【課題】バスに接続されるモジュールのアドレスを簡易かつ効率的に設定するためのアドレスデコーダ及びアドレス設定方法を提供する。
【解決手段】アドレスデコーダ１０は、レベル比較器１１、エッジ検出器１２、出力デコーダ１３を備えている。レベル比較器１１は、ＳＤＡ端子に入力されたＳＤＡ信号とＡＤＤＲ端子に入力されたアドレス選択信号とを比較し、比較結果を出力する。ここで、両者が一致している場合には、すべてのスレーブアドレスを受信するまで比較を続ける。一致していない場合は以降の比較は行なわない。エッジ検出器１２は、ＡＤＤＲ端子に入力されたアドレス選択信号のエッジを検出する。出力デコーダ１３は、ＡＤＤＲ端子の接続先に応じたアドレスを設定することにより、アドレスデコーダ１０に接続されたスレーブモジュールのアドレスを決定する。 （もっと読む）

【課題】様々なロード及び格納命令を用いて、多重ベクトル・エレメントをレジスタ・ファイル内のレジスタとメモリとの間で転送する。
【解決手段】オペランド及びデータ・エレメントを格納するメモリと、少なくとも１つの汎用レジスタと、少なくとも第１の命令、及び、第１の命令に続く第２の命令を実行するプロセッサ回路と、を備え、第１の命令によって、少なくとも１つの汎用レジスタにおいてキューされるべき、メモリからのデータ・エレメントのストリームの転送を開始し、第２の命令が、少なくとも第１のソース・オペランドを含み、少なくとも１つの汎用レジスタが、第２の命令のソース・オペランドとして現れることに基づいて、プロセッサ回路が、条件付きで、メモリから、データ・エレメントのストリームの次の部分を、少なくとも１つの汎用レジスタの中にロードする、データ処理システム。 （もっと読む）

【課題】チャージポンプを用いずに、出力周波数の精度を高くすることのできる自動調整発振器を提供する。
【解決手段】発振器１０は、発振回路１１、パルスカウンタ１２、充電回路１３、リセット回路１４、調整回路１５及びタイミング制御部を備えている。タイミング制御部から供給されたカウント開始信号に基づいてパルスカウンタ１２は、発振回路１１から出力される周波数ｆ０のパルス信号をカウントし、この間、出力信号Ｓ１を充電回路１３に供給する。充電回路１３は、出力信号Ｓ１が供給されている間、定電流減ＰＳ１とコンデンサＣ１とを接続し、接続ノードＮＤ１の電圧Ｖ１を上昇させる。調整回路１５は、出力信号Ｓ１の出力が終了した場合の電圧Ｖ１が、高電位基準電圧ＶＨより高い場合には、周波数ｆ０を高くする調整値を発振回路１１に供給し、低電位基準電圧ＶＬより低い場合には、周波数ｆ０を低くする調整値を発振回路１１に供給する。 （もっと読む）

連続時間型シグマデルタ変調器の装置を提供する。シグマデルタ変調器（１００、２００、３００）は、アナログ信号をデジタル値に変換するように構成された量子化器（１０６、２０６、３０６）を備える。主フィードバック構成（１０８、２０８、３０８）は量子化器に接続されており、デジタル値を第１遅延期間だけ遅延させ、この遅延値に基づき主フィードバック信号を生成する。補償フィードバック構成（１１０、２１０、３１０）は量子化器に接続されており、デジタル値を第２遅延期間だけ遅延させ、この遅延値に基づき補償フィードバック信号を生成する。フォワード信号構成（１０４、２０４、３０４）は、入力信号、主フィードバック信号および補償フィードバック信号に基づき量子化器におけるアナログ信号を生成する。第２遅延期間は第１期間から独立しており第１期間によって影響されず、第２遅延期間は補償フィードバック信号が第１遅延期間を補償するように選択される。
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ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）１０をリフレッシュする方法は、第１リフレッシュレートでＤＲＡＭの少なくとも一部２３にリフレッシュを実行するステップと、第２リフレッシュレートでＤＲＡＭの少なくとも第２部分２４にリフレッシュを実行するステップとを含む。第２部分は、第１リフレッシュレートでデータ保持基準を満たさないＤＲＡＭの１つまたは複数の行を含み、第２リフレッシュレートは第１リフレッシュレートより高い。
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【課題】貫通ビア構造を備えた高品質な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通ビアを形成する領域に窓領域を設けた酸化層パターンを備えた基板を製造する。更に、この基板を他の基板と貼り合せてＳＯＩ基板を生成する。次に、このＳＯＩ基板を研磨して薄層化する。次に、ＴＳＶ構造となる領域にアイランド領域を形成する。そして、このアイランド領域の間にデバイスを形成する。更に、デバイスとＴＳＶとを配線により接続する。次に、ＳＯＩ基板の裏面のシリコン基板を削除して、裏面にアイランド領域を露出させる。そして、埋め込み酸化層に形成された窓領域を介して、ＴＳＶとのバックコンタクトを形成する。 （もっと読む）

