【課題】 スイッチングノードにおいて接続された、ハイサイド制御用トランジスタ及びローサイド同期整流用トランジスタを備えてなる、スイッチングステージの同期整流回路におけるスイッチング損失を低減する回路を得る。
【解決手段】 スイッチングステージは、入力電圧を受け取り、出力接点において制御された出力電圧を供給する。回路は、第１回路部及び第２回路部を備えている。第１回路部は、ローサイド同期整流用トランジスタのゲートにおける第１信号及び第１電圧の波形エッジを検知して、第１信号の波形エッジと第１電圧の波形エッジの間の遅延を決定する。第２回路部は、第１信号及び第１電圧を校正し、第１信号の波形エッジ及び第１電圧の波形エッジを、任意のオフセットと整合させ、電力損失を最小限に収める。 （もっと読む）

【課題】 チャージバランスを確保できる、パワー半導体デバイスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 共通伝導領域と、この領域と隣接するチャージ補償領域と、共通伝導領域及びチャージ補償領域にまたがって積層されるスタンドオフ領域とを備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】インバータによって駆動される位置センサレス・ブラシレスモータで、モータの相端子が短絡される場合にもモータ回転速度を検出する。
【解決手段】インバータは上側スイッチＱ１、Ｑ３、Ｑ５と下側スイッチＱ２、Ｑ４、Ｑ６からなり、ゲートコントローラ１０は下側スイッチのゲート駆動回路に供給する電源電圧ＶＣＣ、および上側スイッチのゲート駆動回路に供給する非接地電源電圧ＶＢを入力し、スイッチＱ１〜Ｑ６のゲートＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆにゲート信号を出力する。ゲートコントローラは電源電圧ＶＣＣと非接地電源電圧ＶＢからモータの回転速度を検出する。これにより、上側スイッチの短絡あるいは下側スイッチの短絡となるインバータのゼロベクトル状態にもモータ回転速度が検出できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、エンハンスメント型（ノーマリーオフ型）ＩＩＩ族窒化物パワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスに、凹部の側壁に沿うノーマリーオフチャネルを設ける。 （もっと読む）

【課題】電力応用に適した多くのＩＩＩ族窒化物を基材とするスイッチはゲート信号がない場合には常時オンでありこれを解消する。
【解決手段】制御スイッチおよび同期スイッチの１つまたは両方がＩＩＩ族窒化物デプレーションモードであるバック変換回路であって、エンハンスメントモードスイッチは、ＩＩＩ族窒化物を基材としたスイッチの１つまたは両方に接続され、すべてのバイアスが適切な動作について確立されるまで、ＩＩＩ族窒化物を基材としたスイッチによる電流の伝導を阻止するために動作させられる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、III族窒化物からなるパワーステージを、負荷に集積し、負荷とパワーステージの間の距離を最小化することにある。
【解決手段】 負荷は、パワーステージを直接制御するためのＰＷＭステージを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表示パネルゲート駆動ＩＣ（ＨＶＩＣ）の外部補助ランプ発生回路を取り除き、システムのコスト低減と省スペースを達成する。
【解決手段】電源スイッチ１６の両端子間の電圧を検出するセンサー２４と、基準電圧信号を外部設定に従って発生する基準発生器２６と、電源スイッチ１６のゲートを制御するために、フィードバック利得を与えるフィードバック回路３０とを含み、フィードバック回路３０は、電源スイッチ１６の両端子間の電圧を基準に追随させて安定にし、そこではＨＶＩＣ２２は、ＨＶＩＣ２２の外側にある回路部品を最少にして、ランプ駆動機能を実行する。 （もっと読む）

【課題】必要とする外部電力スイッチおよび外部コンポーネント数を節約できる、多機能ゲート付き高電圧ゲートドライバ集積回路を提供する。
【解決手段】第１出力電圧信号を供給可能な第１ドライバ回路と、第２出力電圧信号を供給可能な第２ドライバ回路と、第１出力電圧信号とは異なる特性を備える、処理済出力電圧信号を供給するべく、第２出力電圧信号を処理可能な内部回路と、第１出力電圧信号と処理済出力電圧信号のうちのいずれか1つを、ゲートドライブ信号として選択可能な選択回路とを備え、ゲートドライブ信号を外部電力スイッチのゲートに供給して外部電力スイッチをオンオフするべく、選択回路に接続される外部電力スイッチを更に備える高電圧ゲートドライバ集積回路を提供する。 （もっと読む）

ノイズを最小にする構成を有する単一シリコン基板ダイ上の集積化ノイズ遮断回路であって、この回路は、入力段を含むノイズの影響を受けやすい回路、出力段を含むノイズ発生回路、信号を入力段から出力段へ伝達するためにノイズ発生回路とノイズの影響を受けやすい回路を結合する少なくとも１つの高電圧レベルシフト回路、およびノイズの影響を遮断する少なくとも１つの浮遊体を備えている。 （もっと読む）

【課題】低コストであって、熱性能に優れ、堅固な絶縁を有する、ダイ・オン・リードフレーム（ＤＯＬ）高圧パワーモジュールを提供する。
【解決手段】 高電圧半導体モジュールは、間隔を空けて配置されたパッドを備えたリードフレームを有している。このパッドは、ヒートシンク基板の表面のキュア可能な絶縁層を介して基板に接続されている。半導体ダイを、リードフレームパッドにはんだ付けするのは、基板に取付ける前でも後でもよい。この絶縁層は、キュア可能なエポキシ樹脂、若しくはＢステージＩＭＳである。 （もっと読む）