【課題】集積回路用のボンドワイヤを提示する。
【解決手段】集積回路内で使用する複合ボンドワイヤ１１０を生産するため、導電材料を溶解し、１００ミクロン未満の粒度の粒子材料と混合して混合物を生成する。この混合物を用いて複合ボンドワイヤ１１０を作製する。内部コア、及びこの内部コアより高い導電率を有する外層を有する複合ワイヤも提供される。この外層は、交流信号を搬送するための動作周波数における表皮深度よりも厚く設計する。 （もっと読む）

集積回路用のボンドワイヤを種々の方法を用いて実現する。こうした方法の１つを用いて、集積回路内で使用する複合ボンドワイヤを生産する。導電材料を溶解し、１００ミクロン未満の粒度の粒子材料と混合して混合物を生成する。この混合物を用いて複合ボンドワイヤを作製する。内部コア、及びこの内部コアより高い導電率を有する外層を有する複合ワイヤも提供される。この外層は、交流信号を搬送するための動作周波数における表皮深度よりも厚く設計する。
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一実施例に合わせて電気的絶縁接続を有するパッケージング中に集積回路（ＩＣ）デバイスが存在している。前記ＩＣデバイスはダイ設置領域（１０）に装着された半導体デバイス（１００）を具え、前記半導体デバイスは複数のボンディングパッド（２０ａ、２５ａ、３０ａ、３５ａ）を有する。複数のボンドフィンガー（２０ｂ、２５ｂ、３０ｂ、３５ｂ）を有するリードフレームは、前記ダイ装着領域を取り囲んでいる。それぞれ第１の端を有する複数の互いに孤立した接続導体（２５ｄ、３０ｄ、４０、５０）は前記半導体基板上のそれぞれのボンディングパッドに接続され、それぞれ第２の端を有する前記複数の互いに孤立した接続導体はリードフレームのそれぞれのボンドフィンガーに接続されている。絶縁材料（４５）が複数の互いに孤立した接続導体の少なくとも一部分を被覆する。前記互いに孤立した接続導体として信号接続に対してはボンドワイヤ（４０、５０）、基準電源接続に対しては導電ストラップ（２５ｄ、３０ｄ）が挙げられる。前記ボンドワイヤを被覆する前記絶縁材料（４５）は封止中における短絡の可能性を低減する。
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【課題】金属線上に金属キャップ層を形成する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】露出した金属表面を有する基板を準備する工程４００と、金属表面を還元する還元工程４１０と、不活性又は還元の雰囲気下で、基板をチャンバへ移動４２０し、金属層の堆積を行う工程４３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ上に液浸リソグラフィを行う方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ２０をレンズ１６下に設置し、半導体ウェーハ２０の上面とレンズ１６との間に流体を設置する。そして、添加物を上面に提供することにより、半導体ウェーハ２０の上面に形成される流体液滴に４０〜８０度の接触角を持たせる。 （もっと読む）