説明

ノバレット、アクチェンゲゼルシャフトにより出願された特許

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【課題】経済的に生産しうる、大量生産プロセスに適した、改良された光抽出の頂部放射デバイス、とくに有機発光ダイオードの提供。
【解決手段】基板上に適用された層配列を有する頂部放射デバイス、特に有機発光ダイオードに関し、該層配列は、基板上に配置された底部電極および光放射が行われる頂部電極と、底部電極および頂部電極間に配置された有機層の積層も含んでなり、底部電極の場合に、有機層の積層に面する表面は少なくとも部分領域で光反射式に形成されて、底部電極における有機層の積層で生じる光の反射を規定する表面構造で形成され、該表面構造は機械的成形により形成する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構造配置による有機発光ダイオードの提供。
【解決手段】電極と、対電極と、電極および対電極間に配置された有機層連続体とを備えてなる層配列を有し、該有機層連続体が金属基板上に配置され、1または数個の有機輸送層が導電性を増す混合物を各ケースで含有して、電荷キャリア輸送および電荷キャリア注入の特徴群のうち少なくとも1つの特徴で形成されている、有機発光ダイオード、及び有機発光ダイオードの配列。 (もっと読む)


【課題】混合色による白色発光のエージイング中の色変化を保証する簡易な方法を提供する。
【解決手段】複数の異なった色の発光材料を含む有機層(1c)、および該有機層に電気的制御パルスを印加する電極配列(1a、1b)を含む有機発光部品(1)において、該有機発光部品を、約25Hz以上の作動周波数でパルス操作する工程、パルス化された作動の進行中に、該有機層から放射される該混合色光の、エージングにより誘発されて変動する色変化を少なくとも部分的に補償する工程、およびパルス化された作動の進行中に、該有機層からの混合色発光の予め決められた輝度を調整する工程を有し、該混合色光の変動する色変化を補償する工程を、該エージングにより誘発されて変動する色変化が既知である、操作パラメータを記録し、変動する色変化との間の大体既知である依存関係に従って、該電気的制御パルスのパルス高さを調節することにより行う。 (もっと読む)


【課題】より優れた照明用光源を提供する。
【解決手段】発光有機層が上側および下側電極間に配置された層配置を備え、該層配置が、スイッチオフ状態では透明であり、スイッチオン状態で、上側および下側電極間に電圧を印加することにより、発光有機層中で発生する光を放射し、該光は、少なくとも約4:1の比で、上側または下側電極を通して放射され、該層配置中に、可視スペクトル領域で透明な誘電体層の積重構造が上側または下側電極の側に配置されている。 (もっと読む)


【課題】 高いホール導電性と熱安定性をを有する層を形成することにより、例えば有機ELのような電子部品の特性を向上させる。
【解決手段】 本発明は、有機マトリックス材料がスピロビフルオレン化合物から少くとも部分的に構成され、該有機マトリックス材料のガラス転移温度が少くとも120℃であり、該マトリックス材料の最高被占分子軌道(HOMO)が5.4eVの最大エネルギーレベルにあることで特徴付けられる、有機半導体材料を製造するための有機マトリックス材料の使用;並びに有機半導体材料および電子部品に関する。 (もっと読む)


本発明は、上部放射型の有機発光ダイオード(OLED)用の層配置に、および該層配置を含んでなる表示装置および照明装置に関する。層配置は、下側電極(A)、上側透明電極(K)、および電極(A、K)間に、下側および上側電極(A、K)と接触するように配置された有機層区域(O)を含んでなる。光は、該有機層中で、電子および空孔の再結合により発生させることができ、上側電極(K)を通し放出される。下側電極(A)は、層構造を有し、下側電極層は金属層である。本発明は、保護および変性層が、下側電極(A)の層構造中で金属層の上に配置され、有機層区域(O)と接触することを特徴とする。
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本発明は、電気特性を変えるために有機半導体マトリックス材料にドープするためのn‐ドーパントとしての金属錯体の使用に関し、該化合物はマトリックス材料へのn‐ドーパントとなる。高い導電率を達成しながら低い還元電位を有するマトリックス材料であっても、n‐ドープ有機半導体を提供するために、少なくとも16の価電子数の、好ましくは中性のまたは荷電した遷移金属原子として、中心原子を有する、中性で電子に富む金属錯体を、ドーパント化合物として用いることが提案される。該錯体は特に多核であり、少なくとも1つの金属‐金属結合を有している。少なくとも1つのリガンドは中心原子とπ錯体を形成してもよい;それは架橋リガンド、特にhpp、ボレート、カルボランまたはトリアザシクロアルカンでもよく、または少なくとも1つのカルバニオン‐炭素原子またはグループC(カルベン)、Si(シリレン)、Ge(ゲルミレン)、Sn、Pbから選択される二価原子を含有してもよい。本発明は、更に、新規のn‐ドーパントおよびそれらの製造方法に関する。 (もっと読む)


本発明は、ドーピングにより高い電荷キャリア密度および有効な電荷キャリア移動度を有したドープド有機半導体材料を製造するための方法に関し、ここでドーピング剤が第一ステップで実質的に電気結晶化により製造され、ドーピング剤が低い酸化電位を有する有機化合物の群から選択され、有機半導体材料が第二ステップにおいてドーピング剤でドープされる。更に、本発明は、上記方法により製造される、高い電荷キャリア密度および有効な電荷キャリア移動度を有したドープド有機半導体材料に関する。更に、本発明は、上記方法に従い製造される、ドープド有機半導体材料を含んでなる有機ダイオードに関する。
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