説明

イーアールエス エレクトロニック ゲーエムベーハーにより出願された特許

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【課題】プラスチックディスク、特に成型ウエハを熱処理する方法及び装置を提供するものである。
【解決手段】当該方法は、成型ウエハ15における樹脂硬化温度以下の第1の温度T1で、第1の保持手段5に保持し、第1の保持手段上に保持された成型ウエハを第1の温度より高く硬化温度以上である第2の温度T2に加熱し、第1の保持手段の保持を終了し、第2の温度T2に加熱された成型ウエハを第1の保持手段から第2の保持手段9に実質的に非接触で搬送し、成型ウエハを第2の保持手段上に保持し、第2の保持手段上に保持された成型ウエハを第2の温度より低く前記硬化温度以下である第3の温度T4まで冷却し、第2の保持手段による保持を終了するステップを有する。 (もっと読む)


本発明は半導体チップ調整装置及び検査方法を提供する。前記装置は一又は複数の半導体チップ(C)を受け入れるチップ温度制御手段(TE1,TE2,TE3)と対応する数のチップ結合台(S)とマザーボード(30)とを備える。前記制御手段は、温度制御用流体が流されるように構成され且つ前面(VS)から後面(RS)へ至る対応する数のリセス(GA)を有する基体(G)を備える。前記チップ結合台(S)は、前記基体(G)に熱的接触状態で前記リセス(GA)に挿入され、前面(VS)にチップ受入領域(SM)を且つ内部に前記チップ受入領域(SM)内の前記半導体チップ(C)に対して電気信号を送受信する電気信号配線手段(D1,D2)を有している。前記マザーボード(30)は、前記チップ結合台(S)の配線手段(D1,D2)が前記マザーボード(30)における配線手段(32)に電気的に接続されるように前記後面(RS)に装着されている。 (もっと読む)


本発明は、ディスク状のワークピース(3)、特にモールドウエハ(3)からフィルム(2)を分離させるための除去ローラ(12)であって、フィルム(2)の一部(14)の非積極的な持ち上げ又排出のためのフィルム操作部(13)を備える除去ローラを提供する。本発明はまた、ディスク状のワークピース(3)から、特にモールドウエハ(3)からフィルム(2)を分離させるための装置(1)であって、ディスク状のワークピース(3)を非積極的に取り付ける取付手段(4)と、この種の除去ローラ(12)と、取付手段(4)の表面(10)に対して除去ローラ(12)を水平及び/又は垂直に移動させるための移動手段(17)と、除去ローラ(12)の中心軸(25)のまわりに除去ローラ(12)を回転させるための回転手段(24)とを備える装置を提供する。本発明はまた、この種の装置(1)によって、ディスク状のワークピース(3)から、特にモールドウエハ(3)からフィルム(2)を分離させるための方法を提供する。 (もっと読む)


本発明は、円板ワーク、特に成形ウエハの変形を測定するための方法および装置に関する。この装置は、円板ワーク(3)の内側領域(IB)を取り付けるための回転可能ならびに高さおよび横方向に調整可能な取付ユニット(5、5a、15a〜15c;5、5a、15d)と、取付ユニット(5、5a、15a〜15c;5、5a、15d)の中心軸(M)からの円板ワーク(3)の中心軸(M’)の偏心(δ)を測定し、取付ユニット(5、5a、15a〜15c;5、5a、15d)のために適切な調整信号を生成する測定ユニット(25)と、取付ユニット(5、5a、15a〜15c;5、5a、15d)の横方向の調整処理時に、円板ワーク(3)を付着するための付着ユニット(3a、3b、3c)と、取付ユニット(5、5a、15a〜15c;5、5a、15d)または検出ユニット(50)を回転させることによって、あらかじめ測定した取付ユニット(5、5a、15a〜15c;5、5a、15d)の所定の高さ位置(Z0)を使用して、変形に相当する所定の高さ位置(Z0)からの円板ワーク(3)の非取付外側領域(AB)における複数の測定点(P1〜P8)の偏差(WR)を測定するための固定高さ検出器ユニット(50)とを含む。
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【課題】本発明は、プラスチックディスク、特に成型ウエハを熱処理する方法及び装置を提供するものである。
【解決手段】当該方法は、成型ウエハ(15)における樹脂硬化温度(TH)以下の第1の温度(T1)で、第1の保持手段(5,50)上に保持し、第1の保持手段上に保持された成型ウエハを第1の温度より高く硬化温度(TH)以上である第2の温度(T2)に加熱し、第1の保持手段の保持を終了し、第2の温度(T2)に加熱された成型ウエハを第1の保持手段から第2の保持手段(9、90)に実質的に非接触で搬送し、成型ウエハを第2の保持手段上に保持し、第2の保持手段上に保持された成型ウエハを第2の温度より低く前記硬化温度以下である第3の温度(T4)まで冷却し、第2の保持手段による保持を終了するステップを有する。 (もっと読む)


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