少なくとも１つの第１ダイ１２および少なくとも１つの第２ダイ１３を含むウェハ１０が提供され、国庫で、第１ダイおよび第２ダイは第１ダイと第２ダイとの間の領域によって互いに分離される。ウェハが、ウェハをパターニングするために使用されるツールとウェハの位置を合わせるために使用される第１位置決めマーク群３１をさらに含む。位置決めマーク群３１は第１ダイ１２と第２ダイ１３との間の領域に全体的に配置され、位置決めマーク群が複数の位置決め線３６、３７、３８を含み、ここで、複数の位置決め線の各線は絶縁材料によって充填される複数のギャップ５１、５２、５３，５４によって互いに分離される複数のセグメント４５、４６、４８、４９を用いて形成される。
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【課題】本発明は、単一のＴＡＰ（テストアクセスポート）を介して複数のＴＡＰにアクセスする集積回路を提供する。本来は別々のＩＣで使用されるように設計された、種々の再使用可能なＩＣの一部やモジュールの制御およびテストを統合できるようにする。
【解決手段】第１複製状態マシン（２６）と第２複製状態マシン（２８）をそれぞれ用いることによって、第１状態マシン（２０）と第２状態マシン（２２）のいずれも修正することなく、第１状態マシン（２０）と第２状態マシン（２２）を個別にテストする。 （もっと読む）

実施形態は、静電容量式タッチセンサおよび静電容量式タッチセンサを設定する方法を含む。静電容量式タッチセンサの実施形態は、アナログデジタル変換器２０８（ＡＤＣ）およびコントローラ２０２を含む。ＡＤＣは、電極１０６からアナログ電圧信号２５２を受信し、複数のデジタル値を生じるためにアナログ電圧信号をサンプリングする。コントローラは、第１充電期間で電極に第１充電電流を供給することによって第１充電プロセス５０４を実行し、デジタル値に基づきコントローラは、第１電極電圧が基準を満たすか否か判定する。満たしていない場合、コントローラは、電極のための第２充電電流および第２充電期間を設定することをもたらす設定プロセス５２４を実行する。設定プロセスは、第２充電プロセスの実行に応答して、基準を満たす第２電極電圧値を生じる。
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【課題】めっき動作を動的に制御することの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ２０上に銅層を形成する方法は、ウェハ２０を電気めっきチャンバ１０内に配置する段階であって、電気めっきチャンバ１０が少なくとも一つの電気コンタクト１８を通じてウェハ２０に電気的に接続される制御システム３４を有し、制御システム３４がウェハ２０に電力を提供する、段階と、ウェハ２０に給電して、ウェハ２０上に銅を電気めっきする段階と、電気めっき中にウェハ２０の電気特性を監視して、電気めっきチャンバ１０内の条件を変更すべきときを判断する段階とを備える。 （もっと読む）

方法および装置はトランジスタを製造するために提供される。トランジスタが、半導体材料１０４、１０６、１０８、１１０上に配置されたゲートスタック１４２、１４４、１４６を備える。ゲートスタックが、半導体材料上に堆積される酸化物層１２６、堆積された酸化物層上に配置された酸素拡散バリア層１２８、酸素拡散バリア層上に配置された高誘電率の誘電体層１３４、および高誘電率の誘電体層上に配置された酸素ゲッター導電性層１３８を備える。酸素拡散バリア層が、堆積された酸化物層から酸素ゲッター導電性層への酸素の拡散を防止する。
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【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第１期間３０２の間にウェハに対する第１電力を正にパルス化する段階と、第１期間３０２に続く第２期間３０４の間にウェハに対する第２電力を負にパルス化する段階と、第２期間３０４に続く第３期間３０６の間にウェハに対する第３電力を正にパルス化する段階とを備える。 （もっと読む）

回路が、電力トランジスタ４８、駆動制御回路１６、可変クランプ回路２４、およびターンオフ制御回路１８を有する。電力トランジスタが、第１電源端子に接続される第１電流電極、回路の出力５０としての第２電流電極、および制御電極を有する。駆動制御回路が、電力トランジスタの制御電極に接続される出力を有して、回路のアクティブモードの間、電力トランジスタを制御する。可変クランプ回路は、回路の出力と第１電源端子との間に接続される。ターンオフ制御回路は、可変クランプ回路に接続され、回路をアクティブモードから非アクティブモードに移行する間、可変クランプ回路のクランプレベルを選択する。
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応力分離部を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス２０は、第１の構造層２４に形成された要素２８，３０，３２、第２の構造層２６に形成された要素６８，７０、第１の構造層２４から離間された層２６を含む。製造方法は、層２４と２６との間に接合部７２，７４を形成する工程９２，９４，１０４を含む。接合部７２，７４は、第１層２４の相当する要素３０，３２を第２層２６の要素６８，７０に接続される。製造方法８０は、すべての要素３０，３２，６８，７０がＭＥＭＳデバイス２０の基板２２上に吊らされるように下にある基板２２から構造層２４，２６を解放する工程をさらに含む。ここで、要素３０，３２，６８，７０と基板２２との取付は基板２２の中央領域４６のみに起こる。
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【課題】ワイヤボンド接続の信頼性を低下させることなくダイをプローブ検査でき、小さいボンドパッドおよびボンドパッド間の微細なピッチ間隔でダイについての確実なプローブ検査が行える技術の提供。
【解決手段】ボンドパッド３６が、実質的に重なりのないプローブ３７領域およびワイヤボンド３８領域を有する。ボンドパッド３６は最終金属層パッド１６に接続されている。ボンドパッド３６はアルミニウム製であり、最終金属層パッド１６は銅製である。プローブ３７領域をワイヤボンド３８領域から分離することで、最終金属層パッド１６がプローブ検査によって損傷を受けることが防止され、より信頼性の高いワイヤボンドが可能となる。 （もっと読む）

パルス幅変調（ＰＷＭ）周波数変換器１００は、入力ＰＷＭ信号を等しいデューティ比を維持しつつ、異なる周波数を有する出力ＰＷＭ信号を変換する。ＰＷＭ周波数変換器１００は、サンプリングクロック１１２を用いてＰＷＭサイクルで入力ＰＷＭ信号をサンプリングする。フィルタモジュール１０８は、クロック不整合の可能性、クロックジッタ、環境変化、および非決定性問題によって導入された雑音を補償するためのＰＷＭパラメタの得られたセットをフィルタリングし、フィルタリングされたＰＷＭパラメタを生成する。フィルタモジュールによって採用されたサンプリングは、ＰＷＭパラメタと以前にサンプルされたＰＷＭサイクルから以前のＰＷＭパラメタとの差を所定変化閾値に比較する。ＰＷＭパラメタのフィルタリングされたセットは次に、出力信号の相当するＰＷＭサイクルを生成するために用いられる。
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