【課題】電圧依存性が低減した高密度複合ＭＩＭキャパシタを提供する。
【解決手段】開示された一実施例によれば、複合ＭＩＭキャパシタは、半導体ダイの下部相互接続金属層に位置する下部ＭＩＭキャパシタの下部電極１２４を含む。複合ＭＩＭキャパシタはさらに、下部層間誘電体内に位置する下部ＭＩＭキャパシタの上部電極１２０を含み、下部層間誘電体は下部相互接続金属層を上部相互接続金属層から隔てている。上部ＭＩＭキャパシタの下部電極１２２は、上部相互接続金属層に位置している。上部ＭＩＭキャパシタの上部電極１３０は、上部相互接続金属層の上に位置する上部層間誘電体内に位置している。下部ＭＩＭキャパシタの上部電極１２０は上部ＭＩＭキャパシタの下部電極１２２に接続され、一方、下部ＭＩＭキャパシタの下部電極１２４は上部ＭＩＭキャパシタの上部電極１３０に接続される。 （もっと読む）

開示された一実施例によれば、複合ＭＩＭキャパシタは、半導体ダイの下部相互接続金属層に位置する下部ＭＩＭキャパシタの下部電極を含む。複合ＭＩＭキャパシタはさらに、下部層間誘電体内に位置する下部ＭＩＭキャパシタの上部電極を含み、下部層間誘電体は下部相互接続金属層を上部相互接続金属層から隔てている。上部ＭＩＭキャパシタの下部電極は、上部相互接続金属層に位置している。上部ＭＩＭキャパシタの上部電極は、上部相互接続金属層の上に位置する上部層間誘電体内に位置している。下部ＭＩＭキャパシタの上部電極は上部ＭＩＭキャパシタの下部電極に接続され、一方、下部ＭＩＭキャパシタの下部電極は上部ＭＩＭキャパシタの上部電極に接続される。
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例示的一実施例によれば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などのバイポーラトランジスタは、上面（３２４）を有するベース（３２７）を備える。ＨＢＴは、ベースの上面に位置する、第１の内部スペーサ（３１７）および第２の内部スペーサ（３１８）をさらに備える。ＨＢＴは、ベース（３２７）の上面（３２４）の上に、第１の内部スペーサ（３１７）に隣接する第１の外部スペーサ（３２７）および第２の内部スペーサ（３１８）に隣接する第２の外部スペーサ（３２８）をさらに備える。この例示的実施例によれば、ＨＢＴは、第１および第２の内部スペーサ（３１７、３１８）の間に位置するエミッタ（３２６）をさらに備える。ＨＢＴは、第１および第２の外部スペーサ（３２７、３２８）の上に位置する中間酸化層（３１６）をさらに含んでもよい。ＨＢＴは、前記中間酸化層（３１６）の上に位置するアモルファス層（３２１）をさらに含んでもよい。ＨＢＴは、アモルファス層（３２１）の上に反射防止膜層（３２２）をさらに含んでもよい。
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１つの例示の実施例に従うと、バイポーラトランジスタは上面を有するベースを含む。バイポーラトランジスタは、一実施例において第１のおよび第２のリンクスペーサの間に位置する犠牲ポストをさらに含む。バイポーラトランジスタはまた、犠牲ポストにわたって位置するコンフォーマルな層を含む。コンフォーマルな層は、たとえばシリコン酸化膜を含み得る。この例示の実施例に従うと、バイポーラトランジスタは、コンフォーマルな層、犠牲ポストおよびベースにわたって位置する犠牲平坦化層をさらに含む。この犠牲平坦化層は、第１のおよび第２のリンクスペーサの間の第１の領域における第１の厚さと、第１のおよび第２のリンクスペーサの外側の第２の領域における第２の厚さとを有し、第２の厚さは概ね第１の厚さよりも大きい。別の実施例は、上述の記載のバイポーラトランジスタを達成する方法である。
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