【課題】本発明の好ましい実施形態では、真空チャンバは、ターボ分子ポンプで排気され、フォアライン排気は、隔膜ポンプによって提供される。そして、回転ポンプの使用を避けることによって、システムの全体のサイズおよび重量は、かなり低減でき、加えて、衝突冷却として周知の現象が、期待されるよりもはるかに低い圧力で、小型イオンガイドで高効率で生じる。
【解決手段】大気圧イオン化源に結合できる小型質量分析計が、表現される。イオンは、大気圧または低真空の領域から小さなオリフィスを通り抜け、それらが非常に短い差動排気イオンガイドを通過するとき、効率の良い衝突冷却を受ける。低エネルギーイオンの狭いビームは、小さな開口を通り抜けて、質量分析器を含む別個のチャンバに入る。 （もっと読む）

【課題】イオンが選択的に順方向へ進むことを確実にし、質量分析計内へ効率的にイオンを渡すことができる真空インターフェースを提供すること。
【解決手段】本発明は、拡散ノズルから形成された質量分析計システム向けの真空インターフェースを説明する。この真空インターフェースは、質量分析器による分析のために、大気圧イオン化源から真空チャンバ内へイオンビームを移動するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は、四重極質量分析計で質量フィルターとして作用することができる、小型の四重極静電レンズの幾何学的配列で円柱状電極の組を整列する方法を提供する。
【解決手段】電極は、絶縁基板の上に導電性部分から形成される、微細加工された支持体上に対で搭載される。導電性部分を完全に区画することで、共平面の円柱状電極の間に低容量のカップリングをもたらし、そして、ブルベーカープレフィルターの組み込みが所与の質量分解能での感度を改善することを可能にしている。完全な四重極は、さらなる導電性のスペーサーによって間隔をあけられている、２つのかかる支持体から構成される。スペーサーは、シールドを形成することができる導電性のスクリーンを提供すべく、電極の周りに望ましくは連続されている。 （もっと読む）

【課題】大気圧のイオナイザの真空システムに対するインターフェースとするための平面状の部品を提供すること。
【解決手段】インターフェース部品は、静電オプティクス及びスキマーを所定の圧力のガスで満たすことのできる内部チャンバと組み合わせ、シリコンのリソグラフィ、エッチング及び結合によって構成される。 （もっと読む）

【課題】個別質量スペクトロメータについて説明する。
【解決手段】分析器構成要素をモジュール上に作製し、そのモジュールにそのモジュールの識別子を含むことにより、ユーザ又はタスクを１つ又は複数のモジュールに一意に関連付けることができる。モジュールは、ハウジング内で取外し可能な状態で受入れられるので、必要な場合は別のモジュールと交換することができる。 （もっと読む）

【課題】ナノスプレーキャピラリニードル、１組の電極、および質量分析器へのキャピラリ入力部を位置合わせする方法を提供すること。
【解決手段】この電極システムは、微細加工技術を利用して、２つの別々のチップからなるアセンブリとして形成される。各チップは、絶縁プラスチック基板上に形成される。第１のチップは、キャピラリエレクトロスプレーニードルおよびＡＰＩ質量分析器入力部用の機械的位置合わせフィーチャを、１組の部分電極と共に担持する。第２のチップは、１組の部分電極を担持する。完全な電極システムは、これらのチップがスタック構成で組み立てられるときに形成され、テイラーコーンのきっかけをつくることができ、かつ集束させることによって電気的中性物からイオンを分離し得るアインツェルレンズを含む。 （もっと読む）

【課題】専用のインク付け、位置合せおよびスタンプ機器を必要としない、正確に位置合せされたマルチレベル・マイクロ・コンタクト・プリンティングの方法を提供すること。
【解決手段】微細機械加工された部品から、ダイ・サイズのマイクロ・コンタクト・プリンティング・エンジンが構築され、このエンジンは、精密位置合せ機構を、弾性サスペンション上に支持されたスタンパ・ブロックと連結している。このスタンパは盛り上がったパターンを有し、位置合せ機構は、エッチングされたインクウェル上および基板上の対応する機構と対合し、マイクロアクチュエータを使用してこのパターンが転写される。 （もっと読む）

結合されたシリコンオン絶縁物（ＢＳＯＩ）ウエハから、マイクロエンジニアリングされた質量分析器を製造する方法が、四極子分析器を参照して記載される。四極子幾何形状は、モノリシックブロック４１０を形成するようにともに結合される２つのＢＳＯＩウエハ２００を使用して達成される。外側シリコン層に形成されたディープエッチングされた特徴及びばねは、円筒状金属電極ロッド３００を位置付けるために使用される。アセンブリの精度は、リソグラフィとディープエッチングとの組み合わせにより、かつ結合されたシリコン層の機械的構成度合により決定される。内側シリコン層に形成されディープエッチングされた特徴は、イオン入口及びイオン収集光学部品を画定するために使用される。また、流体チャネルなどの他の特徴を組み込むことができる。
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