説明

ラム リサーチ コーポレーションにより出願された特許

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【課題】プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法を提供する。
【解決手段】本方法はプラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供する工程を含んでおり、堆積バリアはプラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置されるように設計されており、プラズマがプラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を堆積バリアに付着させ、プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】先行処理工程で表面に堆積された堆積層の厚みを測定することで、プラズマ処理工程のエンドポイントを決定する方法を提供する。
【解決手段】本方法はこの方法は同一平面にて堆積層厚を測定するように設計されたセンサーを提供し、堆積層厚を変化させるようにプラズマ処理チャンバをプラズマに曝露し、時間の関数として堆積層厚を決定し、堆積層厚の実質的に安定した測定値で特徴付けられ、その開始がエンドポイントを表す堆積層厚の安定状態の条件を確認する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理チャンバ内の基材を処理する方法が提供される。
【解決手段】基材306は、チャック308の上方に配置され、エッジリング316によって囲まれる。エッジリングは、チャックから電気的に絶縁される。方法は、RF電力をチャックに提供することを含む。また、方法は、可変静電容量装置を提供することを含む。可変静電容量装置は、エッジリングにRF結合を提供するためにエッジリングに結合されて、エッジリングにエッジリング電位を持たせる。方法は、さらに、基材を処理するためにプラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生することを含む。基材を処理する間に可変静電容量装置がエッジリング電位を基材のDC電位に動的な同調を可能ならしめるように構成されて、基材が処理される。 (もっと読む)


【課題】
プラズマ処理システムにおいて、ベースラインを動的に設定する方法が提供される。
【解決手段】
方法は、第1の基板を処理することを含む。方法は、第1の基板に関する第1の信号データを収集することも含む。方法は、第1の信号データをベースラインに対して比較することをさらに含む。方法は、第1の信号データがベースラインの上方の最高レベルとベースラインの下方の最低レベルとの間の信頼性レベルの範囲内にある場合に第1の信号データをベースラインの再計算に含めることをさらに含む。 (もっと読む)


【課題】純粋化学エッチング並びにRIEエッチングにおいてエッチング速度の均一性向上のための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法において、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第1プラズマをストライク処理するステップを含む。この方法はさらに、基板上の複数層を第1エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リング302を設置するステップとを含む。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第2プラズマをストライク処理するステップを含む。方法はさらに、基板上の複数層を第2エッチングステップでエッチングするステップをむ。第1ステップのエッチングと第2ステップのエッチングとは実質的に均等である。 (もっと読む)


【課題】パターンを形成するエッチングに際してより均一なエッチングを可能にする方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上に半導体素子を形成する方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される104。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される108。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される112。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される116。蒸着ガスから、プラズマが形成される120。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される124。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる128。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法を提供する。
【解決手段】本願の方法は、エッチングガス混合物と親和性を有するプレコート(pre-coat)ガス混合物をプラズマ処理チャンバに流入させる工程、プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程、基材を含む基板を導入する工程を含む。また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程、エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程、第二プラズマにより基板をエッチングする工程、を含む。そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第1のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第1の層を形成し、第2のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第1の層中の孔および第1の層上に第2の層を充填形成し、表面が平坦な上層部110を形成する。 (もっと読む)


【課題】ソフトウェア制御プログラムを備える半導体処理システムの工程のセットを最適化する方法を提供する。
【解決手段】、半導体処理システムは第1、第2、および第3の機能を備えている。工程のセットは第1、第2、第3の工程を備えている。本発明は、第1の工程をエディタアプリケーションで作成し、第1の機能を第1の工程に追加し、要求された場合にユーザー入力指示の第1のセットを追加する。第2及び第3の工程をエディタアプリケーションで作成して、第2及び第3の機能をそれぞれ第2及び第3の工程に追加することができる。またユーザーが指示した第2及び第3のセットを追加することができる。本発明はさらに各工程を適切な順序で配置する工程と、工程のセットを半導体処理システムに転送する工程と、工程のセットを実行する工程と、結果のセットを変数のセットに保存する工程と、変数のセットから報告書を作成する工程を備えることができる。 (もっと読む)


【課題】実質的に一人で操作可能な、最適化された上部部材を備えたプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、基板を保持するように構成されたチャックを含む下部部材を有している。また、プラズマ処理システムは、基板を処理するプラズマを発生させるための電磁場を形成するように構成された誘導コイルと、その末端部に加熱及び冷却プレートを収容するための中が空洞で円筒形の部分を有する上部部材であって、下部部材と結合する最適化された上部部材を含んでなる。前記加熱及び冷却システムが、最適化された上部部材によって電磁場とは実質的に遮断され、該上部部材は実質的に一人で操作可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


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