説明

エイエスエムエル・ネザーランド・ベスローテン・フェンノートシャップにより出願された特許

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【課題】T−ゲート構造物の改良された形成法の提供。
【解決手段】a)基板を提供する工程、b)基板上に平坦化層を配置する工程、c)UV感受性第一フォトレジストの層を配置する工程、d)マスクを通してUV放射線に露光し、現像することによって、第一フォトレジストをパターン化して、T−ゲートの底部用の第一開口を規定する工程、e)パターンを平坦化層に転写する工程、f)このパターンをUV放射線に対して非感受性にする工程、g)UV感受性第二フォトレジストの層を配置する工程、h)第二フォトレジストをマスクを通してUV放射線に露光し、現像することによって、第二フォトレジストをパターン化して、第一開口の上のT−ゲートのキャップ用の第二開口を規定する工程、i)第一開口および第二開口内に導電性材料を堆積してT−ゲートを形成する工程、を含む方法。 (もっと読む)


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