データ処理システム（１０）及び方法は、外部デバッグツールをリアルタイムトレース機能を有するように許可することによってデバッグメッセージを生成する。データプロセッサ（２０、２２、２４）は複数のデータ命令を実行し、情報記憶のためにメモリ（３０）を使用する。デバッグ回路２６はアドレス変換トレースメッセージを含むデバッグメッセージを生成する。仮想形態及び物理形態との間にアドレスを変換するようにアドレス変換を実行するために、メモリ管理ユニット（１６）はアドレス変換論理（２０５）を有する。デバッグ回路（２６）は、１つ以上のアドレス変換マッピングは変更される時に通信を受信するためにメモリ管理ユニット（１６）に接続されるメッセージ生成回路（６４）を含む。メッセージ生成回路（６４）は、アドレスマッピングの変更を検出したことに応答してアドレス変換トレースメッセージを生成し、デバッグ回路（２６）の外部にアドレス変換トレースメッセージを与える。
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【課題】レギュレータの出力電圧を誤差電圧に対して線形的に制御できるパルス幅変調回路及びパルス幅変調方法と、出力電圧を簡単に制御可能なレギュレータとを提供する。
【解決手段】レギュレータは、パルス信号に応じてオン／オフを行なうスイッチング素子と、出力電圧と基準電圧Ｖrefとの差である誤差電圧Ｖerrと基準電圧Ｖrefとから決定さ
れるデューティ比に応じたパルス信号をスイッチング素子に供給するＰＷＭ制御回路２０とを備える。このＰＷＭ制御回路２０は、誤差電圧Ｖerrに応じた電流Ｉ１を流す電流源
２１と、この電流源２１とグランドとの間に設けられたキャパシタ２２と、比較器２５とを備える。比較器２５の非反転入力端子は電流源２１とキャパシタ２２の接続ノードが接続され、比較器２５の反転入力端子には基準電圧Ｖrefが印加され、比較器２５の出力信
号がスイッチング素子に供給される。 （もっと読む）

１つの実施形態において、第１基板（１０３）を第２基板（３０３）に接合するために有用な方法は、金属含有層を前記第１基板の上に形成する工程を含む。前記金属含有層は、１つの実施形態では、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子とすることができる半導体素子を取り囲む。前記第２基板（３０３）の上には、第１シリコン含有層（４０１）が形成される。第２ゲルマニウム／シリコン含有層（４０３）は前記第１層の上に形成される。第３ゲルマニウム含有層（４０５）は前記第２層の上に形成される。前記第３層を前記金属含有層に接触させる。熱（及び、幾つかの実施形態では圧力）を前記第３層及び前記金属含有層に加えて、導電性の機械的接合材料を前記第１基板と前記第２基板との間に形成する。機械的接合材料でＭＥＭＳのような半導体素子を取り囲む場合、機械的接合材料は、当該材料でＭＥＭＳの気密封止を行なってＭＥＭＳを保護することができるので極めて有利である。
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【課題】テスト回路を低耐圧の仕様にすることが可能であり、テスト回路の面積を小さくすることのできる半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】高電圧を用いて動作を行なう高電圧動作回路１１は、パッド１５，１６に接続されている。高電圧動作回路１１のテスト時に用いるマルチプレクサ１３は、パッド１５，１６，１７に接続されている。パッド１５，１６とマルチプレクサ１３とを接続する配線には、それぞれヒューズ２１，２２が設けられている。検査ボードは、高電圧動作回路１１のテスト終了後、パッド１７をグランドに接続し、切断処理信号をマルチプレクサ１３に供給し、パッド１５（１６）に電圧を印加する。切断処理信号を受信したマルチプレクサ１３は、パッド１５（１６）とパッド１７とを接続し、電流を流す。これにより、ヒューズ２１（２２）が切断され、マルチプレクサ１３を高電圧動作回路１１と絶縁状態にする。 （もっと読む）