説明

国立大学法人大阪大学により出願された特許

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【課題】従来より簡単な方法でプローブの突出長を制御しつつ金属材を加工することができる金属材の加工方法及び金属材の加工装置を提供する。
【解決手段】棒状の回転ツール10aの先端をステンレス鋼材101,102の加工部103に接触させつつ回転させることにより、ステンレス鋼材101,102を加工する加工方法において、回転ツール10aは、回転ツール10aの先端の中央部から突出したプローブ11を備え、回転ツール10aの加工部103に対する荷重F及び回転速度Rを変更することにより、プローブ11の回転ツールの先端から突出したプローブ突出長13を制御しつつステンレス鋼材101,102を加工する。これにより、従来より簡単な方法でプローブ突出長13を制御しつつ金属材を加工することができる。 (もっと読む)


【課題】より実用的な細胞の品質管理方法及び細胞の生産方法を提供する。
【解決手段】細胞の品質管理を管理するのにあたり、一つの細胞集団の仮想的に複数に区画された培養領域の少なくとも二つの前記各区画の所定期間における1又は2以上の細胞の変位に関する細胞変位情報に基づく区画内細胞移動情報を異なる期間につき複数取得し、前記各区画についての区画内累積細胞移動情報を取得する工程を備える。その後、区画内累積細胞移動情報に基づいて前記細胞集団の品質を評価する。 (もっと読む)


【課題】ソース、ドレイン電極と有機半導体層の間の接触抵抗を低減して、短チャネル化により高速応答性能を向上させ、かつ、短チャネル化に伴うソース、ドレイン電極とゲート電極間の短絡の発生を回避可能とする。
【解決手段】絶縁性の基板と、基板上に相互間に間隔を設けて配置され、各々台状平面を形成する一対の絶縁性の台座2、3と、一方の台座が形成する台状平面上に設けられたソース電極4と、他方の台座が形成する台状平面上に設けられたドレイン電極5と、一対の台座の間の基板上に設けられたゲート電極6と、ソース電極及びドレイン電極の上面に接触させて配置された有機半導体層7とを備える。ゲート電極と有機半導体層の下面とはギャップ領域8を介在させて上下方向に対向し、ギャップ領域に面する台座の側面は、上側端縁に対して下側端縁がゲート電極から遠ざかる側に後退した形状を有する。 (もっと読む)


【課題】複数の仮想網を単一の物理網上に構築した場合であっても、各仮想網で展開されるサービスを環境変動に対しても安定に提供する。
【解決手段】仮想網制御装置20が仮想網の性能を定期的に観測するステップS1と、観測した仮想網の性能をもとに仮想網の活性度を算出し管理ノード装置10に通知するステップS2と、管理ノード装置10が仮想網制御装置20から定期的に収集した活性度に基づいて、収集した仮想網固有の活性度又は時間と共に減少する共通活性度を、複数仮想網の競合を調停するための状態制御情報として仮想網制御装置20にフィードバックするステップS3と、仮想網制御装置20が状態制御情報に基づいて仮想網を設計する計算を行うステップS4と、リソース管理装置30に対して物理資源を要求するステップS5と、リソース管理装置30から割り当てられた物理資源を用いて設計された仮想網を構築するステップS7とを実行する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、骨吸収抑制剤について、現存の薬剤とは異なる作用機序を有する薬剤を開発するための、新規メカニズムによるスクリーニング方法を提供することを課題とする。
【解決手段】スフィンゴシン1リン酸(S1P)とスフィンゴシン1リン酸受容体2型(S1P2)との相互作用を阻害しうる物質を検出することを特徴とする、新規骨吸収抑制物質のスクリーニング方法による。具体的には、少なくとも以下のA)及びB)の工程を含むスクリーニング方法による。A)候補物質のS1PとS1P2 との相互作用に及ぼす影響を確認し、S1PとS1P2 との相互作用を阻害しうる候補物質を選別する工程;B)候補物質による細胞の遊走能に及ぼす影響を確認し、遊走能の増強が確認された物質をさらに選別する工程。 (もっと読む)


【課題】漏れインダクタンスにより生じる不具合を抑制させることが可能なワンコンバータ式車載用充電装置を提供する。
【解決手段】充電装置100によると、アクティブクランプ回路130が設けられるので、フルブリッジ回路140が第2の切換状態へスイッチングされる際、当該アクティブクランプ回路130にリアクトル電流ILrの通過経路が形成され、漏れインダクタンスLleakに起因する過電圧が抑制される。このため、充電装置100は、フルブリッジ回路140のパワートランジスタ141〜144について許容耐圧を高く設定する必要がなくなる為、製品コストの高騰を抑えることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】基板に形成されているフォトデバイスの光励起キャリア発生領域を非接触で検査する技術を提供する。
【解決手段】検査装置100は、フォトデバイスが形成された太陽電池パネル90を検査する。検査装置100は、パルス光LP11を太陽電池パネル90の受光面91S側から照射する照射部12と、該パルス光LP11の照射に応じて発生するテラヘルツ波パルスTL1の電界強度を検出する検出部13(検出器132)とを備える。 (もっと読む)


【課題】環境ストレス耐性ヤトロファを作出することであり、そのために野生型ヤトロファを環境ストレス耐性に形質転換させることのできる遺伝子等を見出すことである。
【解決手段】グリシンサルコシンメチルトランスフェラーゼ遺伝子およびN,N−ジメチルグリシンメチルトランスフェラーゼ遺伝子で形質転換された、環境ストレス耐性ヤトロファである。この環境ストレス耐性ヤトロファは、グリシンベタインを過剰に合成するために、浸透圧ストレス、乾燥ストレス、低温ストレス、高温ストレス等の多様な環境ストレスに対して、優れた耐性を有する。 (もっと読む)


【課題】新規な材料で構成された熱電変換素子を提供する。
【解決手段】 本発明による熱電変換素子(10)は、n型半導体層(20n)と、p型半導体層(20p)とを備える。p型半導体層(20p)は、CuGaTe、CuGaTe、CuGaTeおよびCuGaTeからなる群から選択された少なくとも1つを含む。熱電変換素子(10)は800K以上の温度下で好適に用いられる。例えば、p型半導体層(20p)はCuGaTeを含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】所望のパターンに沿ってカーボンナノウォールを配向させることが可能なカーボンナノウォール配列体を提供する。
【解決手段】カーボンナノウォール配列体10は、基板1と、カーボンナノウォール2〜9とを備える。基板1は、シリコンからなる。そして、基板1は、凸部11と凹部12とを含む。凸部11および凹部12は、方向DR1に沿って基板1の一方の表面に形成される。凸部11および凹部12は、方向DR1に垂直な方向DR2において、交互に形成される。凸部11は、方向DR2において、0.1〜0.5μmの長さを有し、凹部12は、方向DR2において、0.6〜1.5μmの長さを有する。また、凸部11の高さは、0.3〜0.6μmである。カーボンナノウォール2〜9の各々は、基板1の凸部11の長さ方向(=方向DR1)に沿って凸部11上に形成される。 (もっと読む)


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