生ずる構成にしたリング発振器５を作り込む。それらの現時点での発振周期もしくは製造当初の発振周期を基に、劣化による増加遅延時間や発振周期を模擬算出装置７で算出する。 （もっと読む）

【課題】近赤外領域における光電変換効率の向上可能な新規なシアニン色素を提供し、これを用いた光電変換効率の向上した色素増感太陽電池及び光電変換素子を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表わされるシアニン色素及びこれを使用した色素増感太陽電池。


式中、Ｒ₁及びＲ₂はＣ１〜Ｃ３０のアルキル基又はＣ１〜Ｃ３０のハロゲン置換アルキル基であり、Ａは隣接環の炭素原子とともに５又は６員環を含有する環構造を形成する原子団であり、Ｘ^-はハロゲンアニオン、ＢＦ₄^-又はＣＣｌＯ₄^-であり、ｎは０〜７の整数である。 （もっと読む）

【課題】開口部が数μｍ、アスペクト比が５以上のトレンチ壁面に高濃度の不純物がドーピングされた縦型ｐｎ接合を形成する技術を確立する。
【解決手段】開口部の最小寸法が１０μｍ以下、アスペクト比５以上、かつ壁面の凹凸が０．２μｍ以下のＳｉトレンチ壁面に対し不純物をドープし、さらに、不純物がドープされたトレンチ壁面を、９００℃以上の熱処理でリフローが生じるＳｉＯ₂膜により被覆し、このＳｉＯ₂膜を固体拡散源としたトレンチ壁面にｐｎ接合膜を形成する高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法。前記ドープに先立ち、トレンチ壁面の熱酸化処理を行い、この熱酸化処理によって形成された熱酸化膜を除去する処理によりトレンチ壁面の凹凸を０．１μｍ以下に抑える。 （もっと読む）

【課題】簡素化された構成で確実に障害物を回避し、移動体の最適な経路を決定すると共に、様々な目的に応じた適応的な行動選択を行うことができる移動動作決定装置等を提供する。
【解決手段】検出対象物の大きさに応じてポテンシャルを設定するポテンシャル設定部２１と、検出領域を区画する区画検出領域のうちポテンシャルを含んでいる区画検出領域を特定する区画検出領域特定部２２と、区画検出領域ごとに、含まれるポテンシャル値を検出値として算出する検出値算出部２３と、区画検出領域の組み合わせ検出パターン、及びそれに対応する出力動作を動作設定情報として記憶する動作設定情報記憶部２７と、動作設定情報の組み合わせ検出パターンとを比較して、移動体１０の出力動作を特定する出力動作特定部２４と、特定した出力動作に対して、検出値に基づいて出力動作を最適化して決定する動作決定部２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】回転電機の固定子の絶縁部の放電部位を特定する。
【解決手段】放電検出方法は、固定子コイルに所定の電圧が印加されるよう結線した後に、固定子コイル３２に電圧を印加する工程と、固定子３０の軸方向両側に配置した一対の軸方向アンテナ装置６１、６２で、絶縁部で発生する放電を検出して軸方向位置を特定する工程と、固定子３０の所定の軸方向位置で、周方向に等間隔に配列された周方向アンテナ装置群７０により、絶縁部で発生する放電を検出して周方向位置を特定する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】雑音の影響が少なくなる周波数帯域までセンサ信号を周波数変換し、さらに電灯線からの漏洩雑音による影響を低減するために帯域制限ΔΣ変調を行い、Ｓ／Ｎを向上させる。
【解決手段】本発明は、各センサからの電気信号を処理する信号処理回路と、その出力信号を無線変調して出力する無線回路と、外部からの電磁波を受けて電力を生成して供給する電源回路とを有する。信号処理回路は、センサからの電気信号であるベースバンド信号を周波数変換する回路と、その周波数変換された信号をＡ／Ｄ変換する帯域制限ΔΣ変調回路を備える。無線回路は、Ａ／Ｄ変換されたデジタル信号と、帯域制限ΔΣ変調回路に用いたクロック信号を直交変調して、無線信号としてアンテナを介して送信する。 （もっと読む）