半導体ウェハの製造プロセスが開示されている。メタル配線の表面に発生するデンドライトや電気分解反応を抑止するため、半導体ウェハに対して溶液が適用される。その溶液は、ＣＭＰ処理の際又はＣＭＰ洗浄後処理の際に適用される。その溶液は、界面活性剤及び防食剤を含む。一実施形態では、その溶液中に含まれる界面活性剤の濃度が約１重量パーセント未満に設定され、防食剤の濃度が約１重量パーセント未満に設定される。また、その溶液は、溶媒及び共溶媒を含むこともできる。別の実施形態では、その溶液が、界面活性剤及び防食剤を含まず、溶媒及び共溶媒を含む。一実施形態では、ＣＭＰ処理及びＣＭＰ洗浄後処理を、約１μｍ未満の波長を持つ光の存在下で実施できる。
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アクティブフューズはアクティブフューズ構造（１２０）を備え、この構造を使用して可変抵抗体（１０６）及び選択トランジスタ（１１０）の双方を形成する。一の実施形態では、アクティブフューズ構造は、半導体基板（１４０）の活性領域（１６０）の一部に形成され、選択ゲート（１２４）はアクティブフューズ構造の一方の端部（１２３）の上に配置されてアクティブフューズへの書き込みに使用する一体型選択トランジスタ（１１０）を形成する。共有型のアクティブフューズ構造を活性領域の内部に使用することによって、面積要件を縮小し、かつ検出マージンを大きくすることができる。
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異種金属により形成されるデュアルメタルゲートを備えるＭＯＳトランジスタ（１０）を形成する方法を提供する。ＨｆＯ_２のようなゲート誘電体（３４）を半導体基板（３１）の上に堆積させる。次に、犠牲層（３５）をゲート誘電体（３４）を覆うように堆積させる。犠牲層（３５）をパターニングして、基板（３１）の第１領域（３２）（例えばｐＭＯＳ）の上のゲート誘電体（３４）が露出し、かつ基板（３１）の第２領域（３３）（例えばｎＭＯＳ）の上のゲート誘電体（３４）が犠牲層（３５）によって保護されたままになるようにする。第１ゲート導体材料（５１）を残りの犠牲領域（３５）の上に、かつ露出したゲート誘電体（３４）の上に堆積させる。基板（３１）の第２領域（３３）の上の第１ゲート導体材料（５１）がエッチングにより全て除去されるように第１ゲート導体材料（５１）をパターニングする。第１ゲート導体材料（５１）を取り除く際に、第２領域（３３）上の犠牲層（３５）は、下層の誘電体材料（３４）にダメージが加わるのを防止するように機能することができる。
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半導体デバイス用の整合補助部（１１５）に関する。整合補助部は、高い反射度を有する領域（１２３）と、低い反射度を有する隣接領域（１２５）とを備える。低い反射度を有する領域には、半導体デバイスの相互接続層（２２５）に配置され、かつ半導体デバイスの能動回路（２１８）の上方に配置されている、１層以上のタイル（２０３）が含まれる。一部の例では、整合補助部のタイルの走査方向への間隔は、整合補助部の走査に使用される光（例えば、レーザ光）の波長より短い。他の例では、整合補助部のタイルの走査方向への幅が、整合補助部の走査に使用される光の波長より短い。
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集積回路ダイ（１０）は、銅コンタクト（１６，１８）を有する。銅コンタクトは、周辺空気にさらされると天然の酸化銅を形成する。有機材料を、銅コンタクトに塗布する。有機材料は、天燃の酸化銅と反応して、銅コンタクト上に有機コーティング（１２，１４）を形成し、さらなる銅の酸化を防ぐ。このようにして、たとえば１００℃を上回る高温でさらに処理を行なっても、過剰な銅の酸化によって妨げられることはない。たとえば高温でワイヤ・ボンド・プロセスを行なっても、有機コーティングのために、信頼性の高いワイヤ・ボンディングを妨げる過剰な酸化には至らない。したがって、有機コーティングを形成することによって、信頼性が高くかつ耐熱性のあるワイヤ・ボンド（３２，３４）が可能になる。あるいは、集積回路ダイを形成する間のいつでも、露出する銅に有機コーティングを形成して、銅の酸化の形成を防止または抑制することができる。
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絶縁された、又は被覆されたワイヤを用いて、第一デバイスのボンドパッドと第二デバイスのボンドパッドとを接続する電気接続構造。電気接続構造は第一ワイヤボンドを有し、同ワイヤボンドは、絶縁されたボンドワイヤの第一の部分を第一デバイスのボンドパッドに対して固定する。第二ワイヤボンドは、絶縁ボンドワイヤの第二の部分を第二デバイスのボンドパッドに対して固定する。第二ワイヤボンド上に、同ワイヤボンドから偏位されたバンプが形成される。偏位バンプは第二ボンドを強化して、ワイヤの剥離強度を増大させる。
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