電子デバイスの実施形態が、論理回路１３０、スイッチング素子１３２および静止電流（ＩＤＤＱ）評価回路１３４を含む。論理回路１３０は第１接地ノード１５４に接続される。スイッチング素子１３２は、第１接地ノード１５４と第２接地ノード１５６との間に接続される。スイッチング素子１３２は、電子デバイスがＩＤＤＱ評価状態２１６である場合に電気的に非導通状態であり、電子デバイスがＩＤＤＱ評価状態２１３ではない場合に、電気的に導通状態であるように構成される。電子デバイスがＩＤＤＱ評価状態である場合に、ＩＤＤＱ評価回路１３４は、第１接地ノード１５４と第２接地ノード１５６との間に生じるＩＤＤＱ指示電圧が基準電圧２２０を超える場合に第１出力信号を供給するように構成される（ブロック２２４）。他の実施形態は、電子デバイス内でＩＤＤＱの指示子を生成する方法（図２）およびＩＤＤＱの指示子を生成する機能を有する電子デバイスを製造する方法（図４）を含む。
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ブラウンアウト検出回路（１６）は、第１抵抗素子（３８）と、第１トランジスタ（４６）と、第２トランジスタ（５０）と、比較器（４０）とを備える。第１抵抗素子（３８）が、第１電源電圧端子および第２端子に接続される第１端子を有する。第１トランジスタ（４６）は、第１導電性タイプであり、第１抵抗素子（３８）の第２端子に接続される第１電流電極と、制御電極と、第２電流電極とを有する。第２トランジスタ（５０）は、第２導電性タイプであり、第１トランジスタ（４６）の第２電流電極に接続される第１電流電極と、制御電極と、第２電源電圧端子に接続される第２電流電極とを有する。比較器（４０）は、第１抵抗素子（３８）の第１端子に接続される第１入力端子と、第１抵抗素子（３８）の第２端子に接続される第２入力端子と、ブラウンアウト検出信号を供給するための出力端子とを有する。
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関連するデバイスまたは回路２４を保護する静電気放電（ＥＳＤ）保護クランプ２１、２１’、７０、７００は、バイポーラ２１、２１’、７０、７００を備える。アバランシェ降伏が、上にある誘電体・半導体界面７９１から離れ、デバイス７０、７００のベース領域７４、７５の部分８４，８４以内に望ましく起こるように向かうベース７５およびコレクタ８６領域のドーパントを構成される。例えば、半導体ダイまたはウェハのトランジスタ２１、２１’、７０、７００の異なる方位配向のおかげで、ＥＳＤトリガ電圧の最大変化（△Ｖｔ１）ＭＡＸはベース・コレクタ間隔寸法Ｄの関数である。トリガ電圧一貫性および製造歩留まりが改良される。
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半導体層（１２）に半導体デバイス（１０）を形成する方法が提供される。方法は、半導体層（１２）の上方に選択ゲート誘電体層（１４）を形成すること、選択ゲート誘電体層（１４）の上方に選択ゲート層（１６）を形成すること、選択ゲート層の少なくとも一部分を除去することによって、選択ゲート層（１６）の側壁を形成することを含む。方法は、選択ゲート層（１６）の側壁の少なくとも一部分に、および選択ゲート層（１６）の少なくとも一部分の下に、犠牲層（２２）を成長させること、犠牲層（２２）を除去して、選択ゲート層の側壁の少なくとも一部分の表面および選択ゲート層の下の半導体層の表面を露出させることをさらに含む。方法は、制御ゲート誘電体層（２８）、電荷蓄積層（３２）、および制御ゲート層（３４）を形成することをさらに含む。 （もっと読む）

第１ウェハ１０５を第２ウェハ１０３に電気的に結合する方法が提供される。方法が、結合物質１２１を用いて第１ウェハを第２ウェハに結合することを含む。方法が、第２ウェハのスクライブ領域１４１または１４３における第１ウェハに開口２０１または２０３を形成して、第２ウェハの導電性構造１０８または１１２の表面を露出させることをさらに含む。方法が、第１ウェハおよび第１ウェハの開口の上方に導電性層３０１を形成し、導電性層が第２ウェハの導電性構造１０８または１１２との電気的接続を形成し、第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合することをさらに含む。
