説明

フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッドにより出願された特許

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【課題】共有システムリソースのセマフォベースの保護のためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】データアクセス構成要素は、各々が共有システムリソースに対するアクセスを要求するアクセス要求を発行するように構成される。データアクセス構成要素は、前記共有システムリソースに領域記述子が関連付けられる。セマフォモジュールは、前記共有システムリソースについてのセマフォを実装するように、および、前記複数のデータアクセス構成要素のいずれかが前記共有システムリソースについての前記セマフォをロックした場合、いずれのデータアクセス構成要素が前記共有システムリソースについての前記セマフォをロックしたかを示すセマフォ信号を生成するように構成される。メモリ保護ユニットは、前記セマフォ信号および前記領域記述子に基づいて前記アクセス要求を認可または拒否するように構成される。 (もっと読む)


【課題】慣性センサを提供する。
【解決手段】慣性センサ(20)は、振動運動を受けるように構成された駆動質量(30)と、駆動質量(30)に連結された感知質量(32)とを含む。軸上トーションばね(58)は、感知質量(32)に結合され、当該軸上トーションばね(58)は回転軸(22)と同一ロケーションに配置されている。慣性センサ(20)は、軸外ばねシステム(60)をさらに含む。軸外ばねシステム(60)は、軸外ばね(68、70、72、74)を含み、その各々は、感知質量(32)上の回転軸(22)からずれたロケーションにおいて感知質量(32)に結合された接続接合部分(76)を有する。合わせて、軸上トーションばね(58)および軸外ばねシステム(60)は、感知質量(32)が、駆動質量(30)の駆動周波数に実質的に一致する感知周波数において回転軸(22)を中心として平面外で振動することを可能にする。 (もっと読む)


【課題】基板を貫通するバイアホールを与える。
【解決手段】半導体デバイス構造は、第1の濃度および第1の導電型のバックグラウンドドーピングを有する基板を含んでなる。基板貫通バイアは基板を貫通している。デバイスは基板の第1の面上に第2の導電型の第1のドープ領域を有する。第2のドープ領域が基板貫通バイアの周りにある。第2のドープ領域は、第1の濃度よりも大きい第2の濃度にドーピングされており、第1の導電型を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を完全に貫通しないためダイを個片化しない不完全エッチングと、材料を除去し過ぎてダイを薄化し過ぎるオーバーエッチングとの両方が防止され得るようにする。
【解決手段】半導体基板の正面のスクライブ領域の上に、終了点材料を含む終了点層を形成し、半導体基板の背面の上にマスク層を形成する。半導体基板からダイが形成される場所を規定するトレンチ領域をマスク層に形成した後、マスク層および半導体基板を同時にエッチングし、マスク層を除去すると同時に半導体基板にトレンチ領域を形成する。その後、半導体基板の背面からエッチングし、半導体基板を薄化すると同時に半導体基板のトレンチ領域を深くし、終了点材料を検出してから所定の時間後にエッチング工程を停止する。これによって、半導体基板が複数のダイへ個片化される。 (もっと読む)


【課題】マルチICデバイスをテストするための方法および装置を提供する。
【解決手段】集積回路は、入力信号を受け取るように構成される第1の入力相互接続と、テスト・イネーブル信号を受け取るように構成される第1のテスト・イネーブル相互接続と、前記入力信号に対応する値に基づいて該集積回路のテストを実行するためのコントローラと、入力ポートと、前記第1の入力相互接続、前記コントローラ、および前記入力ポートに結合され、前記テスト・イネーブル信号がアサートされていないことに応答して前記入力信号を前記入力ポートに渡し、前記テスト・イネーブル信号がアサートされていることに応答して前記入力信号を前記コントローラに渡すように制御可能である第1のマルチプレクサとを備える。 (もっと読む)


【課題】位相雑音および出力が改善された電圧制御発振器および関連システムを提供する。
【解決手段】電圧制御発振器は、第1の可変静電容量素子(120)と、第2の可変静電容量素子(122)と、可変静電容量素子(120、122)間に結合され、出力ノード(104)において、発振信号の振動周波数において可変静電容量素子(120、122)の間にインダクタンスを提供する誘導素子(132)とを含む。第1の可変静電容量素子(120)は第1の制御電圧ノード(110)および出力ノード(104)の間に結合され、第2の可変静電容量素子(122)は第1の制御電圧ノード(110)に結合され、第2の誘導素子(134)は第2の可変静電容量素子(122)および第2の制御電圧ノード(112)の間に結合される。 (もっと読む)


【課題】異なる転送プロトコルと互換性を有するインタフェース及び方法を提供する。
【解決手段】インタフェースは、パッドの組と通信するために選択的にイネーブルされる第1及び第2のタイプの物理インタフェースを含む。第1の転送プロトコル回路は第1のモードにおいて第1のタイプの物理インタフェースと協働して動作可能であり、第2の転送プロトコル回路は第2のモードにおいて第2のタイプの物理インタフェースと協働して動作可能である。モードコントローラは、動作モードを示すモード値に基づいて一方の物理インタフェース及び対応する転送プロトコルをイネーブルする。第1のモードがデフォルトのモードであり、モードコントローラは第2のモードへの動的な遷移をイネーブルする。第1のモードに戻る動的な遷移のために、第2のモード中にエスケープ指示がイネーブルされる。プログラム可能なタイミング値がモード遷移を容易にするために使用される。 (もっと読む)


【課題】メモリ保護ユニット(MPU)(60)と、メモリ保護ユニットに関連する複数の領域記述子62を含むコンピュータ処理システムと方法の実施形態が提供される。
【解決手段】領域記述子は、それぞれのメモリ領域に対するアドレスレンジと翻訳識別子値を含む。制御論理は、翻訳識別子制御インジケータが第1状態にあるか否か判定し、翻訳識別子制御インジケータが第1状態にある場合には、制御論理は、処理システムによって実行されている第1プロセスが処理システムによって実行されている第2プロセスに割当てられたメモリ領域にアクセスできるようにする。 (もっと読む)


【課題】
放射線を測定するための容量センサデバイスを提供する。
【解決手段】
デバイスは2つのセンサ領域および上部プレート構造を含む。センサ領域は、放射線がその材料に当たると電子−正孔対を生成する材料から成る。2つのセンサ領域の間に分離領域が配置される。センサ領域と上部プレートとの間のキャパシタンスはセンサ領域に当たる放射線に応じて決まる。遮断構造が、放射線の選択された入射角において他方のセンサ領域内の電子−正孔対生成に対してとは異なるように一方のセンサ領域の電子−正孔対生成に影響を与えるように、或る範囲内のパラメータ値を有する放射線をセンサ領域から選択的にかつ異なって遮断する。 (もっと読む)


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