説明

ユニヴェルシテ・ドゥ・ヴェルサイユ・サン−クァンタン・アン・イヴェリーヌにより出願された特許

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本発明は、開回路電圧(Vco)の最大値、及び測定光強度I0を条件として光変換体材料によって出力されることができるパワーを決定する方法に関し、本方法は、以下の、材料のフォトルミネセンス強度を測定する段階、光変換体材料のフォトルミネセンス波長とほぼ等しい第二の波長(λ2)において、光変換体材料の吸収率を測定する段階、及び、ほぼ等しい波長において測定された吸収率及びフォトルミネセンス強度によって測定光強度I0で光変換体材料の開回路電圧(Vco)の最大値を決定する段階、を含む。本発明は、材料の照射表面に入射される光線、材料の照射表面から放出される光線、及び検出器によって集められる光線の角度分布がほぼ同一になるように、光源及び光変換体材料が配置されることによって特徴づけられる。
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本発明は、n−型ダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明の方法は、n−ドーピングステップを含み、その間において、アクセプタとドナー種との間に形成された錯体の解離温度以下、またはその温度と等しい温度で、ドナー種を含んだドナー基を形成するために、ドナー種が、最初にアクセプタ(12)でドーピングされたダイヤモンド中で真空拡散される。
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