説明

アーベーベー・テヒノロギー・アーゲーにより出願された特許

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【課題】モジュール式のマルチレベル電力変換器に関し変換器における故障を識別する手段を提供する。
【解決手段】変換器1は、複数のブリッジブランチ2を具備し、複数のブリッジブランチ2は、直列接続された1つ以上のスイッチングセル3を有し、各ブリッジブランチ2は、変換器1の複数の入力のうちの1つを複数の出力のうちの1つに接続し、この方法は、故障を決定するために、スイッチングセル3の各々を監視するステップと、スイッチングセル3のうちの1つにおいて故障が識別された場合に、その1つのスイッチングセル3において識別された故障の後で、特に所定の期間内に、スイッチングセル3のうちの別の1つにおける故障を識別しないならば、スイッチングセル接続を短絡させるトリガリング要素のうちの1つをトリガするステップと、を含む、方法に関する。 (もっと読む)


【課題】電気および/または電子部品の冷却に関し、特に冷却空気流を受け取るための第1の開口部を有するキャビネットハウジングを含むキャビネットを備える電気および/または電子システムに関する。
【解決手段】キャビネットハウジング406は、キャビネットの作動状態において、その後に冷却空気を放出するための第2の開口を備える。入口と出口を有するガイド機構をそれぞれ備える少なくとも2つのモジュール102がキャビネット内に設けられる。少なくとも2つのモジュール102は、前記キャビネットハウジング406の第1の開口部を通って流れる冷却空気の大部分の支流が入口を介して各モジュール102に流れ込み、ガイド機構に案内されて専用のモジュール102を出口へと通過し、その後に第2の開口部を通ってキャビネットハウジング406から排出されるように、キャビネットハウジング406内に配置される。 (もっと読む)


【課題】パワー半導体素子のコントロールコンタクトとメインコンタクトとの間のショート回路が、システム全体の全体的な安定性および/または制御性に影響しないような、複数のパワー半導体素子(例えばIGBT)のコントロールコンタクトを駆動するためのシステムを提供する。
【解決手段】複数のパワー半導体素子のためのコントロールコンタクト駆動システムは、パワー半導体素子のコントロールコンタクトをプルアップおよび/またはプッシュダウンするための参照電流を提供するのに適した電流ドライバユニット1と、パワー半導体素子のコントロールコンタクトへの参照電流を増幅および/または分配するのに適した電流ディストリビュータユニット3とを具備する。 (もっと読む)


【課題】多くの感知された電圧および電流を減少させることを可能とするマルチレベルコンバータのための制御方法を提供すること。
【解決手段】コンバータ1に関し、このコンバータ1は、AC入力におけるAC入力電圧uinを中間DC電圧Uに変換するためのアクティブステージ2と、DC出力における出力DC電圧Uoutに中間DC電圧Uを変換するためのDC/DCコンバータ3であって、共振回路32および変圧器33によって形成される、共振変圧器32、33を有するDC/DCコンバータ3と、DC/DCコンバータ3の出力DC電圧Uout、入力電圧uinおよびコンバータ1の入力電流のみに基づいて、アクティブステージ2をアクティブに操作するように構成され、開ループモードでDC/DCコンバータ3を操作するように構成された制御ユニット5と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】良好な電気的及び機械的な安定性をもたらし、アーク放電が存在する中であっても長い寿命を有する電力半導体モジュールを提供する。
【解決手段】脚部8を備えた第一のプレスピン6を提供する。脚部8のベース12は、電力半導体デバイス3の接触要素4a,4bに接触するために設けられ、この接触要素は、ベース・プレート2の上に配置されている。絶縁手段13が、脚部8の外側の表面14を電気的に絶縁するために設けられている。更に、電力半導体モジュール1を提供する。また、複数の電力半導体モジュール1を有する電力半導体モジュール・アセンブリを提供し、ここで、電力半導体モジュール1は、隣接する電力半導体モジュール1の間に電気的な接続を有して、互いに並んで配置されている。 (もっと読む)


