説明

株式会社高松メッキにより出願された特許

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【課題】電子を発射する銃軸としての針状突起物がナノオーダーの構造体として比較的に均一に林立して散在し、しかも、この微細な構造が確実に得られるとともに安価に製造できる電子銃の製造方法及びそれにより製造されることのできる電子銃を提供する。
【解決手段】電子を発射する銃軸としての針状突起物が配列基材にほゞ等間隔に散在して配置されてなる電子銃の製造方法であって、薄板状のアルミニウム金属素材の一面に多孔性陽極酸化皮膜を形成することにより、その多孔性陽極酸化皮膜に有する底部がバリア層の無数の微細孔を針状突起物を成形する型として利用し、微細孔に針状突起物の素材を充填して該針状突起物を成形する。 (もっと読む)


【課題】回路基板のハウジングに対してコネクタを表面実装するに当たり、接続金具を用いることなくはんだ付けの強度的信頼性が得られ、また、リフローによっても品質が維持される回路基板に対するコネクタの実装構造を提供する。
【解決手段】コネクタの樹脂で成形されるハウジングを回路基板に対してはんだ付けしてなり、ハウジングのはんだ付けする箇所に導電性ペーストを塗布し、ハウジングが導電性ペーストの塗膜を介して回路基板にはんだ付けがなされている。
【効果】回路基板のハウジングに対してコネクタを表面実装するに当たり、接続金具を用いることなく、それに代えてスペースを取らない導電性ペーストの塗膜によることにして、はんだ付けの強度的信頼性を確保することができたものであり、また、リフローの反復によっても結合強度が保持されるので、コネクタの実装において省スペース化を不都合なく有効に図り得る。 (もっと読む)


【課題】低酸素雰囲気中における加熱であるため、錫めっき製品の表層において不都合な酸化や合金の生成を防止できる接続端子のリフロー処理方法を提供する。
【解決手段】導電性基体の表面に直接または異種金属の下地めっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施し、この表面錫めっき層が形成された接続端子について、加熱水蒸気の雰囲気中においてその熱により、錫めっき層のみを溶融してなすことを特徴とする。
【効果】加熱水蒸気による低酸素雰囲気中における加熱であるため、錫めっきの酸化を防止でき、しかも、加熱水蒸気の熱伝導率および潜熱としての性質が伴って、瞬間的かつ均等な加熱により、表層のみの局部的溶融が可能であるために、異形の電子部品であっても、錫めっきとその下層の金属とが同時に溶融することによる不都合な合金の発生が防止されるよう制御しやすく、また、熱効率が良好であるので、省エネにも適する。 (もっと読む)


【課題】半田・フラックス上りの可能性を低減させる電気コネクタを提供することを課題とする。
【解決手段】キャリア31と一体に設けられた複数の端子部分32をハウジング11との一体成形により該ハウジング11で保持し、該端子部分32とキャリア31との間で切断されて各端子部分が独立せる端子20として形成されている電気コネクタにおいて、端子20はハウジング11に対して非接触の露出面がめっき25を施され、ハウジング11に対して接面している部分の面はめっきされていない。 (もっと読む)


【課題】 経時的に低い接触抵抗が保持されたり、下地金属の拡散により皮膜の硬度上昇を招くというような不都合を防止でき、実装部の半田濡れ特性が維持される接続端子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性基体の表面に直接または異種金属めっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施した接続端子において、少なくとも嵌合部または接点部にリフローを施し、且つ、そのリフローについて、導電性基体に達しない表層近傍の溶融によりそこに溶融・再結晶化層を形成した。また、接続端子を構成する導電性基体の表面に直接または異種金属めっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施してから、少なくとも嵌合部又は接点部にレーザー光線を走査して照射することによりリフローを施すとともに、その照射により導電性基体に達しない表層近傍に溶融・再結晶化層を形成する。 (もっと読む)


【課題】嵌合型接続端子における端子の挿入時の圧力に起因する嵌合ウイスカの発生を防止できる、嵌合型接続端子に適した錫系めっき付き電子材料を製造する。
【解決手段】銅または銅合金からなる導電性基体に、下地のニッケルめっきと次に厚みが0.05〜0.5μmのフラッシュ銅めっきを順に施し、次いで錫もしくは錫合金めっきを行う。得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または210℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。固溶体であると考えられるこの合金層により、嵌合ウィスカの発生が効果的に抑制される。 (もっと読む)


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