説明

有限会社 渕田ナノ技研により出願された特許

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【課題】エアロゾル化ガスデポジション法によって良好な膜質を得ることが可能なイットリア膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】エアロゾル化ガスデポジション法によって、高純度イットリア膜を成膜する成膜方法であって、平均粒子径が1μm以上10μm以下であり、かつ比表面積が1m/g以上4m/g以下であるイットリア微粒子Pを密閉容器2に収容し、密閉容器2にガスを導入することによって、イットリア微粒子PのエアロゾルAを生成させ、密閉容器2に接続された搬送管6を介して、密閉容器2よりも低圧に維持された成膜室3にエアロゾルAを搬送し、成膜室3に収容された基材S上にイットリア微粒子Pを堆積させる。上記条件を満たすイットリア微粒子を用いることで、緻密かつ、基材への密着力が高いイットリア薄膜を成膜することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】エアロゾル化ガスデポジション法によって良好な膜質を得ることが可能なジルコニア膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】エアロゾル化ガスデポジション法によって、高純度安定化ジルコニア膜を成膜する成膜方法であって、平均粒子径が0.7μm以上11μm以下であり、かつ比表面積が1m/g以上6.5m/g以下である、乾式法で作製されたジルコニア微粒子Pを密閉容器2に収容し、密閉容器2にガスを導入することによって、ジルコニア微粒子PのエアロゾルAを生成させ、密閉容器2に接続された搬送管6を介して、密閉容器2よりも低圧に維持された成膜室3にエアロゾルAを搬送し、成膜室3に収容された基材S上にジルコニア微粒子Pを堆積させる。上記条件を満たすジルコニア微粒子を用いることで、緻密かつ、基材への密着力が高いジルコニア薄膜を成膜することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】エアロゾル化ガスデポジション法によって良好な膜質を得ることが可能なジルコニア膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】エアロゾル化ガスデポジション法によってジルコニア膜を成膜する成膜方法であって、平均粒子径が2μm以上4μm以下であり、かつ比表面積が4m/g以上7m/g以下であるジルコニア微粒子Pを密閉容器2に収容し、密閉容器2にガスを導入することによって、ジルコニア微粒子PのエアロゾルAを生成させ、密閉容器2に接続された搬送管6を介して、密閉容器2よりも低圧に維持された成膜室3にエアロゾルAを搬送し、成膜室3に収容された基材S上にジルコニア微粒子Pを堆積させる。
上記条件を満たすジルコニア微粒子を用いることで、緻密かつ、基材への密着力が高いジルコニア薄膜を成膜することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】エアロゾル化ガスデポジション法によって良好な膜質を得ることが可能なジルコニア膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】エアロゾル化ガスデポジション法によって、イットリアを含む安定化ジルコニア膜を成膜する成膜方法であって、平均粒子径が1μm以上5μm以下であり、かつ比表面積が1m/g以上4m/g以下であるジルコニア微粒子Pを密閉容器2に収容し、密閉容器2にガスを導入することによって、ジルコニア微粒子PのエアロゾルAを生成させ、密閉容器2に接続された搬送管6を介して、密閉容器2よりも低圧に維持された成膜室3にエアロゾルAを搬送し、成膜室3に収容された基材S上にジルコニア微粒子Pを堆積させる。上記条件を満たすジルコニア微粒子を用いることで、緻密かつ、基材への密着力が高いジルコニア薄膜を成膜することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】ガス供給量が低減されたガスデポジション装置を提供すること
【解決手段】
上記課題を解決するための、本発明の一形態に係るガスデポジション装置1は、搬送管4に嵌合する位置と嵌合しない位置のいずれかをとる可動部材15を有するガス規制機構と、微粒子流fの流路上の位置とそれ以外の位置をとる吸引口18を有する吸引機構7とを具備する。
成膜停止時において、可動部材15が搬送管4と嵌合することで、搬送管4の第1の開口4cに流入するガスの流量が規制される。同時に吸引口18が上記規制されたガス流量を微粒子流fの経路上において吸引する。成膜時に搬送管4を流通して微粒子を搬送するガス流量の一部を、成膜停止時において微粒子の排出に流用することにより必要なガス供給量が低減される。 (もっと読む)


