【課題】熱管理を改良したＲＦ／ＩＰＤパッケージで構成されたＭＣＭパッケージを提供する。
【解決手段】ＩＰＤ基板２４は、ＩＰＤ基板２４とシステム基板２１との間のスタンドオフに取り付けられる薄肉のＲＦチップ２６を用いてシステム基板２１に取り付けられる。ＲＦ相互接続は、ＲＦチップ２６の頂部とＩＰＤ基板２４の底部との間で行われる。放熱は、ＲＦチップ２６上のヒートシンク層をシステム基板上のヒートシンク層に接続することによって行われる。また、ヒートシンクは、接地平面接続部として役立つこともできる。集積装置の他のタイプの組合せをこのアプローチを用いて製作することができる。 （もっと読む）

【課題】インダクタの一部分がベースＩＰＤ基板上に構築され、インダクタの嵌め合わせ部分がカバー（第２の）基板上に構築されるフリップ接合２重基板インダクタを提供すること。
【解決手段】カバー基板は、次にベース基板に反転して接合され、したがって、インダクタの２つの部分を嵌め合わせる。この手法を使用して、２層のインダクタが複層基板を使用せずに構築可能である。２つの２層基板を使用することにより、４層のフリップ接合２重基板インダクタが形成される。 （もっと読む）

【課題】本明細書は、酸化物層で覆われたシリコン基板上に形成される集積受動デバイス（ＩＰＤ）を説明する。
【解決手段】シリコン表面にトラップ用中心を作ることによって、シリコン／酸化物界面における好ましくない蓄積電荷が不動にされる。トラップ用中心は、シリコン基板と酸化物層との間に挿入される多結晶シリコン層によって製造される。 （もっと読む）

【課題】 既存のサイズ標準を満たし、一方、構成部品実装密度が向上されたＳＤタイプ・カードまたはＭＭＣタイプ・カードを提供すること。
【解決手段】 本明細書は、ＰＤＡ構成部品が載置される基板が２つの階を備えるＰＤＡ（ＳＤ／ＭＭＣ）デバイスおよびＰＤＡカードについて述べる。側面から見て高い構成部品は、下階上に載置され、高さが通常の、または低いデバイスは、上階上に載置される。上階は、たとえばＳＤＡ標準厚１．４ｍｍに準拠するカードの部分内に含まれ、一方、下階は、より厚くすること、たとえばＳＤＡ標準厚２．１ｍｍを可能にするカードの部分内で形成される。 （もっと読む）

【課題】本明細書は単一のハンド・ヘルド・デバイスにおいて携帯ＲＦおよびＷｉ−Ｆｉ ＲＦの実行を可能にするように設計された集積化受動素子（ＩＰＤ）を提供すること。
【解決手段】ＲＦ干渉の問題に対処するために、薄膜ＲＦ高消去バンドパス・フィルタをＩＰＤインプルメンテーションに形成する。ＩＰＤインプルメンテーションは基板材料としてシリコンを使用することが好ましい。これによってシリコン加工技術を用いて薄膜ＲＦ高消去バンドパス・フィルタを作成することが可能となるので、共存するＲＦユニットのために要求される厳しい性能用件を依然として満たす低コストのフィルタを製造することが可能となる。本発明の好適な実施形態では、シリコン基板を用いたウエハ・レベルの加工により、高機能のＩＰＤの費用効率の高い製造が達成される。 （もっと読む）

【課題】集積受動デバイス（ＩＰＤ）を担体基板（ＩＰＤ ＭＣＭ）として含むマルチチップ・モジュール（ＭＣＭ）を提供する。
【解決手段】寄生電気相互作用は、インタフェースから金属を除去することによって、またはＭＣＭの影響されやすいデバイス構成要素から離れた部分において金属を選択的に使用することによって、ＩＰＤの一方または両方のインタフェースで制御される。この影響されやすいデバイス構成要素は、主にアナログ回路構成要素、特にＲＦインダクタ要素である。ＩＰＤ配置では、影響されやすい構成要素は、他の構成要素から分離されている。これにより選択性を持つ金属手法の実装が可能になる。さらにＩＰＤ基板の上部の上の寄生相互作用を、ＩＣ半導体チップおよびＩＣチップの接地平面の選択的な配置によって低減させることも可能にしている。本発明のＩＰＤ ＭＣＭの好ましい実施形態では、ＩＰＤ基板は、多結晶である。 （もっと読む）

【課題】 複数の機能の同時の動作を可能にする、ＰＤＡデバイス、およびＰＤＡマイクロプロセッサ・コントローラを提供すること。
【解決手段】 同時の複数の機能は、機能デバイス群のすべてをホスト・コントローラに接続し、ホスト・コントローラと個々のデバイスの間でやり取りされるコマンド信号およびコンテンツ・データを多重化することによって実施される。相互接続は、ホスト・コントローラが、機能デバイス群からの信号応答を使用して、ある機能デバイスから別の機能デバイスに切り替えることができるようにする動的スイッチング・マトリックスを使用して実施される。 （もっと読む）