説明

アプライド・セミコンダクター・インターナショナル・リミテッドにより出願された特許

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酸化物層の製造方法であって、金属表面を参加する工程であって、前記金属表面が電子制御装置(ECU)に電気的に接続されており、製造された金属酸化物層が、EUCの不在下で金属表面を酸化させることによって製造した金属酸化物層に存在するものよりも大量の金属をその中に有する、工程を含むか;或いは酸化可能な非金属導電面を参加する工程であって、前記酸化可能な非金属導電面が電子制御装置(ECU)に電気的に接続されており、製造された酸化物層が、ECUの不在下に酸化可能な非金属導電面を酸化させることによって製造する場合よりも高密度である、工程を含む、方法;並びにその方法によって製造される金属酸化物又は酸化物層を提供する。
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本発明は、1又は2以上の陽極に電気的に接続されると共に腐食環境に接する導電性構造物の腐食を制御することに指向された装置、システム、方法およびコンピュータプログラムプロダクトに係り、上記陽極は、上記導電性構造物よりも卑であり、上記腐食は、制御可能なフィルタまたは少なくとも一つの格納または測定されたパラメータを処理するように構成された対応電子制御ユニットによって制御され、上記装置、システムおよび方法は、それらの犠牲特性を低減し、最小化し、あるいは実質的に除去することにより、上記1又は2以上の陽極の耐用年数を延長するように機能する。
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腐食性環境に接触し、半導体性コーティングでコーティングされている導電性構造物の腐食を制御することを目的とした装置、システム、方法、および、コンピュータプログラム製品であり、それらにおいて、腐食は、少なくとも1つの保存された、または、測定されたパラメータを処理するように構成された制御可能なフィルタ898および対応する電子制御装置899により制御される。
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