【課題】蒸発源と超微粒子生成室と、搬送管と、該ノズルに対向して配置される基板を内蔵する膜形成室とからなり、蒸発源から加熱蒸発されて生成する超微粒子を不活性ガスと共に超微粒子生成室から搬送管によって真空下の膜形成室へ搬送し、ノズルから噴射させて、基板上に超微粒子の膜を形成させるようにし搬送管とノズルとが加熱され、搬送管の入口端より上方に搬送管と同心軸的に該搬送管より大径の吸い込み管が配設され、該吸い込み管と搬送管との間の環状空間が排気装置に接続されているガスデポジション装置において、転写可能なリチウム薄膜を基板上に形成すること。
【解決手段】蒸発源はリチウムまたはリチウム合金の蒸発源であり、基板はフレキシブルで耐熱性のある合成樹脂でなり該基板の表面温度を合成樹脂の軟化点以下の温度に加熱しながら超微粒子のリチウムまたはリチウム合金の膜を形成させるようにした。 (もっと読む)


【課題】 リチウムの放電容量を向上させること。
【解決手段】 純度99.9995%以上の不活性ガス雰囲気の超微粒子生成室内でリチウムまたはリチウム合金材料を加熱により加熱蒸発させてリチウムまたはリチウム合金の超微粒子を生成し、該超微粒子を前記不活性ガスに同伴させて搬送管により真空雰囲気の膜形成室内に搬送し、前記搬送管の先端に取り付けられ前記超微粒子の融点以下の温度に加熱されたノズルから前記膜形成室内に配置された基板に向けて前記超微粒子を前記不活性ガスの圧力で噴射すると共に前記ノズル又は前記基板の一方を任意の移動速度で移動させることにより前記基板上にリチウムまたはリチウム合金の薄膜を形成するようにし、前記不活性ガスを真空室内に導入する前に、真空排気系による前記膜形成室内の到達真空度を5×10-4Pa以下とする。 (もっと読む)


【課題】 純度の高いリチウム薄膜を形成すること。
【解決手段】 不活性ガス雰囲気の超微粒子生成室内で、リチウムまたはリチウム合金材料を加熱蒸発させてリチウムまたはリチウム合金の超微粒子を生成し、該超微粒子を前記不活性ガスに同伴させて搬送管により真空雰囲気の膜形成室内に搬送し、前記搬送管の先端に取り付けられ前記超微粒子の融点以下の温度に加熱されたノズルから前記膜形成室内に配置され、100℃からリチウム金属、またはリチウム合金の融点以下までの温度に加熱された基板に向けて前記超微粒子を前記不活性ガスの圧力で噴射すると共に前記ノズル又は前記基板の一方を任意の移動速度で移動させることにより前記基板上に所望の膜厚でリチウムまたはリチウム合金の薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 基板上に超微粒子の膜を制御性良く形成する方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 巻き上げガス供給管のガス噴出口を超微粒子粉内に埋設し容器に気密に接続させた搬送ガス供給管からの搬送ガスを整流して、密閉性容器に供給し、該搬送ガスにより搬送管を通ってエアロゾルを膜形成室内に導入するようにするか、または密閉性容器に更に気密に搬送ガス供給管を接続させ、該搬送ガス供給管のガス排出口には整流器を設け、該整流器から噴出される整流ガスを密閉性容器内に噴出させ、かつ、巻き上げガス供給管の噴出口は超微粒子粉内に埋設され、噴出口から噴出される巻上げガスにより発生されるエアロゾルを整流ガスにより搬送管内を搬送し、膜形成室内に配設された基板上に超微粒子の膜を付着させるようにした。 (もっと読む)


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