フォトマスク内の欠陥を処理するための方法およびシステムが提供される。フォトマスク内の欠陥を処理するための方法は、少なくとも第１のフォトマスクの設計トポロジを表すデータを含むフォトマスク・トポグラフィ・データを分析するステップを含み、この第１のフォトマスクは、フォトリソグラフィ・プロセス内の第１の層に対応する。少なくともこの分析に基づいて、第１のフォトマスクの１つまたは複数の安全領域が識別され、各安全領域は、第１のフォトマスク内に存在する潜在的な欠陥の影響を受けない第１の層の領域に対応する。
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基板の表面上のヘイズ成長を防止する装置および方法が開示される。この装置は、基板を保存する働きをする容器と、その容器に結合された気体源とを含む。気体源は、基板の表面上にヘイズが成長するのを防止するために、容器内に気体を分与する働きをする。
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デュアル・ダマシン構造を製造するためのフォトマスク、およびこれを形成する方法が提供される。多層ステップ・アンド・プリント（ＳＦＩＬ）テンプレートの製造方法は、基板と金属化層と第１のレジスト層とを含むブランクを提供するステップとを含んでいる。デュアル・ダマシン構造の金属層パターンは、リソグラフィ・システムを使用して基板内に第１の深さで形成される。ブランクから第１のレジスト層が除去され、第２のレジスト層が塗布される。リソグラフィ・システムを使用して、第１のパターンが第２の深さにエッチングされると同時に、第１の深さでデュアル・ダマシン構造のバイア層パターンが形成される。第１および第２のパターンは、ＳＦＩＬ工程を使用してデバイスの多層内に形成されるべきフィーチャに対応している。
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フォトマスクおよびフォトマスク上に非直交特徴を形成する方法が提供される。フォトマスク・ブランク上に非直交特徴を形成する方法は、基本形状と、基本形状を複数の描画可能形状へ分割することを含むマスク・パターン・ファイルを提供することを含む。描画可能形状によって形成される非直交特徴は、フォトマスク・ブランクのレジスト層上にマスク・パターン・ファイルからの描画可能形状を結像するようにリソグラフィ・システムを使用することによってフォトマスク・ブランク上に形成される。
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シミュレートされた形状（１０６）が生成された後で、シミュレートされた形状（１０６）が予測された結果としての形状（１０８）を生成するために変更されてもよい。予測された結果としての形状（１０８）は、フォトマスク（５２）が、フォトマスク（５２）を作製するために使用されるフォトマスク・ブランクのレジスト層に結像する入力として変更された形状（１０２）を使用して処理された場合はフォトマスク（５２）のパターン層（５８）に形成されることになる形状の予測を含む。言い換えれば、予測された結果としての形状（１０８）は、エッチング・プロセスがシミュレートされた形状（１０６）により定義されたパターン層（５８）のエリア上で実行された場合はパターン層（５８）に形成されることになる形状の予測を含む。
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フォトマスクは、パターン層、パターン層に隣接する位相シフト層、第１アパーチャ、第２アパーチャ、および光吸収層を含んでもよい。第１アパーチャは、光がパターン層および位相シフト層を通過することができるようにし、第１位相シフトを提供してもよい。第２アパーチャは、光がパターン層および位相シフト層を通過することができるようにし、第１位相シフトとは異なる第２位相シフトを提供してもよい。光吸収層は、第１アパーチャに隣接して配置されてもよく、第１アパーチャを通過する光の強度が第２アパーチャを通過する光の強度と実質的に等しくなるように第１アパーチャを通過する光の強度を低減する光吸収材料を含んでもよい。
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欠陥の画像を検査システムからデータベースに自動的に送信するシステム及び方法が開示される。その方法は、検査システムにロードされたリソグラフィコンポーネント上の欠陥を特定し、特定された欠陥の画像を捕捉する。オペレータは、特定された欠陥用の欠陥コードの選択を促され、捕捉された画像は、オペレータの欠陥コードの選択に応じて自動的にデータベースに送信される。
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フォトマスクおよびフォトマスク上に保護層を生成する方法が開示される。その方法は、基板の少なくとも一部に形成されたパターン層を備えるフォトマスクをチャンバー中に置く。酸素がパターン層に近接するチャンバー中に導入され、そのフォトマスクが、パターン層を不動態化してパターン層の光学的特性がクリーニングプロセスによって変化しないようにするために酸素とパターン層との間の反応を開始させる放射エネルギーに露出される。
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特定の実施形態においては、集積回路構成要素を形成する方法が提供されている。第１のタイプの集積回路構成要素に対応する第１のジオメトリを有する第１のマスク構成要素を含む第１のフォトマスクが形成される。第１のリソグラフィ・プロセスを実施して、半導体ウェーハ上の第１のダイ上の第１の位置に第１のフォトマスクの第１のマスク構成要素の第１のジオメトリを転写して、第１のダイ上に第１のタイプの集積回路構成要素の第１の集積回路構成要素を形成する。第２のリソグラフィ・プロセスを実施して、半導体ウェーハ上の第１のダイ上の第２の位置に第１のフォトマスクの第１のマスク構成要素の第１のジオメトリを転写して、第１のダイ上に第１のタイプの集積回路構成要素の第２の集積回路構成要素を形成する。
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集積回路構成部分を形成する方法が提供されている。第１のタイプの集積回路（ＩＣ）構成部分に対応したマスク特徴幾何学形状を有する第１のマスク特徴を含むフォトマスクが提供される。半導体ウェーハ上に第１のＩＣ構成部分を形成するために半導体ウェーハに第１のマスク特徴幾何学形状を転写するための第１のリソグラフィ・プロセスが行われる。半導体ウェーハ上の第１のＩＣ構成部分の少なくとも１つの電気特性が測定される。第１のＩＣ構成部分の少なくとも１つの電気特性を測定した結果に少なくとも基づき、第１のマスク特徴幾何学形状が物理的に修正される。
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