【課題】電力半導体デバイスとベース・プレートとの間の電気的及び熱的な接続の長い寿命を有する電力半導体装置、電力半導体モジュール、及び、モジュール・アセンブリを提供する。
【解決手段】金属の取り付けベース6、及びモリブデンのレイヤ4を有するベース・プレート2と、ベース・プレートの上面側に電気的且つ熱的に結合された電力半導体デバイス3と、を有している。ベース・プレートの金属の取り付けベースは、電力半導体デバイスとモリブデンのレイヤとの間に配置され、モリブデンのレイヤが半導体デバイスとの間で高抵抗の金属間の相を形成することを防止する。 (もっと読む)


【課題】漏洩電流が少なく、ソフト・ターン・オフに対して最適化された、ダイオードを提供する。
【解決手段】カソード側13に第一の導電性タイプのドリフト・レイヤ2を有し、アノード側14に第二の導電性タイプのアノード・レイヤ3を有する。アノード・レイヤ3は、拡散されたアノード接触レイヤ5、及び二重の拡散されたアノード・バッファ・レイヤ4を有している。アノード・バッファ・レイヤ4は、18μmから25μmまでの深さに配置され、5μmの深さ付近と、15μmの深さ付近で、異なつたドーピング濃度を有することにより、デバイスの良好なソフトネス及び低い漏洩電流特性が可能となつた。従来のアノード・レイヤ・ドーピング濃度は、全ての深さに亘って、低いドーピング濃度を有しているか(高い漏洩電流の原因)、あるいは、高いドーピング濃度を有しているか(悪いソフトネスの原因)であつた。 (もっと読む)


【課題】耐電圧能力が高く、遮断時間を迅速にできる高電圧スイッチを得る。
【解決手段】スイッチング装置12は、接点要素13a,13b,13cの第一のセット、及び、接点要素14a,14b,14cの第二のセットを有し、各接点要素13a,13b,13cと14a,14b,14cは、導電要素16と、導電要素16を支持する絶縁キャリア15からなる。このスイッチング装置12の閉じられた状態において、前記導電要素16は、端子8,9の軸方向Aに沿って、端子8,9の間で、一つまたはそれ以上の電流経路を形成するように揃えられている。このスイッチング装置12を開極するために、前記接点要素は、一つまたは二つの駆動源により軸方向Aに対して垂直な方向Dに沿って互いに変位される。これらの構成要素からなるスイッチング装置12は、流体密ハウジングの中で、高い圧力のガスの中または液体の中に配置されている。 (もっと読む)


【課題】耐高電圧能力及び迅速なスイッチング時間を有する中電圧または高電圧スイッチを提供する。
【解決手段】スイッチは、接点要素13a,13b,13cの第一のセット、及び接点要素14a,14b,14cの第二のセットを有している。各接点要素は、導電要素16を支持する絶縁キャリア15からなる。このスイッチの閉じられた電流伝送状態において、前記導電要素16は、軸方向Aに沿って、スイッチの端子8,9の間で、一つまたはそれ以上の電流経路34を形成するように揃えられている。このスイッチを開けるために、前記接点要素13a,13b,13c;14a,14b,14cは、二つの駆動源により、軸方向Aに対して垂直の方向Dに沿って互いに変位される。このスイッチは、流体密ハウジングの中で、高い圧力のガスの中または液体の中に配置されている。 (もっと読む)


【課題】短い時間スペース内で変換器回路の変換器の不所望な飽和を補償する。
【解決手段】変換器回路の動作方法が特定され、変換器回路は変換器装置と変圧器を有し、変圧器は一次巻線と二次巻線とを備えた少なくとも1つの巻線セットを有し、変換器装置はAC電圧側で各巻線セットの一次巻線へ接続されている。変圧器の不所望な飽和を補償するために、変換器回路はDC電圧を変圧器の各巻線セットの一次巻線へ意図的に与えるために使用される。 (もっと読む)


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