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微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）（１０）を形成する方法は、キャップ基板（５２）を提供するステップと、支持基板（１２）を提供するステップと、支持基板上に導電材料（２２）を堆積させるステップと、導電材料のパターニングを行ってギャップ停止部（４０，４４）と接点とを形成するステップとを含む。ギャップ停止部は、開口（３６，３８）によって接点から分離され、接点上で且つ開口中の結合材料（５８）を形成する。ギャップ停止部と接点とは、結合材料を形成するステップによって、結合材料が開口から外側に延びてキャップ基板が支持基板に取り付けられるのを防止する。さらに、その構造が記述される。
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縦型トランジスタ装置は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料から形成される基板（１００）と、少なくとも部分的に基板内に収容される多層スタック（１１６）とを備える。多層スタックは、基板（１００）に隣接して配置される半絶縁層（１０８）と、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料から形成されており、半絶縁層に隣接して配置される第１の層（１１０）とを備える。多層スタック（１１６）はまた、第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料から形成されて、第１の層（１１０）に隣接する第２の層（１１２）と、第１の層と第２の層との界面に形成されるヘテロ接合部とを備える。
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第１のエネルギ源（１１６）から第２のエネルギ源（１１８）に電力を供給するシステムおよび方法が提供される。第１のエネルギ源（１１６）から第２のエネルギ源（１１８）に電力を供給する電気システム（１００）は、第２のエネルギ源に連結されるインタフェース（１１４）と、第１のエネルギ源とインタフェースとの間に連結されるスイッチング素子（１０８）と、スイッチング素子とインタフェースに連結される処理システム（１２２）とを含む。処理システムは、インタフェースが第２のエネルギ源に連結されていることを示すインタフェースの電気的特性に基づいて接続イベントを識別（４０４）し、接続イベントを識別したことに応答して、スイッチング素子（１０８）を作動させて第１のエネルギ源（１１６）からの電流路を提供するように構成されている。
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複数の通信制御ユニットを有する分散通信システム用のアドバンスド通信制御ユニット６０が提示され、複数の通信制御ユニットの少なくとも１つがアドバンスド通信制御ユニットであり、その各々は通信媒体に接続され、通信プロトコルを用いて通信する。アドバンスド通信制御ユニットは、アドバンスド通信制御ユニットの少なくとも１つのプロトコル事象データ伝送経路６６に接続されたモニタ入力６４及びメモリ素子７０に接続されたデバッグ出力６８を有し、少なくとも１つの設定パラメータに応じてモニタ入力から受信したプロトコル事象データをフィルタ処理し、フィルタ処理されたプロトコル事象データをデバッグ出力に提供するプロトコル事象記録回路６２を備える。アドバンスド通信制御ユニットのプロトコル事象記録回路を用いてプロトコル事象を記録するための方法及び少なくとも１つのアドバンスド通信制御ユニットを含む乗り物８０が開示される。
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電話会議システムは、電話会議中に音信号の少なくとも２つの入力ストリームをそれぞれ別の供給源から受信するための入力インターフェースを備える。ある数の中心的話者のストリームを入力ストリームから選択するための選択ユニットが入力インターフェースに接続されており、数は中心的話者最大数以下であり、中心的話者のストリームはそれぞれ、対応する中心的話者からの話し言葉を表わす。選択されたストリームを混合して出力ストリームにするための混合器が選択ユニットに接続されている。電話会議システムは、出力ストリームを出力するための出力インターフェースと、選択ユニットおよび入力インターフェースに接続された、電話会議中に電話会議の動態に基づいて中心的話者最大数を動的に設定するための選択制御ユニットとを備えている。
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