温度測定を提供するための改善された熱電対アッセンブリが提供される。熱電対アッセンブリは、測定チップを有するシースと、シース内に収容される支持部材と、支持部材内に収容された第１線及び第２線とを含む。第１線及び第２線の各端部が互いに融合されてそれらの間に電熱対ジャンクションを形成する。凹部領域が支持部材の遠位端に形成され、電熱対ジャンクションが、凹部領域がシースの測定チップに対して実質的に固定された位置に電熱対ジャンクションを維持するように凹部領域のベースに固定的に配置される。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタを作成する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタであって、ゲート電極と、ゲート電極下地の頂部表面を有するチャンネル領域と、ゲート電極とチャンネル領域の頂部表面の間に挿入された誘電体スタックとを含み、前記誘電体スタックが、少なくとも高―ｋ材料を含む高―ｋ誘電体層と、少なくともケイ素および窒素を含む誘電体層と、前記高―ｋ誘電体層と前記誘電体層の間に配設された中間層とを含み、該中間層が、少なくとも前記高―ｋ材料、ケイ素および窒素を含み、前記ゲート電極がポリシリコンまたはポリシリコンゲルマニウムから作製される。 （もっと読む）

反応器は、反応チャンバ（１６）及び排気アッセンブリ（１８）に作動的に接続されたガス供給システム（１４）を含むハウジングを有する。ガス供給システムは、少なくとも一つのプロセスガスを反応チャンバに提供する複数のガスラインを含む。ガス供給システムは更に少なくとも一つのプロセスガスを収容するミキサ（２０）を含む。ミキサは、プロセスガスを放散するように構成されたディフューザ（２２）に作動的に接続される。ディフューザは、反応チャンバの上面（２４）に直接的に取り付けられ、それによって、それらの間にディフューザ容積を形成する。ディフューザは、プロセスガスが反応チャンバに導入される前にディフューザ容積を通過する際にプロセスガスに流れ制限を提供するように構成された少なくとも一つの分配表面を含む。反応チャンバは、半導体基板が処理のために配置される反応空間を画定する。排気アッセンブリは、反応していないプロセスガスを引き込むために反応チャンバに作動的に接続され、反応空間から放出する。 （もっと読む）

本発明は、集積回路の中に誘電体スタックを形成する方法を提供し、（ｉ）半導体基板上に高−ｋ誘電体層を形成するステップと、（ｉｉ）高−ｋ誘電体層を有する半導体基板を、プラズマ化学気相成長方法（ＰＥＣＶＤ）またはプラズマ原子層化学気相成長法（ＰＥＡＬＣＶＤ）において、窒素含有気相反応物およびケイ素含有気相反応物で処理するステップとを含む。さらに、本発明は、（ｉ）少なくとも高―ｋ材料を含む高―ｋ誘電体層と、（ｉｉ）少なくともケイ素および窒素を含む誘電体層と、（ｉｉｉ）前記高―ｋ誘電体層と前記誘電体層の間に配設された中間層とを含む集積回路中の誘電体スタックを提供し、前記中間層は前記高―ｋ材料、ケイ素および窒素を含む。
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