説明

ナノシス・インコーポレイテッドにより出願された特許

1 - 10 / 24


【課題】複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置。
【解決手段】ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、p型ドーピングナノワイヤおよびn型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。 (もっと読む)


【課題】コンパクトであるとともに発電特性が良好な触媒層、燃料電池用膜電極複合体、燃料電池、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】燃料電池用膜電極複合体に用いられる触媒層は、互いに隣り合う凝集体同士が細孔を設けた状態で接する複数の凝集体を含み、前記複数の凝集体のそれぞれは、繊維状の担持体に貴金属微粒子を担持させた複数の触媒が、互いに隣接し合う触媒同士の間に細孔を設けた状態で集合して形成されており、前記複数の触媒のそれぞれは、当該触媒以外の複数の触媒と、複数点において接触している。 (もっと読む)


本発明は、ナノワイヤ、トランジスタおよび他の構造などの半導体素子を始めとする基板素子を形成する方法、ならびにこのような方法によって形成される素子に関する。 (もっと読む)


ナノワイヤーおよび電気的素子を表面に成長させるための方法およびシステムについて説明する。第1の態様では、少なくとも1つのナノワイヤーを、電極対に近接するように供給する。電極対の2つの電極によって電界を発生させて、2つの電極に少なくとも1つのナノワイヤーを関連付ける。電極対を、転写対象となる目標面の領域に位置合わせする。少なくとも1つのナノワイヤーを電極対からその領域に堆積させる。別の態様では、複数の電気的素子を電極対に近接するように供給する。電極対の2つの電極によって電界を発生させて、2つの電極に、複数の電気的素子のうちの1つの電気的素子を関連付ける。電極対を、転写対象となる目標面の領域に位置合わせする。上記1つの電気的素子を、電極対からその領域に堆積させる。
(もっと読む)


コア−シェル−シェル(CSS)ナノワイヤトランジスタ(NWT)であって、表面を持つ基板と、半導体コアと、該半導体コアを囲む絶縁性シェルと、該絶縁性シェルを囲む導電性シェルとを含む円柱形のCSSナノ構造体であって、上記表面上にある下側半円柱を有するCSSナノ構造体と、上記CSSナノ構造体の中央部にある上記導電性シェルから形成されているゲート電極と、上記基板の表面と、上記CSSナノ構造体の中央部にある上記下側半円柱との間に配置された絶縁性凹形ストリンガと、上記CSSナノ構造体の中央部にある、ゲート電極および上記絶縁性凹形ストリンガの上に形成されている導電膜ゲートストラップと、上記CSSナノ構造体の両端部にある、上記半導体コアの複数の露出領域に形成されているソース/ドレイン(S/D)領域と、を含むコア−シェル−シェル(CSS)ナノワイヤトランジスタ(NWT)。
(もっと読む)


【課題】ナノ構造体のような微細構造体を高度に配列するため、微細構造体を所望の場所に、所望の方向に配列するための方法を実現することを目的とする。
【解決手段】それぞれ独立した電位を与えうる3つの電極を形成した絶縁基板を用意する基板準備工程と、上記絶縁基板上に微細構造体を含んだ液体を塗布する微細構造体塗布工程と、上記3つの電極にそれぞれ電圧を印加して、上記微細構造体を上記電極により規定される位置に配列させる微細構造体配列工程を含む。 (もっと読む)


本発明は、発光ナノ結晶を気密封止する方法、ならびに気密封止された発光ナノ結晶を含む組成物および容器を提供する。発光ナノ結晶を気密封止することによって、寿命の延長およびルミネセンスの強化を達成することができる。一実施形態では、本発明は、複数の発光ナノ結晶を含む組成物を気密封止する方法を提供する。適当には、この方法は、組成物上にバリア層を配置する(例えばスパッタリングし、または原子層堆積によって堆積させる)ことを含む。 (もっと読む)


不揮発性メモリ素子などの電子素子用の方法および装置が記載されている。メモリ素子は、2層または3層などの多層制御誘電体を含む。多層制御誘電体は、酸化アルミニウム(Al23 )、酸化ハフニウム(HfO2 )などの高k誘電体材料の組み合わせ、および/または酸化ハフニウムアルミニウムのハイブリッド膜を含む。多層制御誘電体は、単一または多状態(例えば、2、3または4ビット)操作に対する実行可能性と共に、電荷保持の増大、メモリプログラム/消去ウィンドウの向上、信頼性および安定性の改善を含む、向上した特性をもたらす。
(もっと読む)


【課題】本発明は、ナノワイヤを堆積および配列するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】電圧を与える(例えば交流電場)ことによって、ナノワイヤを電極に配列および関連付ける。電圧供給を調節することによって、ナノワイヤを電極対に結合させ、これによってナノワイヤは、次の洗浄工程および乾燥工程の間も、その場で維持される。本発明はまた、様々なデバイス基板を形成するために、ナノワイヤを1つの基板から別の基板に転写する方法を提供する。本発明はまた、所定の電極対に堆積させたナノワイヤの数を監視する方法および制御する方法、並びに、溶液中のナノワイヤを動かす方法を提供する。
(もっと読む)


ケイ素前駆体の組み合わせを用いたエピタキシャルに配向したナノワイヤを成長させる方法、および配向したナノワイヤを成長させるためのパターン形成された基板の使用を含む、ナノワイヤを成長させ、ドープし、収集するシステムおよび方法が提供される。犠牲成長層を使用することによってナノワイヤの質が向上する。ナノワイヤを1つの基板から別の基板に移動する方法も提供される。本発明のプロセスで使用される基板材料は、結晶またはアモルファスであってよい。 (もっと読む)


1 - 10 / 24