【課題】半導体パッケージと半導体パッケージを含む半導体装置のサイズを減少させること。
【解決手段】本発明に係る半導体パッケージ７１の製造方法は、サブストレートに金属回路パターン７０２を形成するステップと、集積回路ユニット７０３を金属回路パターン７０２に接続するステップと、サブストレート、金属回路パターン７０２および集積回路ユニット７０３に樹脂７０８を形成するステップと、サブストレートを除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】受信性能を向上させた受信機を提供すること。
【解決手段】本発明に係る受信機は、入力信号の大きさに応じて、無線周波数信号を増幅させる可変利得増幅部２４１と、可変利得増幅部で増幅された信号を周波数変換する周波数変換部２４２と、周波数変換部で周波数変換された信号をフィルタリングするフィルタ部２１５と、可変利得増幅部で増幅された信号の電力を検出して、第１制御信号を出力する第１補償手段２３１と、周波数変換部で周波数変換された信号の強度を検出して、第２制御信号を出力する第２補償手段２３２と、フィルタ部でフィルタリングされた信号の強度を検出して、第３制御信号を出力する第３補償手段２３３と、を備え、第１制御信号、第２制御信号及び第３制御信号によって可変利得増幅部の利得が変化するようにした。 （もっと読む）

【課題】従来と同じ容量を維持し、かつ、より小型のキャパシタを提供すること。

【解決手段】本発明の並列バラクタを利用したキャパシタは、第１アノード端子と第１カソード端子に印加される電圧に対応して第１容量が変化する第１バラクタ（ｖａｒａｃｔｏｒ）と、第２アノード端子と第２カソード端子に印加される電圧に対応して第２容量が変化する第２バラクタを含み、第１アノード端子は、第２カソード端子と接続され、第１カソード端子は、第２アノード端子と接続される。 （もっと読む）

【課題】電力消費の少なく、線形性の高い適応的線形増幅器を提供すること。
【解決手段】電源端子と接地端子との間に互いに並列に接続され、各々のゲートに入力信号が印加される主トランジスタＭＮ_２１および補助トランジスタ部（ＭＮ_２２ａ，ＭＮ_２２ｂ）と、主トランジスタと副トランジスタ部の伝達コンダクタンスの２回微分値が互いに逆極性となるように、所望の出力パワーに応じて主トランジスタ及び補助トランジスタ部のゲートに印加されるバイアス電圧を制御するバイアス制御手段（２３０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッケージの面積を低減させ、かつ、複数の集積回路チップ間の電気的干渉を最小化させる集積回路パッケージを提供すること。
【解決手段】本集積回路パッケージは、基板３１０と、基板表面に形成される素子部３２０と、素子部３２０の上面に形成され、ボンディングワイヤーにより基板と電気的に接続される第１集積回路チップ３３０と、平面視にて第１集積回路チップとオーバーラップする基板表面上の領域に形成される第２集積回路チップ３４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】電波識別（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ；ＲＦＩＤ）、さらに詳細には、ＬＢＴ（Ｌｉｓｔｅｎ Ｂｅｆｏｒｅ Ｔａｌｋ）方式を使用する電波識別リーダー及び電波識別システムを提供すること。
【解決手段】本発明に係る電波識別リーダーは、ＬＢＴ方式の電波識別リーダー３００であって、タグデータ信号を受信するデータ経路部３４０と、チャネル検索信号を受信する検索経路部３５０と、データ経路又は検索経路のうちのいずれかの経路を選択する経路選択部とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は電波識別（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ；ＲＦＩＤ）リーダー（Ｒｅａｄｅｒ）及び電波識別システムを提供し、さらに詳細にはＬＢＴ（Ｌｉｓｔｅｎ Ｂｅｆｏｒｅ Ｔａｌｋ）方式を使用し、受信性能が向上した電波識別リーダー及び電波識別システムを提供する。
【解決手段】本発明の電波識別リーダー２００は、チャネル信号の中心周波数ｆ_１からオフセット周波数Δｆ分だけオフセットされた周波数ｆ_２で発振信号を発生する周波数発振部２０１と、チャネル信号とオフセットされた発振信号とを混合する混合部２０２と、混合部２０２により混合された周波数信号をフィルタリングするフィルタ部２０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッケージの面積を減らす積層型集積回路チップ及びパッケージを提供する。
【解決手段】基板２０１と、該基板と表面実装技術（ＳＭＴ；Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ-ｙ）による機械的接触によって電気的に接続される第１集積回路チップ２０２と、該第１集積回路チップの上に積層され、前記基板とワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ−Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって電気的に接続される第２集積回路チップ２０３とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷフィルタを取り除いて受信器の製造費用を減少させ、受信器のワンチップ化が容易であるＴ−ＤＭＢ／ＤＡＢ Ｌｏｗ−ＩＦ受信器を提供すること。
【解決手段】受信されたＲＦ信号を増幅させる低雑音増幅部と、出力された信号の周波数の帯域を、Ｌｏｗ−ＩＦ帯域で変換させ、映像周波数の帯域を取り除く映像消去ダウン変換混合部と、出力された信号の低周波数の帯域を濾過する低域通過フィルタ部と、出力された信号を増幅させる増幅部と、ダウン変換のための周波数を発生させ、映像消去ダウン変換混合部に供給する局部発振器と、局部発振器の周波数を移動させて固定させる位相固定ループと、低雑音増幅部と前記増幅部との増幅利得を制御する自動利得制御部とを含んで、単一の半導体集積回路基板にワンチップ化され、自動利得制御部からの利得制御信号は、ＲＦ信号に含まれたゼロ信号を基にしたゼロ制御信号によって制御される。 （もっと読む）

【課題】受信器のワンチップ化が可能なＴ−ＤＭＢ／ＤＡＢ Ｌｏｗ−ＩＦ受信器を提供すること。
【解決手段】受信されたＲＦ信号の雑音信号を抑制させ、前記ＲＦ信号を増幅する低雑音増幅部と、該低雑音増幅部から出力された信号の周波数の帯域を、Ｌｏｗ−ＩＦ（Low-Intermediate Frequency）帯域で変換させ、映像周波数の帯域を取り除く映像消去ダウン変換混合部と、該映像消去ダウン変換混合部から出力された信号の低周波数の帯域を濾過する低域通過濾過部と、該低域通過濾過部から出力された信号を増幅させる増幅部と、前記ダウン変換のための周波数を発生させ、前記映像消去ダウン変換混合部に供給する局部発振器と、該局部発振器の周波数を移動させて固定させる位相固定ループと、前記低雑音増幅部、前記映像消去ダウン変換混合部、前記低域通過濾過部、前記増幅部、前記局部発振器及び前記位相固定ループを単一の半導体回路基板上に集積してワンチップ化することを特徴とする。 （もっと読む）