説明

国立大学法人茨城大学により出願された特許

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【課題】二酸化炭素から高収率でシュウ酸を合成できる方法を提供する。
【解決手段】(A)金属原子と、1価の含窒素芳香族複素環基を3つ含む含窒素化合物と、式(1):
【化1】


(式中、Rは置換基を有してもよい炭素原子数1〜12個のヒドロカルビル基を表す。)
で表されるαケト酸とを含む金属錯体を、酸素の存在下で、二酸化炭素と反応させてシュウ酸含有錯体を生成させ、
(B)前記シュウ酸含有錯体を処理してシュウ酸を分離する、
ことを含むシュウ酸の合成方法。 (もっと読む)


【課題】温度の変化によって誘起される、温度変化応答性が高い反応の反応速度であってもNMR測定を用いて解析することができる核磁気共鳴を利用した反応速度解析装置を提供する。
【解決手段】温度の変化によって誘起される反応の速度を核磁気共鳴測定によって解析するための装置であって、1)試料溶液に磁場を与えるNMR磁石と、2)NMR磁石内のボアに設置され試料溶液が磁場を受ける保持部、保持部に連設する環状の配管、配管内で試料溶液を循環送液させるポンプ、試料溶液をNMR磁石外で温度調節する第一温度調節部、及び試料溶液をNMR磁石内で温度調節する第二温度調節部を備えた試料溶液循環系と、3)保持部外周に配置され試料溶液のNMR信号を検知する検出コイル、及びNMR信号を受けNMRスペクトルあるいはMRIイメージ画像に変換する分光計を備えた検出・制御部とからなる核磁気共鳴を利用した反応速度解析装置とした。 (もっと読む)


【課題】目的とする触媒の担持状態に応じたグラフェンシートの微細構造を設計することが可能なマリモカーボンの製造技術を提供すること。
【解決手段】表面が酸化されたダイヤモンド微粒子と、このダイヤモンド微粒子の表面に担持された遷移金属触媒と、この遷移金属触媒から等方向的に放射伸長しマリモ状に成長した多数のカーボンナノフィラメントからなる、ほぼ球状形態を有するマリモカーボンであって、
前記カーボンナノフィラメントは、ほぼ円錐カップ形状からなるグラフェンシートが該円錐の軸方向に積層して線状に成長してなる1次構造を有し、
前記前記グラフェンシートの前記円錐の半頂角の角度分布が比較的揃った分布を有するカーボンナノフィラメントによって構成されることを特徴とする、マリモカーボン。 (もっと読む)


【課題】導電性膜を作製してから、導電性膜に通電しナノギャップを作製するプロセスを行うことなく、エレクトロマイグレーション時の大幅な印加電流の低減とプロセス時間の短縮することができるナノギャップ電極の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体基板70上に金属電極80,81を形成し、この金属電極間にエレクトロマイグレーションを誘発する電圧又は電流を印加しながら、絶縁体基板上に導電性材料を堆積して、ナノスケールのギャップを有する導電性細線を形成する。 (もっと読む)


【課題】生育が促進され、且つ環境ストレスの高いアスパラガス苗を提供する。
【解決手段】アスパラガス苗の生育を促進させ得る根部エンドファイト、並びに、該エンドファイトを利用したアスパラガス苗の生産方法に関し、Phialocephala fortiniiに属する菌株FERM AP−22158を混合した培土上でアスパラガス苗を育苗することによって、生育が促進され且つ環境ストレス耐性が高いアスパラガス苗が提供される。 (もっと読む)


【課題】測定に必要な塩酸濃度を低下させつつ臭素酸イオン濃度を精度高く測定すること。
【解決手段】臭素酸イオンとの共存によって蛍光強度が変化する蛍光物質を試料水に添加し、塩酸添加により酸性条件とする第1工程と、蛍光物質の蛍光強度を計測する第2工程と、臭素酸イオンを含まない標準試料水の蛍光強度と計測された蛍光強度との差を蛍光強度差として算出する第3工程と、予め求めた蛍光強度差と臭素酸イオン濃度との検量線を用いて、算出された蛍光強度差から臭素酸イオン濃度を算出する第4工程とを含む臭素酸イオンの測定方法において、第2工程が、励起波長及び蛍光波長がそれぞれ264nm及び400nmである時、励起波長及び蛍光波長がそれぞれ264nm及び480nmである時、及び励起波長及び蛍光波長がそれぞれ300nm及び400nmである時のうちのいずれかの時の蛍光強度を計測する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】S/N比と迅速性の向上を図った質量分析装置を提供する。
【解決手段】パルス幅がピコ秒またはフェムト秒の紫外線領域の超短パルスレーザ光を出力する超短パルスレーザ装置8と、真空排気された真空容器2と、この真空容器内に配設されて、前記超短パルスレーザ光を複数回往復可能に反射させるように複数の凹面鏡をそれぞれ設けた一対の多面鏡を対向配置し、これら多面鏡の焦点に、前記超短パルスレーザ光を複数回通す多面鏡システム4と、多面鏡システムの焦点に向けてサンプルを含有した高温のサンプルガスを間欠的に噴射する高温パルスバルブ3と、多面鏡システムによりイオン化されたサンプルの質量を測定する飛行時間型質量分析器7と、真空容器内でイオン化されたイオンを質量分析器に導入させる電場を形成する電極5a,5bと、を具備している。 (もっと読む)


【課題】被接続部材との接続部におけるクラックの発生および進展を抑止する。
【解決手段】半導体装置10は、少なくともマグネシウムおよびシリコンを含有し、且つマグネシウムおよびシリコンの含有量の合計が0.03wt%以上1.0wt%以下であるアルミニウム合金からなるボンディングワイヤ17と、このボンディングワイヤ17が接続されるシリコンチップ16と、の接続部構造15を備える。シリコンチップ16の表面には、アルミニウム−シリコンフィルム16aが形成されている。接続部構造15は、ボンディングワイヤ17を構成するマトリクス層17a内と、このマトリクス層17aおよびアルミニウム−シリコンフィルム16aの間に形成されるアルミニウム合金の微細粒層17b内と、マトリクス層17aおよび微細粒層17bの界面とに、マグネシウムおよびシリコンを含む化合物18を備えている。 (もっと読む)


【課題】MgSi1−xSn系多結晶体であって、性能指数が高い、熱電変換素子および、熱電変換モジュールの提供。
【解決手段】Sb、P、As、Bi、Alから選択される少なくとも1種のドーパントAでドーピングされたMgSi1−xSn中に、Sc、Ti、V、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Wから選択される少なくとも1種の遷移金属Bの元素および/または遷移金属Bのシリサイドが分散していることを特徴とする下記式(1)で表されるMgSi1−xSn・Aa・Bb多結晶体。MgSi1−xSn・Aa・Bb、式(1)[ただし、式(1)中のxは0〜1、aはMgSi1−xSnに対するドーパントAの含有量であって0.01〜5mol%であり、bはMgSi1−xSnに対する遷移金属Bの含有量であって0.01〜5mol%である。] (もっと読む)


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