説明

サンデュー・テクノロジーズ・エルエルシーにより出願された特許

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高静電容量密度及び高エネルギー貯蔵を有する静電コンデンサは、原子層成長法により堆積した高度コンフォーマル接触層を用いて、慣用の電解コンデンサアノード基板上に実装される。エネルギー貯蔵電気回路及び電子回路及びPC板上への集積に適切なコンデンサ膜は、長寿命及び高温作動範囲に耐える。
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フェイルセイフ高速空気弁の装置および方法が開示される。フェイルセイフの信頼性は、スプリング式の常閉空気圧式アクチュエータにより実現される。スプリング式アクチュエータが加圧されると、常閉メカニズムが作動され、弁活性位置に来る。それと同時に、圧力が直接加えられ、ダイアフラムまたはベローズアセンブリをたわませて密封位置に戻す。標準ドーム型ダイアフラムを備える超高純度実施形態が開示されている。追加の高伝導性ダイアフラムおよびベローズ実施形態は、より高い伝導性の弁に使用される。新規性のある流路レイアウトが開示されている。弁は、ガスおよび流体の高速切り換えに応用することが可能であり、高生産性原子層蒸着(ALD)アプリケーションに特に好適である。追加の実施形態は、ダイアフラムの改善、シール信頼性の向上、外部調整可能弁伝導性、弁安全性の向上、および高温弁シールを対象とする。
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